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公开(公告)号：CN118516761A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410395660.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院 , 江苏晶菲尔德半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于薄膜材料制备的领域，本发明公开了一种基于多点成核的快速、无污染制备外延硅片的方法，根据新发现的多点成核、单一取向结晶的原理，采用磁控溅射设备在各取向的硅衬底上生成致密、单一取向的单晶硅薄膜。本发明的优点在于：工艺简单、成本低、效率高、安全无污染、薄膜均匀致密。通过本发明制备的薄膜具有缺陷少、界面性能优、耐高温、耐腐蚀、平整度高的特点，可广泛用于集成电路、光伏、生物医疗，航天航空，传感电路等领域。
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公开(公告)号：CN118028968A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410142145.9
申请日：2024-02-01
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
Abstract: 本申请公开了一种激光诱导无光刻沉积单晶硅周期性点阵的方法，属于半导体工艺技术领域，在沉积薄膜时，将激光照射在衬底表面，激光干涉产生点状的光强分布，导致衬底上各位置的热梯度分布呈点阵状，因而点阵处薄膜沉积速率更快，从而诱导沉积单晶硅周期性点阵结构。与传统制备周期性微纳结构的方法相比，本申请具有工艺简单、成本低、快速、无杂质、无需光刻胶等优点。通过本发明制备的周期性结构可以具有发光，滤波，双极性晶体管特性，可广泛用于表面增强拉曼散射、传感器、探测器、光电显示和微纳晶体管制造等领域。
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公开(公告)号：CN118308687A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410736853.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
Abstract: 本申请公开了一种无掩膜制备氧化锌阵列的方法，属于半导体工艺技术领域;本申请采用磁控溅射与激光干涉相结合的方式，在磁控溅射沉积薄膜的同时，利用激光干涉在衬底表面形成图案化的光强分布，从而使衬底各位置产生与光强相对应的热梯度分布;激光通过改变表面吸附原子动力学从而诱导表面形貌生长;与传统制备图案化阵列微纳结构的方法相比，本申请具有工艺简单、成本低、制备周期短、无杂质、环境友好、无需光刻胶、无掩膜、图样可调等优点;通过本发明制备的周期性图案化纳米结构可以具有发光，滤波，双极性晶体管特性，可广泛用于光电显示、透明电极、光伏、探测器、压电传感器、低维集成器件制备等领域。
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公开(公告)号：CN118153494B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410578790.5
申请日：2024-05-11
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
IPC: G06F30/331 , G06F30/337 , G06F30/398 , G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种基于AXI总线实现矩阵SVD分解的硬件加速系统，该系统包括硬件数学加速器、DMA、RAM、寄存器、FIFO及AXI总线模块，并涵盖了软硬件协同工作的驱动程序；所述原理是通过外部驱动写入指令，利用该系统来执行SVD计算的子功能，在寄存器及RAM中进行数据的读写操作，并通过AXI总线与外部系统实现内外数据交换；所述的硬件数学加速器内具有4个三角函数模块，在SVD进行迭代计算时可调动这4个模块进行并行计算，从而缩短计算的时钟周期；本发明采用了64个64比特的寄存器和4个32KB的RAM，可满足大规模高阶矩阵的存储需求，同时支持单、双精度的计算；通过写指令来配置内部硬件加速系统的功能，提高了系统的灵活性和可配置性，可满足不同的应用需求。
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公开(公告)号：CN118486598A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410395662.7
申请日：2024-04-02
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院 , 江苏晶菲尔德半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于芯片制造工艺的领域，公开了一种免键合、免对准实现芯片3D堆叠的方法，采用磁控溅射设备在芯片的金属薄层上生成致密、单一取向的单晶硅薄层，再通过掺杂、刻蚀等工艺构造上层芯片，实现真正意义上的3D垂直堆叠。本发明的优点在于：工艺简单快速、工序少、便于重复堆叠、室温制备、产生应力小、普适性强、安全无污染、平整度高、界面特性陡峭、有利于低功耗设计等。通过本发明实现的3D堆叠芯片具有互连长度短、翘曲度小、形变小、自掺杂效应小、结构设计高度灵活、接触性能好、界面性能优的特点，可广泛用于高性能芯片制造、光伏、航天航空、传感电路等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118153494A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410578790.5
申请日：2024-05-11
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
IPC: G06F30/331 , G06F30/337 , G06F30/398 , G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种基于AXI总线实现矩阵SVD分解的硬件加速系统，该系统包括硬件数学加速器、DMA、RAM、寄存器、FIFO及AXI总线模块，并涵盖了软硬件协同工作的驱动程序；所述原理是通过外部驱动写入指令，利用该系统来执行SVD计算的子功能，在寄存器及RAM中进行数据的读写操作，并通过AXI总线与外部系统实现内外数据交换；所述的硬件数学加速器内具有4个三角函数模块，在SVD进行迭代计算时可调动这4个模块进行并行计算，从而缩短计算的时钟周期；本发明采用了64个64比特的寄存器和4个32KB的RAM，可满足大规模高阶矩阵的存储需求，同时支持单、双精度的计算；通过写指令来配置内部硬件加速系统的功能，提高了系统的灵活性和可配置性，可满足不同的应用需求。
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公开(公告)号：CN118308687B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410736853.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
Abstract: 本申请公开了一种无掩膜制备氧化锌阵列的方法，属于半导体工艺技术领域;本申请采用磁控溅射与激光干涉相结合的方式，在磁控溅射沉积薄膜的同时，利用激光干涉在衬底表面形成图案化的光强分布，从而使衬底各位置产生与光强相对应的热梯度分布;激光通过改变表面吸附原子动力学从而诱导表面形貌生长;与传统制备图案化阵列微纳结构的方法相比，本申请具有工艺简单、成本低、制备周期短、无杂质、环境友好、无需光刻胶、无掩膜、图样可调等优点;通过本发明制备的周期性图案化纳米结构可以具有发光，滤波，双极性晶体管特性，可广泛用于光电显示、透明电极、光伏、探测器、压电传感器、低维集成器件制备等领域。
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公开(公告)号：CN119154808A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411170594.0
申请日：2024-08-26
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于优化型CORDIC算法的高速直接数字频率合成器，包括相位累加器、CORDIC转换器和数模转换器(DAC)。其中，相位累加器负责累加输入相位并进行适当截取。CORDIC转换器基于优化型CORDIC算法。CORDIC转换器由小角度提取模块、查找表模块、旋转计算模块和域折叠还原模块组成。小角度提取模块将相位角度转换为π/12以内的小角度，查找表模块只存储针对π/12划分的11组正余弦数值。读表后的数据首先经过免缩放处理，再通过余四算法的并行三组旋转计算处理，最终在域折叠还原模块中通过和角公式还原信号，最后由DAC将数字信号转换为模拟信号。本发明通过优化CORDIC算法，显著提升了频率合成器的精度和速度，并大幅降低了存储需求，从而极大地减少了大规模芯片制造中的生产费用。
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公开(公告)号：CN119030482A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411213282.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于射频微波通信技术领域，具体公开了一种超宽带差分结构分布式放大器，放大器增益单元包括：分割电容、射极跟随器、共射共基放大电路、尾电流源、发射极电阻。通过射极跟随器减小增益单元输入输出电容，提高传输线截止频率；分割电容用于降低输入传输线上的电容负载；输入偏置电路采用独立于传输线的形式；通过上述方法可以减小增益单元的寄生电容，进而有效拓宽分布式放大器的带宽并表现出更好的放大效果，测量频率更宽的信号。
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公开(公告)号：CN117879604A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410149802.2
申请日：2024-02-02
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明涉及集成电路设计领域，公开了基于线性运算的时间交织ADC采样时间适配矫正方法，其包括误差提取、斜率提取与误差运算。误差提取步骤用于提取当前ADC采样通道时刻与前、后通道采样时间的中心点的偏离程度。斜率提取步骤通过改变通道的延时，提取出对应于当前信号的偏离程度对时间的变化率。误差运算步骤利用提取的斜率和各通道的误差值，计算出各通道的补偿值。本发明的有益效果为：本发明利用斜率计算，切断了误差的传递，一次性得出所有通道的补偿值。在同样的时钟周期下，本算法能够更快且更精确的收敛到解。本发明尤其适用于超多通道、所需矫正量随时间变化较快的模数转换器上。
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