公开(公告)号：CN101958345B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201010106652.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。其中该化合物半导体器件包括：单晶衬底；AlN层，形成在所述单晶衬底上；氮化物半导体的缓冲层，形成在所述AlN层上；氮化物半导体的沟道层，形成在所述缓冲层上；化合物半导体的载流子供应层，形成在所述沟道层之上；以及源电极、漏电极和栅电极，形成在所述载流子供应层之上，其中，所述AlN层和所述缓冲层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大，所述AlN层的上表面的斜度是正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101958345A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010106652.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。其中该化合物半导体器件包括：单晶衬底；AlN层，形成在所述单晶衬底上；氮化物半导体的缓冲层，形成在所述AlN层上；氮化物半导体的沟道层，形成在所述缓冲层上；化合物半导体的载流子供应层，形成在所述沟道层之上；以及源电极、漏电极和栅电极，形成在所述载流子供应层之上，其中，所述AlN层和所述缓冲层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大，所述AlN层的上表面的斜度是正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101276792B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810090314.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大。AlN层上表面的斜度为正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101276792A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810090314.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大。AlN层上表面的斜度为正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101866949B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010106630.9

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大；AlN层的上表面的斜度Rsk是正值；半导体外延衬底进一步包括：氮化物半导体的第一器件层，在氮化物半导体层上外延生长；以及氮化物半导体的第二器件层，在第一器件层上外延生长；第一器件层是沟道层，第二器件层是载流子供应层，以及氮化物半导体层的电阻系数比第一器件层的电阻系数高；单晶衬底是SiC。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN101866949A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010106630.9

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大；AlN层的上表面的斜度Rsk是正值；半导体外延衬底进一步包括：氮化物半导体的第一器件层，在氮化物半导体层上外延生长；以及氮化物半导体的第二器件层，在第一器件层上外延生长；第一器件层是沟道层，第二器件层是载流子供应层，以及氮化物半导体层的电阻系数比第一器件层的电阻系数高；单晶衬底是SiC。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN103022117B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210262950.2

申请日：2012-07-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  尾崎史朗 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。一个化合物半导体器件的实施方案包括：衬底；形成在衬底上的化合物半导体堆叠结构；和形成在衬底和化合物半导体堆叠结构之间的非晶绝缘膜。

公开(公告)号：CN102646702A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210035488.2

申请日：2012-02-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  宫岛丰生 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁 ,  今西健治 ,  吉川俊英 ,  渡部庆二

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：形成在基板上方的半导体层；形成在半导体层上方的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上方的电极，其中绝缘膜包括含有碳的非晶膜。

公开(公告)号：CN101378074B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200810133356.7

申请日：2008-08-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉川俊英 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F1/0288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/543

Abstract: 本发明提供了氮化物半导体器件、多尔蒂放大器和漏极压控放大器。氮化物半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的堆叠半导体结构，其包括无掺杂氮化物半导体的电子沟道层和在电子沟道层上外延地形成的n型氮化物半导体的电子供应层，该n型氮化物半导体的电子亲合势小于该无掺杂氮化物半导体的电子亲合势，并且沿着与电子供应层的界面在电子沟道层中形成二维电子气；栅电极，其对应于沟道区域而形成在堆叠半导体结构上；以及源电极和漏电极，其分别在栅电极的第一侧和第二侧、以与堆叠半导体结构相欧姆接触地形成在堆叠半导体结构上，所述堆叠半导体结构包括，在衬底和电子沟道层之间连续地并且外延地形成的n型导电层和包含Al的阻挡层。

公开(公告)号：CN101378074A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810133356.7

申请日：2008-08-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉川俊英 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03F1/0288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/543

Abstract: 本发明提供了氮化物半导体器件、多尔蒂放大器和漏极压控放大器。氮化物半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的堆叠半导体结构，其包括无掺杂氮化物半导体的电子沟道层和在电子沟道层上外延地形成的n型氮化物半导体的电子供应层，该n型氮化物半导体的电子亲合势小于该无掺杂氮化物半导体的电子亲合势，并且沿着与电子供应层的界面在电子沟道层中形成二维电子气；栅电极，其对应于沟道区域而形成在堆叠半导体结构上；以及源电极和漏电极，其分别在栅电极的第一侧和第二侧、以与堆叠半导体结构相欧姆接触地形成在堆叠半导体结构上，所述堆叠半导体结构包括，在衬底和电子沟道层之间连续地并且外延地形成的n型导电层和包含Al的阻挡层。