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公开(公告)号：CN109524378B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201711017344.3
申请日：2017-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本揭露提供一种封装结构及其制造方法。所述封装结构包括管芯、重布线结构、集成扇出型穿孔以及第一连接件。重布线结构与管芯连接且包括多条重布线。集成扇出型穿孔位于管芯侧边且穿过重布线结构。第一连接件与集成扇出型穿孔电性接触，且与管芯电性连接。集成扇出型穿孔与重布线层结构的重布线电性接触。
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公开(公告)号：CN107492532B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201611253338.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/50 , G06K9/00
Abstract: 一种封装件包括传感器管芯和将传感器管芯密封在其中的密封材料。密封材料的顶面与传感器管芯的顶面大致共面或高于传感器管芯的顶面。多个感测电极高于传感器管芯和密封材料。多个感测电极被布置为多个行和列，并且多个感测电极电连接至传感器管芯。介电层覆盖多个感测电极。本发明的实施例还涉及形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN107026154B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201611219635.6
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一个实施例，半导体结构包括多芯片封装件系统(MCPS)。MCPS包括一个或多个管芯、沿着一个或多个管芯的侧壁延伸的模塑料、以及位于一个或多个管芯和模塑料上方的再分布层(RDL)。半导体结构还包括连接至RDL的至少一个传感器，RDL插入在至少一个传感器和一个或多个管芯之间。半导体结构还包括具有在衬底的第一侧上的导电部件的衬底。导电部件连接至RDL。衬底具有从衬底的第一侧延伸至衬底的与第一侧相对的第二侧的空腔，并且至少一个传感器设置在空腔中。本发明的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN107068627B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710073702.6
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/498
Abstract: 本揭露实施例涉及一种装置封装件以及一种用于形成装置封装件的方法，其中，该装置封装件包含传感器裸片；一或多个额外裸片，其相邻于所述传感器裸片；以及模塑料，其圈住所述传感器裸片及所述一或多个额外裸片。所述装置封装件进一步包含重布层，所述重布层在所述传感器裸片、所述一或多个额外裸片、及所述模塑料上方。所述重布层包含第一导电构件，所述第一导电构件在第一介电层中。所述第一导电构件电连接所述传感器裸片到所述一或多个额外裸片。所述重布层进一步包含电极阵列，所述电极阵列在第二介电层中且电连接到所述传感器裸片，所述第二介电层是在所述第一介电层上方。
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公开(公告)号：CN108695242A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201711191306.X
申请日：2017-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种形成封装结构的方法，包含：设置半导体装置在第一介电层上方，其中第一重分布线在第一介电层中；形成模制化合物在第一介电层上方并与半导体装置的侧壁接触；形成第二介电层在模制化合物及半导体装置上方；形成第一开口在第二介电层、模制化合物及第一介电层中以暴露第一重分布线；以及形成第一导体在第一开口中，其中第一导体电连接至第一重分布线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068627A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710073702.6
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/498
Abstract: 本揭露实施例涉及一种装置封装件以及一种用于形成装置封装件的方法，其中，该装置封装件包含传感器裸片；一或多个额外裸片，其相邻于所述传感器裸片；以及模塑料，其圈住所述传感器裸片及所述一或多个额外裸片。所述装置封装件进一步包含重布层，所述重布层在所述传感器裸片、所述一或多个额外裸片、及所述模塑料上方。所述重布层包含第一导电构件，所述第一导电构件在第一介电层中。所述第一导电构件电连接所述传感器裸片到所述一或多个额外裸片。所述重布层进一步包含电极阵列，所述电极阵列在第二介电层中且电连接到所述传感器裸片，所述第二介电层是在所述第一介电层上方。
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公开(公告)号：CN107026092A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611019343.8
申请日：2016-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供制造指纹扫描器的方法以及半导体装置。实施例包含囊封于所述指纹传感器封装内的传感器与传感器表面材料。所述传感器的电极阵列是使用贯穿通路而电连接或经由其它连接(例如线接合)而连接，所述贯穿通路位于所述传感器中、与所述传感器分离的连接块中、或穿过连接块。附接高电压裸片，以增加所述指纹传感器的灵敏性。
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公开(公告)号：CN103730447B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201310005033.0
申请日：2013-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L25/10 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L23/3185 , H01L23/5227 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L23/645 , H01L24/19 , H01L2221/68345 , H01L2224/12105 , H01L2224/24195 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明涉及一种没有组装通孔的堆叠封装结构。堆叠封装(PoP)器件包括顶部封装件和底部封装件，其中，底部封装件包括位于管芯区域外部的晶圆模制层的相对侧上的第一电感器和第二电感器；第一电感器和第二电感器对准，以将顶部封装件电连接到底部封装件的再分布层。
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公开(公告)号：CN103915421B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310084632.6
申请日：2013-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L23/3185 , H01L25/0652 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105
Abstract: 本文公开了用于封装件或者堆叠封装(PoP)器件的方法和装置。一种IC封装件或者PoP器件可以包括连接管芯和去耦电容器的电气通路，其中该电气通路可以具有约8μm至约44μm范围内的宽度和约10μm至约650μm范围内的长度。去耦电容器和管芯可以包含同一封装件中或者位于PoP器件内的不同封装件中，并且通过接触焊盘、再分配层(RDL)和连接件来连接。
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公开(公告)号：CN101714539B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN200910173952.2
申请日：2009-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L21/6835 , H01L21/76816 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L2221/68372 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/02351 , H01L2224/05556 , H01L2924/01019 , H01L2924/19041
Abstract: 本发明提出了一种用于TSV铜附着的Z形结构及其形成系统和方法。优选的实施例包括与半导体管芯的最上层金属层的部分相接触的TSV。TSV导体和接触衬垫之间的分界面优选表现为非平面的Z形结构，其形成了接触点的网格结构。可选择的，接触点可能形成与接触衬垫相接触的多个金属线。
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