-
公开(公告)号：CN101388380A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200710145486.8
申请日：2007-09-14
Applicant: 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/1532 , H01L2924/00014
Abstract: 一种多芯片堆叠的封装结构，包括导线架、第一芯片与第二芯片。导线架，由多个内引脚与多个外引脚所构成，内引脚包括有多个平行的第一内引脚群与平行的第二内引脚群，且第一内引脚群与该第二内引脚群的末端以一个间隔相对排列。第一芯片的主动面的接近中央区域设置有多个金属焊垫，并通过第一粘着层固接于第一内引脚群与第二内引脚群的下表面，且暴露出多个金属焊垫；在第二芯片的背面形成第二粘着层，并通过第二粘着层固接于第一内引脚群与第二内引脚群的上表面，通过第二粘着层的厚度形成的空间使连接第一芯片的金属导线不接触第二芯片的背面。
-
公开(公告)号：CN101030565A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610057848.3
申请日：2006-03-01
Applicant: 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是有关于一种高频集成电路封装构造及其制造方法。该高频集成电路封装构造，主要包括一基板、一凸块化晶片及复数个导电填料。该基板是具有由一上表面贯穿至一下表面的复数个凸块容置通孔并包含有一线路层，该凸块化晶片的一主动面是贴附于该基板的该上表面，使得该凸块化晶片的复数个凸块是容置于对应的该些凸块容置通孔内，该些导电填料是形成于该些凸块容置通孔内，达到电性连接该些凸块至该线路层。该高频集成电路封装构造具有电性传导路径短、防止冲线以及封装薄化的功效。
-
公开(公告)号：CN1956179A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200510117212.9
申请日：2005-10-28
Applicant: 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/28 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 一种芯片封装结构，其包括一第一基板、一第二基板、多数个凸块以及一粘着材料。其中，第一基板具有多个第一焊垫，第二基板配置于第一基板的上方，且具有多个第二焊垫，上述凸块分别配置在所述第一焊垫或所述第二焊垫上，且第二基板是透过凸块而电性连接至第一基板，具有B阶特性的粘着材料配置于第一焊垫与第二焊垫之间，且包围每一凸块。上述凸块可为结线凸块或电镀凸块。
-
公开(公告)号：CN1933117A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510103416.7
申请日：2005-09-15
Applicant: 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/4824 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/18161 , H01L2924/18165 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出一种不具核心介电层的芯片封装体制程，其步骤包括先提供导电层，其中导电层具有第一表面与第二表面。在第一表面形成第一膜片，并且将导电层图案化，以形成图案化线路层。在图案化线路层上形成焊罩层，并将焊罩层图案化，以暴露出图案化线路层的部分区域。在焊罩层上形成第二膜片，并且移除第一膜片，之后将芯片配置在第一表面，并使芯片电性连接到图案化线路层。形成封装胶体，以包覆图案化线路层，并将芯片固定在图案化线路层上，之后移除第二膜片。
-
公开(公告)号：CN1617316A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200310103492.9
申请日：2003-11-10
Applicant: 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
CPC classification number: H01L24/29 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种增进有效黏晶面积的封装制程及实施该封装制程的B阶膜层。一种增进有效黏晶面积的封装制程，其是在一基板上形成一A阶液态胶，并烘烤为B阶膜层，在晶片压合与电性连接步骤中，B阶膜层是未完全热固化，在压模步骤中，封胶体的注胶压力(1000－1500psi)是大于晶片压合压力，使得未固化B阶膜层更为密实，以增进有效黏晶面积。该B阶膜层是黏附于晶片与基板之间，其具有一玻璃态转化温度(glass transition temperature，Tg)及一热固化温度，该B阶膜层的玻璃态转化温度是不高于压合晶片的温度，且该B阶膜层的热固化温度是不高于封胶体的注胶温度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100539091C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610003254.4
申请日：2006-02-06
Applicant: 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC: H01L23/28 , H01L23/373 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L24/48 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2924/00014 , H01L2924/01087 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明是有关于一种晶片封装结构，其包括一基板、一晶片、一第一B阶黏着剂、打线导线、一散热器以及一封装胶体。其中，基板具有一第一表面、一第二表面和一通孔。晶片配置在基板第一表面上并与其电性连接，且基板的通孔暴露出部分晶片。第一B阶黏着剂配置在晶片与基板的第一表面之间，且晶片通过第一B阶黏着剂贴附到基板上。打线导线连接在通孔所暴露的晶片与基板的第二表面之间。散热器配置在基板第一表面上，且覆盖住晶片。封装胶体配置在基板第二表面上，并覆盖部分基板和打线导线。本发明的晶片的接合垫不会被B阶黏着剂覆盖，进而提高晶片封装结构的优良率；此外利用散热器传导自晶片产生热量，且利用散热黏着层将散热器固定在晶片上，而有助于散热。
-
公开(公告)号：CN100524719C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610109240.0
申请日：2006-08-03
Applicant: 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/78
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种阵列封装基板，其具有多个图样组。每一图样组包括一定位图样以及一切割辨识图样，其中切割辨识图样代表用于阵列封装基板的被切割方式。由于阵列封装基板具有多个切割辨识图样，因此在对于封装体阵列进行切割之前，切割设备可以先辨识切割辨识图样，以判断已设定的切割方式是否吻合于切割辨识图样所对应的被切割方式。因此阵列封装基板可以降低发生误切割的可能性。
-
公开(公告)号：CN100442465C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510103416.7
申请日：2005-09-15
Applicant: 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/4824 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/18161 , H01L2924/18165 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出一种不具核心介电层的芯片封装体制程，其步骤包括先提供导电层，其中导电层具有第一表面与第二表面。在第一表面形成第一膜片，并且将导电层图案化，以形成图案化线路层。在图案化线路层上形成焊罩层，并将焊罩层图案化，以暴露出图案化线路层的部分区域。在焊罩层上形成第二膜片，并且移除第一膜片，之后将芯片配置在第一表面，并使芯片电性连接到图案化线路层。形成封装胶体，以包覆图案化线路层，并将芯片固定在图案化线路层上，之后移除第二膜片。
-
公开(公告)号：CN100433320C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510117212.9
申请日：2005-10-28
Applicant: 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/28 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 一种芯片封装结构，其包括一第一基板、一第二基板、多数个凸块以及一粘着材料。其中，第一基板具有多个第一焊垫，第二基板配置于第一基板的上方，且具有多个第二焊垫，上述凸块分别配置在所述第一焊垫或所述第二焊垫上，且第二基板是透过凸块而电性连接至第一基板，具有B阶特性的粘着材料配置于第一焊垫与第二焊垫之间，且包围每一凸块。上述凸块可为结线凸块或电镀凸块。
-
公开(公告)号：CN101118887A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610109240.0
申请日：2006-08-03
Applicant: 南茂科技股份有限公司 , 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/78
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种阵列封装基板，其具有多个图样组。每一图样组包括一定位图样以及一切割辨识图样，其中切割辨识图样代表用于阵列封装基板的被切割方式。由于阵列封装基板具有多个切割辨识图样，因此在对于封装体阵列进行切割之前，切割设备可以先辨识切割辨识图样，以判断已设定的切割方式是否吻合于切割辨识图样所对应的被切割方式。因此阵列封装基板可以降低发生误切割的可能性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
35
records
(took 0.075 seconds)
