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公开(公告)号：CN103733333B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201280039469.5
申请日：2012-09-03
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L23/055 , H01L21/52 , H01L23/049 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4911 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置由金属基底（6），与金属基底（6）相接合的布线基板（2），与布线基板（2)的电路图案（2a、2b）相接合的半导体芯片（1）及控制端子（5），以及与金属基底（6）相粘接的树脂壳体（20）构成。控制端子（5）由贯通树脂壳体（20）的盖部（21）的贯通部（5a），与贯通部（5a）相连的联结部（5b），以及与联结部（5b）相连的连接部（5c）构成。在控制端子（5）的贯通盖部（21）的部分上设有阻止部（5d）及切除部（5e）。阻止部（5d）与形成在盖部（21）的表面的阶梯部（21b）相接触。当贯通部（5a）贯通树脂壳体（20）的盖部（21）时，阻止部（5d）被收纳在切除部（5e）内。联结部（5b）与设置在盖部（21）的背面的凸部（21c）相接触。
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公开(公告)号：CN103210489B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201180054787.4
申请日：2011-08-19
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H05K1/181 , H01L23/043 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K1/02 , H05K1/18 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 电源模块（100）由金属基底（1）、连接至金属基底（1）的绝缘衬底（2）、连接至绝缘衬底（2）的电路图案的半导体芯片和控制端子（6）、以及接合至金属基底（1）的树脂外壳（7）所构成。该控制端子（6）包括贯穿树脂外壳（7）的盖（9）的贯穿部（6a）、连接至贯穿部（6a）的L-形成型部（6b）、和连接至L-形成型部（6b）的连接部（6c）。在控制端子（6）的部分中设置突出部（10），其贯穿盖（9）。该突出部（10）与被配置在盖（9）的表面上的突出接收部（9b）相接触。L-形成型部（6b）与设置在盖（9）的后表面上的凸起部（9c）接触。藉此，当连接器安装到控制端子（6）或从控制端子（6）上移除时，防止应力被传输至绝缘衬底（2），且可提供具有高绝缘强度的高度可靠的半导体装置。
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公开(公告)号：CN103299421B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280005041.9
申请日：2012-06-11
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 小平悦宏
CPC classification number: H01L23/10 , H01L23/053 , H01L23/34 , H01L23/36 , H01L23/49811 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在螺母套（8）的侧面形成第一突起部（10）。相对于螺母套（8）的插入方向，在第一突起部（10）的插入方向前方和插入方向后方附加第一、第二楔形部（10a、10b）。通过将第一突起部（10）的插入方向后方的楔形部（10b）压接于树脂盒（6）内的分隔板（6b）的开口部（7a），使螺母套（8）嵌合于树脂盒（6）。由此，能够使螺母套（8）的螺母（15）与独立端子（5）的安装孔（16）以高精度对位。另外，通过在树脂盒（6）的开口部（7a）入口设置第二突起部（11），并将螺母套（8）的后端部上表面压接于该第二突起部（11），能够更可靠地进行螺母套（8）与树脂盒（6）的固定。
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公开(公告)号：CN118843933A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380024528.X
申请日：2023-08-02
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 减少使用了一体地设有盖部的壳体的半导体模块中的密封材料的填充不均。半导体模块(2)包括：壳体(210)，其覆盖搭载于基座(200)的电路板(4)，该壳体具有包围电路板的外周的侧面部(211)和位于电路板的上方的盖部(212)；多个导体板(6A～6D)，其各自与电路板的导体图案电连接，并经由设于壳体的狭缝(220)而延伸到壳体的外部；以及密封材料(701、702)，其将电路板密封，壳体具有分隔部(214、215)，该分隔部配置于由盖部、侧面部以及电路板包围的区域，并配置于多个导体板之间而使多个导体板之间绝缘，分隔部在与多个导体板不重叠的位置具有缺口区间(216、217)，从而与多个导体板不重叠的部分的高度低于与多个导体板重叠的部分的高度。
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公开(公告)号：CN116960095A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310259408.X
申请日：2023-03-10
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供抑制并联连接的多个半导体芯片的电流不平衡的半导体装置。布线板在短边侧具备输出部分，在短边侧具备与半导体芯片的输出电极电连接的纵向连接部分及横向连接部分。此时，纵向连接部分从输出部分侧的端部沿着长边形成有狭缝。由此，从配置于距端子接合区最近的位置的半导体芯片输出的电流经由纵向连接部分和横向连接部分直到到达布线板的输出部分为止。该电流路径与从配置于距端子接合区最远的位置的半导体芯片输出的电流到达布线板的输出部分为止的电流路径之差变小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106997874B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201611093776.8
申请日：2016-12-01
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法。提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括：准备具备能够用焊接接合的金属部的第一部件的工序；以及在第一部件的金属部的表面涂布处理剂，形成在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。
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公开(公告)号：CN106133903B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201580015943.4
申请日：2015-09-08
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 半导体装置的控制端子(14)具有凹部(14c)。树脂壳体(15)具备与控制端子(14)的凹部(14c)卡合并固定的固定部件(152)。固定部件(152)包括：树脂块部(154)，其具有与凹部(14c)卡合的台阶部；螺母收容部(153)；以及梁部(155)，其将树脂块部(154)与螺母收容部(153)连结为一体。可安装固定部件(152)的树脂壳体主体(151)具备能够供树脂块部(154)插入的中空部。固定部件(152)的螺母收容部(153)和树脂块部(154)能够从一个方向安装到树脂壳体主体(151)上。
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公开(公告)号：CN109417068B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201780039411.3
申请日：2017-12-08
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 小平悦宏
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备在主面部具有贯通孔的端子部和设置有使端子部的主面部露出的开口的壳体部，开口具有与端子部的主面部的角对应的角部，壳体部在开口的周围具有厚壁部，所述厚壁部在构成角部的两个边上树脂厚度与相邻的角部之间的中央部相比变厚。进一步地，在壳体部也可以形成有从角部向外侧延伸的切口部。切口部的从壳体部的上表面方向观察到的外形的至少一部分可以以曲线形成。
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公开(公告)号：CN109641323A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201880003396.1
申请日：2018-03-13
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供热循环疲劳特性和润湿性优异的软钎焊材料。含有5.0质量％以上且8.0质量％以下的Sb和3.0质量％以上且5.0质量％以下的Ag、余量由Sn和不可避免的杂质组成的软钎焊材料、以及在半导体元件与基板电极之间或在半导体元件与引线框之间具备软钎焊材料熔融而得到的接合层的半导体装置。
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