相变存储器单元
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116635937A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202180081316.6

    申请日:2021-11-18

    Abstract: 一种半导体结构(100),包括:由电介质层(114)包围的加热器(116);在加热器(116)的顶部部分上的投射衬垫(124);在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126);以及包围相变材料层(126)的顶部的顶部电极触点(136)。投射衬垫可覆盖加热器(116)的顶表面。投射衬垫(124)可以将相变材料层(126)与第二电介质层和加热器(116)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。顶部电极触点(136)可以通过金属衬垫(134)与相变材料层(126)分隔开。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。

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