公开(公告)号：CN101958345B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201010106652.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。其中该化合物半导体器件包括：单晶衬底；AlN层，形成在所述单晶衬底上；氮化物半导体的缓冲层，形成在所述AlN层上；氮化物半导体的沟道层，形成在所述缓冲层上；化合物半导体的载流子供应层，形成在所述沟道层之上；以及源电极、漏电极和栅电极，形成在所述载流子供应层之上，其中，所述AlN层和所述缓冲层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大，所述AlN层的上表面的斜度是正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101958345A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010106652.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。其中该化合物半导体器件包括：单晶衬底；AlN层，形成在所述单晶衬底上；氮化物半导体的缓冲层，形成在所述AlN层上；氮化物半导体的沟道层，形成在所述缓冲层上；化合物半导体的载流子供应层，形成在所述沟道层之上；以及源电极、漏电极和栅电极，形成在所述载流子供应层之上，其中，所述AlN层和所述缓冲层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大，所述AlN层的上表面的斜度是正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101866949B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010106630.9

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大；AlN层的上表面的斜度Rsk是正值；半导体外延衬底进一步包括：氮化物半导体的第一器件层，在氮化物半导体层上外延生长；以及氮化物半导体的第二器件层，在第一器件层上外延生长；第一器件层是沟道层，第二器件层是载流子供应层，以及氮化物半导体层的电阻系数比第一器件层的电阻系数高；单晶衬底是SiC。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101866949A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010106630.9

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大；AlN层的上表面的斜度Rsk是正值；半导体外延衬底进一步包括：氮化物半导体的第一器件层，在氮化物半导体层上外延生长；以及氮化物半导体的第二器件层，在第一器件层上外延生长；第一器件层是沟道层，第二器件层是载流子供应层，以及氮化物半导体层的电阻系数比第一器件层的电阻系数高；单晶衬底是SiC。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101276792B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810090314.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大。AlN层上表面的斜度为正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101276792A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810090314.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大。AlN层上表面的斜度为正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN103227191A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310027953.2

申请日：2013-01-24

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 田中丈士 ,  金田直树 ,  成田好伸

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种可以抑制电流崩塌的氮化物半导体外延晶片以及场效应型氮化物晶体管。氮化物半导体外延晶片（200）具备SiC基板（101）、形成在SiC基板（101）上的GaN层（103）和形成在GaN层（103）上的AlGaN层（104），GaN层（103）具有纤锌矿型的晶体结构，GaN层（103）的c轴方向的晶格常数c与GaN层（103）的a轴方向的晶格常数a的比c/a为1.6266以下。