公开(公告)号：CN105070762B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201510430849.7

申请日：2015-07-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  郁文 ,  王漪 ,  石盼 ,  张翼 ,  黄伶灵 ,  丛瑛瑛 ,  董俊辰 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供一种三态金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。该三态金属氧化物半导体薄膜晶体管从下到上依次为衬底、底层源漏电极、底层沟道层、底层栅介质层、栅电极、顶层栅介质层、顶层沟道层、顶层源漏电极，其中，顶层栅介质的厚度大于底层栅介质的厚度，或者顶层栅介质的介电常数小于底层栅介质的介电常数，同时，顶层沟道材料的电导率优于底层沟道材料的电导率。由于该结构是一个顶栅结构和一个底栅结构的叠加，则在转移特性上是上下两个器件转移特性的叠加，突破了传统的金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能。

公开(公告)号：CN105552113A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610111860.1

申请日：2016-02-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  张晓密 ,  伦志远 ,  丛瑛瑛 ,  董俊辰 ,  赵飞龙 ,  韩德栋

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明公开了一种硅衬底上的辐射敏感场效应晶体管(RadFET)及其制备方法。该器件的绝缘沟道层依次为：湿法制备的二氧化硅层、石墨烯薄膜、以及干法制备的二氧化硅层。多层石墨烯材料作为沟道层，增强了RadFET探测器的灵敏度；且湿法制备的疏松氧化硅层起到缓冲作用，可以有效减缓高能粒子辐射带来的器件损伤，同时避免了石墨烯薄膜与源漏电极直接接触带来的界面问题，提高了器件的寿命和性能。此外，对干法制备的二氧化硅进行离子注入工艺，引入较高浓度的杂质陷阱，可以有效的调整器件的阈值电压，同时减小源漏接触电阻，增强器件灵敏度。该RadFET探测器工艺简单、制备成本低，适用于辐射总剂量的探测，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN105280141A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510765183.0

申请日：2015-11-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  伦志远 ,  丛瑛瑛 ,  赵飞龙 ,  董俊辰 ,  韩德栋

IPC: G09G3/3258

Abstract: 本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。该像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、有机发光二极管OLED、电源线、数据信号线和栅控制线，本发明晶体管采用双栅结构的TFT，通过双栅TFT的阈值电压可调的特性实现阈值电压漂移现象的补偿，提供稳定的输出电流，有效改善TFT显示面板因阈值电压不均或阈值电压漂移而造成的OLED发光器件亮度不均问题。同时，由于双栅结构TFT具有更高的电流和器件稳定性，该电路可进行低工作电压的操作、具有更小的面积。本发明简化了电路结构，提高显示电路的开口率和分辨率并降低制造成本，具有较高的实用价值，有望在微电子和平板显示产业中得到应用。

公开(公告)号：CN104766892A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510158994.4

申请日：2015-04-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  郁文 ,  王漪 ,  石盼 ,  丛瑛瑛 ,  张翼 ,  董俊辰 ,  周晓梁 ,  黄伶灵 ,  张盛东 ,  刘力锋 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/227 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/227 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明的核心在于采用掺钙的氧化锌半导体材料作为薄膜晶体管的导电沟道层，制备的半导体薄膜晶粒尺寸低于20nm，且分布均匀，属于纳米晶氧化物半导体。这种工艺方法具有步骤简单，制造成本低廉，均匀性好，用于低温工艺，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件的迁移率、开关比、阈值电压、亚阈摆幅等方面的性能，适用于透明显示和柔性显示技术。

公开(公告)号：CN112858418A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110205251.3

申请日：2021-02-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 董俊辰 ,  李琪 ,  韩德栋 ,  王漪 ,  张兴

IPC: G01N27/26

Abstract: 本发明公开了一种用于肿瘤细胞检测的传感器的制备方法，该方法将3D打印技术与微电子技术结合，制备出的传感器结构包括衬底、绝缘层、传感层，两个测试电极和溶液装载区，绝缘层位于衬底之上，传感层位于绝缘层之上，测试电极和溶液装载区位于传感层之上，溶液装载区位于两个测试电极之间。本发明基于细胞外基质pH的准确测量，实现肿瘤细胞检测工作。本发明可用于临床肿瘤细胞的实时、准确测定。

公开(公告)号：CN107916398B

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201711102694.X

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  董俊辰 ,  韩德栋 ,  李慧津 ,  郁文 ,  罗真 ,  梁艺 ,  周孝斌

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE‑AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％‑98％，铝元素1％‑10％，稀土元素1％‑14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本发明制备的薄膜材料作为有源层的TFT可用于柔性显示等需要低温制备工艺的应用。

公开(公告)号：CN107916398A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711102694.X

申请日：2017-11-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  董俊辰 ,  韩德栋 ,  李慧津 ,  郁文 ,  罗真 ,  梁艺 ,  周孝斌

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE-AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％-98％，铝元素1％-10％，稀土元素1％-14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本发明制备的薄膜材料作为有源层的TFT可用于柔性显示等需要低温制备工艺的应用。

公开(公告)号：CN113013250B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202110205068.3

申请日：2021-02-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 董俊辰 ,  李琪 ,  韩德栋 ,  王漪 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件领域。该场效应晶体管包括衬底、栅电极、金属‑绝缘层电介质、有源层和源/漏电极，栅电极位于衬底之上，金属‑绝缘层电介质位于栅电极之上，有源层位于金属‑绝缘层电介质之上,源/漏电极位于有源层之上，所述金属‑绝缘层电介质结构采用氧化铝/钛/氧化铝的三明治结构，所述氧化铝薄膜厚度分别为10‑100纳米，钛薄膜为金属钛薄膜或氧化钛薄膜，所述钛薄膜厚度为10‑100纳米。本发明提出了一种用于微电子器件的新型high‑k电介质材料，该金属‑绝缘层混合电介质采用磁控溅射和原子层淀积工艺制备，步骤简单、成本低，具有实际应用潜力。

公开(公告)号：CN105552113B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201610111860.1

申请日：2016-02-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  张晓密 ,  伦志远 ,  丛瑛瑛 ,  董俊辰 ,  赵飞龙 ,  韩德栋

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种硅衬底上的辐射敏感场效应晶体管(RadFET)及其制备方法。该器件的绝缘沟道层依次为：湿法制备的二氧化硅层、石墨烯薄膜、以及干法制备的二氧化硅层。多层石墨烯材料作为沟道层，增强了RadFET探测器的灵敏度；且湿法制备的疏松氧化硅层起到缓冲作用，可以有效减缓高能粒子辐射带来的器件损伤，同时避免了石墨烯薄膜与源漏电极直接接触带来的界面问题，提高了器件的寿命和性能。此外，对干法制备的二氧化硅进行离子注入工艺，引入较高浓度的杂质陷阱，可以有效的调整器件的阈值电压，同时减小源漏接触电阻，增强器件灵敏度。该RadFET探测器工艺简单、制备成本低，适用于辐射总剂量的探测，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN104576759A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510039672.8

申请日：2015-01-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  周晓梁 ,  丛瑛瑛 ,  赵飞龙 ,  董俊辰 ,  韩德栋 ,  张盛东 ,  刘晓彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路和平板显示及其相关制造技术领域。本发明核心是采用了叠层结构源电极和漏电极，电极的下层为金属氧化物半导体薄膜，电极的上层为导电薄膜。叠层源电极和漏电极的下层金属氧化物薄膜采用与沟道有源层相同或不同的材料，其电导率小于有源层金属氧化物薄膜。两层金属氧化物薄膜由射频磁控溅射方法形成。本发明氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率,关态电流小，大开关电流比等优点，且与传统结构器件相比工艺复杂度未提高，制备方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。