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公开(公告)号：CN102903696B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210047895.5
申请日：2012-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/14 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/0346 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/1161 , H01L2224/11622 , H01L2224/13011 , H01L2224/13014 , H01L2224/13078 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/1405 , H01L2224/14051 , H01L2224/145 , H01L2224/16238 , H01L2224/17107 , H01L2224/81141 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/81897 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2924/01053 , H01L2924/01079 , H01L2924/01051 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本披露涉及半导体器件的导电凸块结构。用于半导体器件的典型结构包括基板，其包括主表面和在基板的主表面之上分布的导电凸块。导电凸块的第一子集中的每个都包括规则体，并且导电凸块的第二子集中的每个都包括环形体。
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公开(公告)号：CN103972189B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201310583359.1
申请日：2013-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了半导体器件、其制造方法以及半导体器件封装。在一个实施例中，半导体器件包括在衬底的表面上具有开口的绝缘材料层。一个或多个插入凸块设置在绝缘材料层上方。半导体器件包括具有不设置在绝缘材料层上方的部分的信号凸块。
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公开(公告)号：CN103972189A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310583359.1
申请日：2013-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/76885 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0348 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/0508 , H01L2224/05166 , H01L2224/05647 , H01L2224/06102 , H01L2224/10126 , H01L2224/1146 , H01L2224/11474 , H01L2224/1148 , H01L2224/1161 , H01L2224/11618 , H01L2224/11622 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/13019 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/13084 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13166 , H01L2224/13187 , H01L2224/1319 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/1701 , H01L2224/17051 , H01L2224/17517 , H01L2224/81141 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了半导体器件、其制造方法以及半导体器件封装。在一个实施例中，半导体器件包括在衬底的表面上具有开口的绝缘材料层。一个或多个插入凸块设置在绝缘材料层上方。半导体器件包括具有不设置在绝缘材料层上方的部分的信号凸块。
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公开(公告)号：CN102903696A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210047895.5
申请日：2012-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/14 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/0346 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/1161 , H01L2224/11622 , H01L2224/13011 , H01L2224/13014 , H01L2224/13078 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/1405 , H01L2224/14051 , H01L2224/145 , H01L2224/16238 , H01L2224/17107 , H01L2224/81141 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/81897 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2924/01053 , H01L2924/01079 , H01L2924/01051 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本披露涉及半导体器件的导电凸块结构。用于半导体器件的典型结构包括基板，其包括主表面和在基板的主表面之上分布的导电凸块。导电凸块的第一子集中的每个都包括规则体，并且导电凸块的第二子集中的每个都包括环形体。
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