Patent search ap:("台湾积体电路制造股份有限公司") AND inv:"沈文维" Page 1

1.

发明授权
半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN105590900B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201510831260.8

申请日：2010-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈文维 , 施应庆 , 陈承先 , 陈明发

IPC: H01L23/00 , H01L23/498 , H01L25/00 , H01L25/065

Abstract: 本发明包括一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一第一基材，具有一第一内连线结构；以及一第二基材，具有一第二内连线结构，该第一内连线结构连接该第二内连线结构，该第一内连线结构的第一宽度与该第二内连线结构的第二宽度不同。本发明提供一种用于使一基材与另一基材接合的凸块结构。一导电柱体形成于第一基材上，以使此导电柱体具有与一第二基材的接触表面不同的宽度。在一实施例中，第一基材的导电柱体为梯形或具有锥形侧壁，因而提供底部部分较顶部部分宽的导电柱体。所述基材均可为集成电路芯片、转接板、印刷电路板、高密度内连线或其类似物。本发明可减低关于交界处应力所产生的脱层问题。

2.

发明公开
半导体器件及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN116741715A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310415912.4

申请日：2023-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈文维 , 黄松辉 , 侯上勇 , 詹森博 , 黄思博 , 黄冠育

IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/56

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底；多个管芯，附接至衬底的第一侧；模制材料，位于所述多个管芯周围的衬底的第一侧上；第一重分布结构，位于衬底的与第一侧相对的第二侧上，第一重分布结构包括介电层和位于介电层中的导电部件，导电部件包括导电线、通孔以及与导电线和通孔隔离的伪金属图案；以及导电连接器，附接至第一重分布结构的背向衬底的第一表面。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

3.

发明公开
半导体封装件和其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN113206068A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202010946031.1

申请日：2020-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈文维 , 黄松辉 , 侯上勇 , 黄冠育

IPC: H01L25/065 , H01L21/98 , H01L23/31 , H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装件包含插入件、管芯、密封体。每一管芯包含有源表面、背侧表面、侧表面。背侧表面与有源表面相对。侧表面使有源表面接合到背侧表面。密封体包含第一材料且横向地包覆管芯。管芯电连接到插入件且并排安置在插入件上，其中相应背侧表面背对插入件。至少一个管芯包含外部角。圆角结构形成在外部角处。圆角结构包含不同于第一材料的第二材料。外部角由至少一个管芯的背侧表面和一对相邻侧表面形成。一对相邻侧表面中的侧表面具有一共同第一边缘。一对相邻侧表面中的每一侧表面不面向其它管芯并且具有与至少一个管芯的背侧表面共同的一第二边缘。

4.

发明公开
用于TSV铜附着的Z形结构有权复审申请

公开(公告)号：CN101714539A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910173952.2

申请日：2009-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志华 , 陈承先 , 郭正铮 , 沈文维

IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5283 , H01L21/6835 , H01L21/76816 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L2221/68372 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/02351 , H01L2224/05556 , H01L2924/01019 , H01L2924/19041

Abstract: 本发明提出了一种用于TSV铜附着的Z形结构及其形成系统和方法。优选的实施例包括与半导体管芯的最上层金属层的部分相接触的TSV。TSV导体和接触衬垫之间的分界面优选表现为非平面的Z形结构，其形成了接触点的网格结构。可选择的，接触点可能形成与接触衬垫相接触的多个金属线。

5.

发明授权
用于TSV铜附着的Z形结构有权复审申请

公开(公告)号：CN101714539B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN200910173952.2

申请日：2009-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志华 , 陈承先 , 郭正铮 , 沈文维

IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5283 , H01L21/6835 , H01L21/76816 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L2221/68372 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/02351 , H01L2224/05556 , H01L2924/01019 , H01L2924/19041

Abstract: 本发明提出了一种用于TSV铜附着的Z形结构及其形成系统和方法。优选的实施例包括与半导体管芯的最上层金属层的部分相接触的TSV。TSV导体和接触衬垫之间的分界面优选表现为非平面的Z形结构，其形成了接触点的网格结构。可选择的，接触点可能形成与接触衬垫相接触的多个金属线。

6.

发明授权
电子元件及其制作方法有权

公开(公告)号：CN102332435B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201110029421.3

申请日：2011-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈文维 , 庄曜群 , 陈承先 , 陈明发

IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/023 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/10126 , H01L2224/10156 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11474 , H01L2224/11849 , H01L2224/11903 , H01L2224/1308 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13564 , H01L2224/13566 , H01L2224/1357 , H01L2224/13582 , H01L2224/13583 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13669 , H01L2224/13684 , H01L2224/16148 , H01L2224/81193 , H01L2224/81898 , H01L2225/06513 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/01007 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种电子元件及其制作方法，其中一实施例提供一种电子元件，包括一第一基板，具有一接点；一凸块底部金属结构，电性接触接点；以及一凹陷的导电柱，位于凸块底部金属结构上并电性接触凸块底部金属结构，凹陷的导电柱具有一形成于其中的凹槽，凹槽具有大体上垂直的侧壁。本发明的实施例可减少接点之间对不准的问题发生，从而增加产能与可靠度。

7.

发明公开
封装结构和其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN113140534A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010994148.7

申请日：2020-09-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈文维 , 黄松辉 , 侯上勇

IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/768 , H01L23/31 , H01L21/60

Abstract: 一种封装结构，包含电路衬底和半导体器件。半导体器件安置在电路衬底上且电连接到电路衬底。半导体器件包含内连线结构、半导体管芯、绝缘密封体、保护层以及电连接件。内连线结构具有第一表面和第二表面。半导体管芯安置在第一表面上且电连接到内连线结构。绝缘密封体密封半导体管芯且部分地覆盖内连线结构的侧壁。保护层安置在内连线结构的第二表面上且部分地覆盖内连线结构的侧壁，其中保护层与绝缘密封体接触。电连接件安置在保护层上，其中内连线结构通过多个电连接件电连接到电路衬底。