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公开(公告)号：CN110707021B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201910619988.2
申请日：2019-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 在一些实施例中提供一种半导体设备，包括基座、气体注入器、以及控制器。基座具有基板袋体。气体注入器设置在基座上方，气体注入器具有第一制程区域，气体注入器包括第一气体混合枢纽部以及第一分配阀，第一分配阀将第一气体混合枢纽部连接到第一制程区域。控制器连接到气体注入器以及基座，控制器是配置以：将第一前驱物材料以及载气连接到第一气体混合枢纽部；在第一气体混合枢纽部中混合第一前驱物材料以及载气，以制造第一前驱气体；旋转基座以旋转设置在基板袋体中的其中一者的第一基板；以及当旋转基座时，控制第一分配阀以在第一基板进入各个第一制程区域中时，依序将第一前驱气体引入各个第一制程区域中。
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公开(公告)号：CN112582434A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010868366.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对一种用于形成图像传感器的方法，其中器件层具有高晶体质量。根据一些实施例，沉积覆盖衬底的硬掩模层。对硬掩模层和衬底执行第一蚀刻以形成腔。执行第二蚀刻以去除来自第一蚀刻的晶体损伤并且使腔中的衬底横向凹进，使得硬掩模层悬于腔上方。形成衬于腔的牺牲层，穿过牺牲层对衬底执行毯式离子注入，并且去除牺牲层。外延生长中间层，中间层衬于腔并且具有位于硬掩模层下面的顶面，并且外延生长器件层，器件层填充中间层上方的腔。在器件层中形成光电探测器。本发明的实施例还涉及图像传感器。
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公开(公告)号：CN108206153B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201611169532.3
申请日：2016-12-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/673
Abstract: 一种晶圆承载装置以及半导体设备，晶圆承载装置包括一驱动机构、一晶圆基座以及一电性隔离元件。驱动机构耦接于一接地电压。晶圆基座设置于驱动机构上，且包括一容置槽，用以放置一晶圆。电性隔离元件设置于晶圆基座上，以抑制晶圆以及接地电压之间的电荷流动。
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公开(公告)号：CN112582434B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010868366.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对一种用于形成图像传感器的方法，其中器件层具有高晶体质量。根据一些实施例，沉积覆盖衬底的硬掩模层。对硬掩模层和衬底执行第一蚀刻以形成腔。执行第二蚀刻以去除来自第一蚀刻的晶体损伤并且使腔中的衬底横向凹进，使得硬掩模层悬于腔上方。形成衬于腔的牺牲层，穿过牺牲层对衬底执行毯式离子注入，并且去除牺牲层。外延生长中间层，中间层衬于腔并且具有位于硬掩模层下面的顶面，并且外延生长器件层，器件层填充中间层上方的腔。在器件层中形成光电探测器。本发明的实施例还涉及图像传感器。
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公开(公告)号：CN117038630A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310847227.9
申请日：2023-07-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H01L21/768
Abstract: 本公开的多种实施例涉及一种集成电路(IC)，其包括在半导体衬底之上的多个导电接触件。多个第一导电线设置在多个导电接触件上。多个导电通孔在第一导电线之上。蚀刻停止结构设置在第一导电线上。多个导电通孔延伸穿过蚀刻停止结构。蚀刻停止结构包括第一蚀刻停止层、第一绝缘体层和第二蚀刻停止层。第一绝缘体层设置在第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层之间。本申请的实施例还涉及集成芯片及形成半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113341501B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202010830200.5
申请日：2020-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种集成芯片及其形成方法，所述集成芯片包括上覆在光栅耦合器结构上的保护环结构。波导结构设置在半导体衬底内且包括光栅耦合器结构。内连结构上覆在半导体衬底上。所述内连结构包括接触件刻蚀停止层(CESL)及位于半导体衬底之上的导电接触件。所述导电接触件延伸穿过接触件刻蚀停止层。所述保护环结构延伸穿过接触件刻蚀停止层且具有与导电接触件的上表面对齐的上表面。
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公开(公告)号：CN113206127A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202011237628.5
申请日：2020-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种显示装置，所述显示装置包括第一反射器电极及与第一反射器电极隔开的第二反射器电极。显示装置还包括上覆在第一反射器电极及第二反射器电极上的隔离结构。隔离结构包括第一部分及第二部分。第一部分上覆在第一反射器电极上且具有第一厚度。第二部分上覆在第二反射器电极上，具有大于第一厚度的第二厚度，且与隔离结构的第一部分隔开。显示装置还包括分别上覆在隔离结构的第一部分及第二部分上的第一光学发射体结构及第二光学发射体结构。
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公开(公告)号：CN112670268B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010517951.1
申请日：2020-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H10K59/12 , H10K71/00 , H10K59/80
Abstract: 在本发明一些实施例中，涉及一种显示装置，所述显示装置包括：隔离结构，设置在反射器电极之上；透明电极，设置在隔离结构之上；光学发射器结构，设置在透明电极之上；以及通孔结构。通孔结构在隔离结构的顶表面处从透明电极延伸到反射器电极的顶表面。通孔结构包括与反射器电极的顶表面接触的中心水平段、与隔离结构的内侧壁接触的侧壁垂直段及通过侧壁垂直段连接到中心水平段的上部水平段。上部水平段厚于中心水平段。
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公开(公告)号：CN113341501A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010830200.5
申请日：2020-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种集成芯片及其形成方法，所述集成芯片包括上覆在光栅耦合器结构上的保护环结构。波导结构设置在半导体衬底内且包括光栅耦合器结构。内连结构上覆在半导体衬底上。所述内连结构包括接触件刻蚀停止层(CESL)及位于半导体衬底之上的导电接触件。所述导电接触件延伸穿过接触件刻蚀停止层。所述保护环结构延伸穿过接触件刻蚀停止层且具有与导电接触件的上表面对齐的上表面。
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公开(公告)号：CN112670268A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010517951.1
申请日：2020-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L27/32
Abstract: 在本发明一些实施例中，涉及一种显示装置，所述显示装置包括：隔离结构，设置在反射器电极之上；透明电极，设置在隔离结构之上；光学发射器结构，设置在透明电极之上；以及通孔结构。通孔结构在隔离结构的顶表面处从透明电极延伸到反射器电极的顶表面。通孔结构包括与反射器电极的顶表面接触的中心水平段、与隔离结构的内侧壁接触的侧壁垂直段及通过侧壁垂直段连接到中心水平段的上部水平段。上部水平段厚于中心水平段。
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