公开(公告)号：CN108140578B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201680061712.1

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·萨利 ,  田中启一 ,  E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  M·斯里拉姆 ,  B·J·布扬 ,  P·曼纳 ,  D·汤普森 ,  A·肖特

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 用于沉积膜的方法包含使基板表面暴露于有机基毒化剂，以相对于特征的底部优先抑制在特征的顶部的膜生长并沉积膜。可以使基板暴露于毒化剂任意次数以促进在特征中由下而上的膜生长。

公开(公告)号：CN105917445B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201580004367.3

申请日：2015-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  V·恩古耶 ,  M·巴尔西努 ,  夏立群 ,  田中启一 ,  S·D·马克斯

IPC: H01L21/205

Abstract: 提供了自对准式双图案化方法，所述方法包括特征修整。在单个批处理腔室中执行SADP工艺，在所述单个批处理腔室中，基板在处理腔室的被气体幕分开的区段之间侧向移动，使得每个区段独立地具有工艺条件。

公开(公告)号：CN105917445A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201580004367.3

申请日：2015-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  V·恩古耶 ,  M·巴尔西努 ,  夏立群 ,  田中启一 ,  S·D·马克斯

IPC: H01L21/205

Abstract: 提供了自对准式双图案化方法，所述方法包括特征修整。在单个批处理腔室中执行SADP工艺，在所述单个批处理腔室中，基板在处理腔室的被气体幕分开的区段之间侧向移动，使得每个区段独立地具有工艺条件。

公开(公告)号：CN111430224A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010350832.1

申请日：2015-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  V·恩古耶 ,  M·巴尔西努 ,  夏立群 ,  田中启一 ,  S·D·马克斯

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了自对准式双图案化方法，所述方法包括特征修整。在单个批处理腔室中执行SADP工艺，在所述单个批处理腔室中，基板在处理腔室的被气体幕分开的区段之间侧向移动，使得每个区段独立地具有工艺条件。

公开(公告)号：CN108369896A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680072606.3

申请日：2016-12-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 田中启一 ,  A·肖特 ,  M·斯里拉姆 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/027 ,  H01L21/324 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76224

Abstract: 用于填充半导体特征的间隙的方法包括将基板表面暴露于前驱物和反应物并暴露于退火环境以降低沉积的膜的湿法蚀刻速率比率，并且填充间隙。

公开(公告)号：CN111430224B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202010350832.1

申请日：2015-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  V·恩古耶 ,  M·巴尔西努 ,  夏立群 ,  田中启一 ,  S·D·马克斯

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了自对准式双图案化方法，所述方法包括特征修整。在单个批处理腔室中执行SADP工艺，在所述单个批处理腔室中，基板在处理腔室的被气体幕分开的区段之间侧向移动，使得每个区段独立地具有工艺条件。

公开(公告)号：CN108028164B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201680052156.1

申请日：2016-09-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·约德伏斯基 ,  J·C·福斯特 ,  K·贝拉 ,  S·坎德沃尔 ,  M·斯里拉姆 ,  田中启一 ,  K·竹下 ,  N·坂本 ,  T·柳川

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44

Abstract: 一种等离子体源组件，包括壳体；与壳体电连通的阻隔板，与壳体电连通的阻隔板，该阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧和第二侧，细长槽在所述场域内并且延伸穿过所述阻隔板，细长槽具有长度与宽度；以及在壳体内的RF热电极，RF热电极具有正面和背面，内周端和外周端，RF热电极的正面与阻隔板隔开以限定间隙。

公开(公告)号：CN108140578A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680061712.1

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·萨利 ,  田中启一 ,  E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  M·斯里拉姆 ,  B·J·布扬 ,  P·曼纳 ,  D·汤普森 ,  A·肖特

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45527 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76224

Abstract: 用于沉积膜的方法包含使基板表面暴露于有机基毒化剂，以相对于特征的底部优先抑制在特征的顶部的膜生长并沉积膜。可以使基板暴露于毒化剂任意次数以促进在特征中由下而上的膜生长。

公开(公告)号：CN108028164A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052156.1

申请日：2016-09-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·约德伏斯基 ,  J·C·福斯特 ,  K·贝拉 ,  S·坎德沃尔 ,  M·斯里拉姆 ,  田中启一 ,  K·竹下 ,  N·坂本 ,  T·柳川

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01J37/32623 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32752

Abstract: 一种等离子体源组件，包括壳体；与壳体电连通的阻隔板，与壳体电连通的阻隔板，该阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧和第二侧，细长槽在所述场域内并且延伸穿过所述阻隔板，细长槽具有长度与宽度；以及在壳体内的RF热电极，RF热电极具有正面和背面，内周端和外周端，RF热电极的正面与阻隔板隔开以限定间隙。