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公开(公告)号：CN111564463A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010016735.9
申请日：2020-01-08
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供发光装置、光学装置、光测量装置以及图像形成装置。本发明提供一种发光装置等，与加大发光元件的发光点的尺寸的情况相比，能够抑制发光特性受损而加大光输出。发光装置包括发光部，所述发光部是将分别具有多个发光元件的多个发光元件群排列而成，所述发光部是沿着所述排列而在所述多个发光元件群的每一个中，所述发光元件群中所含的多个发光元件并列而被依序设定为发光或非发光的状态。
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公开(公告)号：CN105308724B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201480035012.6
申请日：2014-06-25
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23D65/00 , B28D5/0011 , B28D5/022 , H01L21/3043 , H01L33/0095
Abstract: 切割部件的末端形状的设计方法包括如下各工序：在基板的正面上形成正面侧的沟槽；以及利用具有比正面侧的沟槽的宽度大的厚度的旋转切割部件来从基板的背面形成与正面侧的沟槽连通的背面侧的沟槽，从而将基板划片为半导体芯片。该设计方法包括如下各工序：准备末端部具有不同锥度的多个切割部件；准备具有相同形状的多个正面侧的沟槽；对于多个切割部件中的每一者，确认利用切割部件形成背面侧的沟槽获得的破裂状况；以及如果确认多个切割部件包含引起破裂的切割部件和不引起破裂的切割部件这两种，则将不引起破裂的切割部件的锥度作为用于批量制造工艺的切割部件的末端形状。
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公开(公告)号：CN105590898A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510764757.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L33/0095 , B28D5/022 , B28D5/029 , H01L21/78 , H01S5/0202
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括步骤：形成位于衬底正面一侧的沟槽；以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片，所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度，其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下，在所述变化范围从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围之前，停止使用所述切割件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105308724A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480035012.6
申请日：2014-06-25
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23D65/00 , B28D5/0011 , B28D5/022 , H01L21/3043 , H01L33/0095
Abstract: 切割部件的末端形状的设计方法包括如下各工序：在基板的正面上形成正面侧的沟槽；以及利用具有比正面侧的沟槽的宽度大的厚度的旋转切割部件来从基板的背面形成与正面侧的沟槽连通的背面侧的沟槽，从而将基板划片为半导体芯片。该设计方法包括如下各工序：准备末端部具有不同锥度的多个切割部件；准备具有相同形状的多个正面侧的沟槽；对于多个切割部件中的每一者，确认利用切割部件形成背面侧的沟槽获得的破裂状况；以及如果确认多个切割部件包含引起破裂的切割部件和不引起破裂的切割部件这两种，则将不引起破裂的切割部件的锥度作为用于批量制造工艺的切割部件的末端形状。
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公开(公告)号：CN105702626B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510756077.6
申请日：2015-11-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种制造半导体芯片的方法以及定位切割部件的方法，制造半导体芯片的方法包括：沿着基板的切割区域在正面侧形成沟槽以及比正面侧的沟槽深的凹部，并且凹部用作用于切割部件的定位标记，切割部件沿着正面侧的沟槽从基板的背面执行切割；在基板的背面，使基板变薄以到达凹部而不到达正面侧的沟槽；利用在基板的背面露出的凹部作为定位标记，从基板的背面定位切割部件；以及利用被定位的切割部件从基板的背面侧朝向基板的正面侧的沟槽来执行切割。
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公开(公告)号：CN105590898B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201510764757.2
申请日：2015-11-10
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括步骤：形成位于衬底正面一侧的沟槽；以及利用旋转切割件从衬底背面一侧形成位于所述衬底背面一侧的与所述位于正面一侧的沟槽连通的沟槽并将所述衬底划片为多个半导体芯片，所述旋转切割件具有比所述位于正面一侧的沟槽的入口部分的宽度更厚的厚度，其中在具有不含顶面的锥形末端形状的所述切割件的顶部在沟槽宽度方向上的变化范围随着所述切割件的磨损而从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围的制造条件下，在所述变化范围从被包括在所述位于正面一侧的沟槽中的范围变为离开所述位于正面一侧的沟槽的范围之前，停止使用所述切割件。
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公开(公告)号：CN105702626A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510756077.6
申请日：2015-11-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/3043 , H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种制造半导体芯片的方法以及定位切割部件的方法，制造半导体芯片的方法包括：沿着基板的切割区域在正面侧形成沟槽以及比正面侧的沟槽深的凹部，并且凹部用作用于切割部件的定位标记，切割部件沿着正面侧的沟槽从基板的背面执行切割；在基板的背面，使基板变薄以到达凹部而不到达正面侧的沟槽；利用在基板的背面露出的凹部作为定位标记，从基板的背面定位切割部件；以及利用被定位的切割部件从基板的背面侧朝向基板的正面侧的沟槽来执行切割。
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公开(公告)号：CN111834887A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010080557.6
申请日：2020-02-05
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 一种发光装置、光学装置及信息处理装置，与在发光元件阵列的驱动元件侧设置电路元件的结构相比，容易使驱动元件与发光元件阵列靠近。发光装置具备：配线基板；发光元件阵列，具有彼此对置的第1侧面及第2侧面和连接该第1侧面与该第2侧面的彼此对置的第3侧面及第4侧面，且设置于所述配线基板上；驱动元件，设置于所述第1侧面侧的所述配线基板上，并驱动所述发光元件阵列；第1电路元件及第2电路元件，在所述第2侧面侧的所述配线基板上向沿该第2侧面的方向排列设置；及配线部件，设置于所述第3侧面侧及所述第4侧面侧，且从所述发光元件阵列的上表面电极朝向该发光元件阵列的外侧延伸。
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