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公开(公告)号：CN112017971B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010265226.X
申请日：2020-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 形成集成电路器件的封装件的方法包括：形成重构晶圆，包括将器件管芯密封在密封剂中，在器件管芯和密封剂上方形成介电层，形成延伸至介电层中以电耦接至器件管芯的多条再分布线，以及在用于形成多条再分布线的常规工艺中形成金属环。金属环环绕多条再分布线，并且金属环延伸至重构晶圆的划线中。沿重构晶圆的划线实施管芯锯切工艺以将封装件从重构晶圆分离。封装件包括器件管芯和至少部分金属环。本发明的实施例还涉及集成电路器件的封装件。
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公开(公告)号：CN109427597B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201810082747.4
申请日：2018-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 一种实施例方法包括将第一管芯接合至中介层的第一侧，中介层包括衬底；在将第一管芯接合至中介层的第一侧之后，在中介层的与第一侧相对的第二侧上沉积第一绝缘层；图案化穿过衬底和第一绝缘层的开口；以及在第一绝缘层上方并沿着开口的侧壁和横向表面沉积第二绝缘层。第二绝缘层包括硅。该方法还包括去除第二绝缘层的横向部分以在开口的侧壁上限定侧壁间隔件并且在开口中形成通孔，其中，通孔电连接至第一管芯。本发明实施例涉及半导体封装件中的导电通孔及其形成方法。
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公开(公告)号：CN117276203A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311348978.2
申请日：2019-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体封装结构和用于制作半导体封装结构的方法。所述半导体封装结构包含第一封装、所述第一封装上方的第二封装、所述第一封装与所述第二封装之间的多个连接器和所述第一封装与所述第二封装之间的多个挡板结构。所述第二封装包含接合区域和包围所述接合区域的外围区域。所述连接器安置于所述接合区域中以提供所述第一封装与所述第二封装之间的电连接。所述挡板结构安置于所述外围区域中且彼此间隔。
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公开(公告)号：CN112017971A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010265226.X
申请日：2020-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 形成集成电路器件的封装件的方法包括：形成重构晶圆，包括将器件管芯密封在密封剂中，在器件管芯和密封剂上方形成介电层，形成延伸至介电层中以电耦接至器件管芯的多条再分布线，以及在用于形成多条再分布线的常规工艺中形成金属环。金属环环绕多条再分布线，并且金属环延伸至重构晶圆的划线中。沿重构晶圆的划线实施管芯锯切工艺以将封装件从重构晶圆分离。封装件包括器件管芯和至少部分金属环。本发明的实施例还涉及集成电路器件的封装件。
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公开(公告)号：CN106094125A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610239811.6
申请日：2016-04-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4267 , G02B6/4214
Abstract: 一种光具座包括其中具有沟槽的衬底和在沟槽内的光发射器件。该光具座还包括光学连接至光发射器件的光接收器件。该光具座还包括电连接至光发射器件的至少一个有源电路。该光具座还包括沟槽中的波导，其中，波导光学地位于光发射器件和光接收器件之间。该光具座还包括位于光发射器件和波导之间的透光材料。本发明实施例涉及衬底上的光具座及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119852241A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411453475.6
申请日：2024-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/498 , H01L23/528
Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：形成金属焊盘，在金属焊盘上沉积钝化层，以及平坦化钝化层，从而使得钝化层包括平坦的顶表面。该方法还包括蚀刻钝化层以在钝化层中形成开口，其中，金属焊盘暴露于开口，以及形成导电通孔，导电通孔包括位于开口中的下部和高于钝化层的上部。然后分配聚合物层以覆盖导电通孔。本公开的实施例还提供了半导体结构。
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公开(公告)号：CN103257398A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210238921.2
申请日：2012-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/0083 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/138 , G02B6/4214 , G02B2006/12061 , G02B2006/12104 , G02B2006/12121 , G02B2006/12176
Abstract: 本发明公开了一种制造波导器件的方法。方法包括提供具有电互连区和波导区的衬底以及在电互连区内的衬底上方形成图案化介电层和图案化再分布层(RDL)。方法还包括通过接合叠层将图案化RDL接合至垂直腔面发射激光器(VCSEL)。在波导区内的衬底中形成反射镜沟槽，并在波导区内部的反射镜区上方形成反射层。方法进一步包括在波导区内部的波隧道区中形成并图案化底覆层以及在波导区中形成并图案化芯层和顶覆层。本发明还提供了制造聚合物波导的方法。
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公开(公告)号：CN110767608A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910220498.5
申请日：2019-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体封装结构和用于制作半导体封装结构的方法。所述半导体封装结构包含第一封装、所述第一封装上方的第二封装、所述第一封装与所述第二封装之间的多个连接器和所述第一封装与所述第二封装之间的多个挡板结构。所述第二封装包含接合区域和包围所述接合区域的外围区域。所述连接器安置于所述接合区域中以提供所述第一封装与所述第二封装之间的电连接。所述挡板结构安置于所述外围区域中且彼此间隔。
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公开(公告)号：CN109427597A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810082747.4
申请日：2018-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 一种实施例方法包括将第一管芯接合至中介层的第一侧，中介层包括衬底；在将第一管芯接合至中介层的第一侧之后，在中介层的与第一侧相对的第二侧上沉积第一绝缘层；图案化穿过衬底和第一绝缘层的开口；以及在第一绝缘层上方并沿着开口的侧壁和横向表面沉积第二绝缘层。第二绝缘层包括硅。该方法还包括去除第二绝缘层的横向部分以在开口的侧壁上限定侧壁间隔件并且在开口中形成通孔，其中，通孔电连接至第一管芯。本发明实施例涉及半导体封装件中的导电通孔及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103257398B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210238921.2
申请日：2012-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/0083 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B6/138 , G02B6/4214 , G02B2006/12061 , G02B2006/12104 , G02B2006/12121 , G02B2006/12176
Abstract: 本发明公开了一种制造波导器件的方法。方法包括提供具有电互连区和波导区的衬底以及在电互连区内的衬底上方形成图案化介电层和图案化再分布层(RDL)。方法还包括通过接合叠层将图案化RDL接合至垂直腔面发射激光器(VCSEL)。在波导区内的衬底中形成反射镜沟槽，并在波导区内部的反射镜区上方形成反射层。方法进一步包括在波导区内部的波隧道区中形成并图案化底覆层以及在波导区中形成并图案化芯层和顶覆层。本发明还提供了制造聚合物波导的方法。
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