-
公开(公告)号：CN117650047B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410116211.5
申请日：2024-01-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种形成半导体结构的方法、等离子体发生装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，所公开的方法包括：对半导体叠层结构执行第一刻蚀工艺，以形成多个相互间隔的鳍形结构；其中，半导体叠层结构包括交替堆叠的至少一个第一半导体层和至少一个第二半导体层，在执行第一刻蚀工艺时，使等离子体发生腔与反应腔室之间间隔第一间距；对鳍形结构执行第二刻蚀工艺，以选择性地刻蚀第一半导体层与第二半导体层中的一者的至少部分，在执行第二刻蚀工艺时，使等离子体发生腔与反应腔室之间间隔第二间距，第二间距大于第一间距。上述方案能解决半导体工艺设备在进行不同类型刻蚀工艺过程中由于需要换腔而导致刻蚀产能较低的问题。
-
公开(公告)号：CN116504616A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310781425.X
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李佳阳
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体公开一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成相互间隔的第一叠层结构和第二叠层结构，第一叠层结构和第二叠层结构分别包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层；在第一叠层结构和第二叠层结构之间填充隔离墙和牺牲层，牺牲层位于隔离墙的两侧，以分别间隔隔离墙与第一叠层结构和第二叠层结构，牺牲层相对于第一半导体层或第二半导体层具有高刻蚀选择比；去除第一半导体层和第二半导体层中的一者以及牺牲层；在另一者周围形成栅极结构。本发明在隔离沟槽内形成隔离墙和牺牲层并通过后续刻蚀工艺去除牺牲层，从而形成围绕整个沟道区周围的栅极结构，能够实现更小的DIBL，对半导体器件的漏电流实现更好的控制。
-
公开(公告)号：CN116487322B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202310458065.X
申请日：2023-04-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李佳阳
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明实施例公开一种形成导电互连结构的方法，包括：在导电层上形成预定掩膜图案；对第一掩膜图案进行掺杂，以在所述第一掩膜图案中形成预定深度的掺杂区域，其中，所述第一掩膜图案为已掺杂的所述预定掩膜图案，第二掩膜图案为未掺杂的所述预定掩膜图案；其中，所述掺杂区域的刻蚀速率大于未掺杂区域的刻蚀速率；利用所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案对所述导电层进行刻蚀，以形成导电互连结构；其中，对应于所述第二掩膜图案的区域的导电线的高度较高，形成为导电通路。
-
公开(公告)号：CN117038444B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202311024464.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选择性地去除SiGe层，其中所述工艺气体包括含氟气体和辅助刻蚀气体，所述辅助刻蚀气体包括氧元素，所述辅助刻蚀气体还包括氮元素、氦元素和氩元素中的至少一个。
-
公开(公告)号：CN116487266B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310458020.2
申请日：2023-04-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李佳阳
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底表面形成牺牲区；在所述牺牲区上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层；去除所述牺牲区，以在所述衬底与所述叠层结构之间形成空腔；在所述空腔内填充绝缘层；去除所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一者；在所述第一半导体层和所述第二半导体层中的另一者周围形成栅极结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116741630B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311022428.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32 , C09K13/00
Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于对包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构进行选择性刻蚀，包括：当从所述叠层结构中选择性地刻蚀SiGe层时，利用第一刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第一刻蚀气体包括含氟气体和第一辅助刻蚀气体；当从所述叠层结构中选择性地刻蚀Si层时，利用第二刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第二刻蚀气体包括所述含氟气体和第二辅助刻蚀气体；其中，所述第一辅助刻蚀气体和所述第二辅助刻蚀气体用于调节SiGe与Si之间的刻蚀选择比。
-
公开(公告)号：CN116487266A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310458020.2
申请日：2023-04-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李佳阳
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底表面形成牺牲区；在所述牺牲区上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层；去除所述牺牲区，以在所述衬底与所述叠层结构之间形成空腔；在所述空腔内填充绝缘层；去除所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一者；在所述第一半导体层和所述第二半导体层中的另一者周围形成栅极结构。
-
公开(公告)号：CN117038444A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311024464.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于从包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构中选择性刻蚀SiGe层，所述方法包括：利用工艺气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，以从所述叠层结构中选择性地去除SiGe层，其中所述工艺气体包括含氟气体和辅助刻蚀气体，所述辅助刻蚀气体包括氧元素，所述辅助刻蚀气体还包括氮元素、氦元素和氩元素中的至少一个。
-
公开(公告)号：CN116741630A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202311022428.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32 , C09K13/00
Abstract: 本发明实施例公开一种干法刻蚀方法和半导体工艺设备，其中所述干法刻蚀方法用于对包括交替堆叠的Si层和SiGe层的叠层结构进行选择性刻蚀，包括：当从所述叠层结构中选择性地刻蚀SiGe层时，利用第一刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第一刻蚀气体包括含氟气体和第一辅助刻蚀气体；当从所述叠层结构中选择性地刻蚀Si层时，利用第二刻蚀气体对所述叠层结构进行等离子体刻蚀，所述第二刻蚀气体包括所述含氟气体和第二辅助刻蚀气体；其中，所述第一辅助刻蚀气体和所述第二辅助刻蚀气体用于调节SiGe与Si之间的刻蚀选择比。
-
公开(公告)号：CN116779450B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311047857.4
申请日：2023-08-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例公开一种半导体器件、光器件及半导体结构的制造方法，其中所述制造方法包括：在衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的功能层和牺牲层，所述功能层和所述牺牲层由相同材料构成，所述牺牲层掺杂有n型或p型杂质，且所述牺牲层的掺杂浓度大于所述功能层；从所述叠层结构中选择性地去除所述牺牲层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.038 seconds)
