公开(公告)号：CN106098658B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201510422090.8

申请日：2015-07-17

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李威弦 ,  李菘茂 ,  刘谦晔

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/486 ,  H01L23/295 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体封装包含衬底、一组电组件、螺柱、锥形电互连件和封装体。所述电组件安置于所述衬底的顶表面上。所述螺柱的底表面安置于所述衬底的所述顶表面上。所述电互连件的底表面安置于所述螺柱的顶表面处。所述螺柱的宽度大于或等于所述电互连件的所述底表面的宽度。所述封装体安置于所述衬底的所述顶表面上，且包封所述电组件、所述螺柱和一部分所述电互连件。所述封装体暴露所述电互连件的顶表面。

公开(公告)号：CN106952879B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610638430.5

申请日：2016-08-05

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金钟薰 ,  成基俊 ,  刘荣槿 ,  崔亨硕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本公开涉及包括贯通式模具连接器的半导体封装件及其制造方法。提供了一种半导体封装结构和用于制造该半导体封装结构的方法。根据该方法，第一模具层被形成为覆盖第一半导体芯片和第一凸块。第一模具层的一部分被去除以暴露出所述第一凸块的顶部，并且第二凸块被设置成被连接到各个第一凸块。第二模具层被形成，并且所述第二模具层被凹进以形成具有设置在所述第一凸块上的所述第二凸块的贯通式模具连接器，所述贯通式模具连接器基本上穿透所述第二模具层。

公开(公告)号：CN106206508B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201510258071.6

申请日：2015-05-20

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 姜明杉 ,  高永宽 ,  金惠进 ,  郑橞洹 ,  成旼宰

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/4682 ,  H05K3/4697

Abstract: 提供了一种封装板、一种用于制造封装板的方法和一种具有封装板的堆叠式封装件。根据本公开的示例性实施例的封装板包括：第一绝缘层，形成有具有贯穿形状的腔；以及第一连接焊盘，形成为贯穿第一绝缘层并形成在腔的一侧处。

公开(公告)号：CN106898593B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201611031782.0

申请日：2016-11-22

Applicant: 东和株式会社

Inventor： 竹内慎

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/10 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L23/3121 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1076 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，以提高构成PoP型半导体装置的下侧的半导体装置的生产率。在布线基板(2)的上表面设置多个布线(4)、相当于布线(4)的一端的焊接引线(5)、以及相当于布线(4)的另一端的焊盘(6)。在布线基板(2)的中央部安装半导体芯片(3)。使用焊线将半导体芯片(3)的电极垫(11)和焊接引线(5)电连接。在各焊盘(6)上分别设置焊球(13)。在布线基板(2)的上表面设置密封树脂(14)，该密封树脂(14)覆盖半导体芯片(3)、多个布线(4)、焊线(12)、焊球(13)等。在密封树脂(14)中设置使焊球(13)的上部露出的连续槽(15)。通过将在下侧的半导体装置(1)上设置的焊球(13)和在上侧的半导体装置上设置的焊球电连接，来制造PoP型半导体装置。

公开(公告)号：CN108630674A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810147171.5

申请日：2018-02-12

Applicant: 英特尔公司

Inventor： H·IL·金

IPC: H01L25/10 ,  H01L25/18 ,  H01L23/538 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L23/5384 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50

Abstract: 一种多封装集成电路组件可以包括具有第一封装基底的第一电子封装，所述第一封装基底包括第一管芯侧和第一接口侧。第一管芯可以电耦合至第一管芯侧。第二电子封装可以包括具有第二管芯侧和第二接口侧的第二封装基底。第二管芯可以电耦合至第二管芯侧。金属镀敷孔可以被从第一封装基底的接口侧电耦合至第二封装基底的接口侧。公共基底可以附接至第一电子封装。例如，所述公共基底可以位于第一电子封装的与所述第一封装基底相对的面上。所述公共基底通过所述第一封装基底电耦合至所述第一管芯和所述第二管芯。

公开(公告)号：CN104341774B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410273177.9

申请日：2014-06-18

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 池受玲 ,  金承焕

IPC: C08L77/12 ,  C08L63/00 ,  C08K3/04 ,  C09D177/12 ,  C09D163/00 ,  C09D7/61 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/295 ,  C08K3/042 ,  C08K3/20 ,  C08L63/00 ,  C08L63/04 ,  C08L67/03 ,  C09K19/3809 ,  C09K2019/521 ,  H01L23/3128 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本申请公开了一种用于半导体封装的模塑组合物和使用该模塑组合物的半导体封装。该模塑组合物包括液晶热固性聚合物树脂和氧化石墨烯，从而有效地降低热膨胀系数(CTE)和翘曲以及最大化导热系数的效应。

公开(公告)号：CN105280569B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201510315540.3

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永培

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/3135 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括下封装件和堆叠在下封装件上的上封装件。下封装件包括封装基底、半导体芯片、模制层和残余应力层。封装基底具有上表面和下表面。半导体芯片设置在封装基底的上表面上。模制层包封半导体芯片。残余应力层设置在半导体芯片上。残余应力层包括塑性形变的表面。残余应力层具有残余应力以抵消下封装件的翘曲。

公开(公告)号：CN104576557B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410512875.X

申请日：2014-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相昱

IPC: H01L23/31

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/10 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体封装件装置，所述半导体封装件装置包括下封装件、设置在下封装件上并且包括接地层和至少一个开口的插入件、位于插入件上的上封装件。下封装件包括第一封装件基板、位于第一封装件基板上的第一半导体芯片以及位于第一封装件基板上的第一模制化合物层。上封装件包括第二封装件基板和位于第二封装件基板上的至少一个上半导体芯片。热传递构件包括设置在插入件和上封装件之间的第一部分，设置在插入件的至少一个开口中的第二部分以及设置在插入件和下封装件之间的第三部分。

公开(公告)号：CN108352375A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680067788.5

申请日：2016-10-14

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·马特考尔 ,  N·R·拉拉维卡 ,  D·T·德兰 ,  J·L·詹森 ,  J·A·法尔孔 ,  W·N·拉巴诺克 ,  R·L·赞克曼 ,  R·A·斯廷格尔

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/115

Abstract: 描述了具有高密度和大高宽比密封互连的半导体封装内插件和并入这样的内插件的半导体封装组件。在示例中，半导体封装内插件包括被密封在聚合物衬底中并具有大于截面尺寸的高度尺寸的几个导电互连。半导体封装内插件可以支撑第二半导体封装上方的第一半导体封装，并可以将第一半导体封装的管芯引脚电气地连接到第二半导体封装的管芯引脚。

公开(公告)号：CN108292628A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680067826.7

申请日：2016-11-21

Applicant: 德卡科技公司

Inventor： 克里斯多佛·M·斯坎伦 ,  威廉·博伊德·罗格 ,  克拉格·必绍普

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法可包括：提供包括半导体晶粒安装位点的临时载体，并且在所述临时载体上方形成绝缘层。导电焊盘可在所述绝缘层中的开口内形成，并且被定位在所述晶粒安装区域内部和外部。背面再分布层(RDL)可在所述临时载体上方形成，之后将半导体晶粒安装在所述晶粒安装位点处。导电互连件可在所述半导体晶粒安装位点的周边中的所述临时载体上方形成。半导体晶粒可正面朝上安装到所述绝缘层。导电互连件、背面RDL和半导体晶粒可以用模制化合物密封。堆焊互连结构可以形成并连接到所述半导体晶粒和所述导电互连件。在研磨工艺中可以移除所述临时载体，并暴露所述导电焊盘。