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公开(公告)号：CN113557589B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202080020204.5
申请日：2020-02-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 柯蒂斯·莱施克斯 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 本杰明·科伦坡 , 史蒂文·韦尔韦贝克
IPC: H01L21/02
Abstract: 于此描述的实施方案大体涉及在半导体基板上形成低k介电材料的方法。更具体地，于此描述的实施方案涉及在高压和低温下形成氧化硅膜的方法。形成氧化硅膜的方法包括以下步骤：将其上形成有含硅膜的基板装载到高压容器的处理区域中。方法进一步包括以下步骤：在含硅膜上形成氧化硅膜。在含硅膜上形成氧化硅膜的步骤包括以下步骤：将含硅膜在大于约1bar的压力下暴露于包括胺添加剂的氧化介质，并将高压容器保持在约100摄氏度和约550摄氏度之间的温度下。
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公开(公告)号：CN115527897A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211185197.1
申请日：2016-09-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687 , B08B7/00 , C11D11/00 , F26B21/14
Abstract: 本文描述的实施方式一般涉及并入小热质量的处理腔室，所述腔室能够实现针对超临界干燥工艺的有效温度循环。所述腔室一般包含：主体、衬垫和隔离元件，所述隔离元件能够实现使衬垫展现出相对于主体的小热质量。所述腔室还构造有用于在腔室的处理容积内产生和/或维持超临界流体的合适的设备。
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公开(公告)号：CN107799391B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201710840913.8
申请日：2013-11-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677 , B08B3/08 , B08B7/00
Abstract: 本发明的实施例大体而言涉及一种清洁基板的方法及一种基板处理设备，所述基板处理设备设以进行所述清洁基板的方法。更具体地说，本发明的实施例涉及一种以减少或消除半导体器件特征之间的线黏附负面效应的方式清洁基板的方法。本发明的其它实施例涉及一种基板处理设备，所述基板处理设备允许以减少或消除形成在基板上的半导体器件特征之间的线黏附的方式清洁基板。
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公开(公告)号：CN109219897A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201680085729.0
申请日：2016-05-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种掩模组件(100)包括：掩模框(102)及掩模屏(104)，该掩模框(102)及该掩模屏(104)两者以金属材料制成；及金属涂层(105)，该金属涂层(105)安置在该掩模框(102)及该掩模屏(104)中的一或两者的暴露面上。
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公开(公告)号：CN105051906B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201480014434.5
申请日：2014-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908
Abstract: 本发明大致关于一种薄膜半导体器件，所述器件具有形成于半导体层与一个或更多个层之间的缓冲层。在一实施方式中，薄膜半导体器件包括：半导体层，具有第一功函数及第一电子亲和力水平；缓冲层，具有比第一功函数更大的第二功函数及比第一电子亲和力水平更低的第二电子亲和力水平；以及栅介电层，具有比第二功函数更小的第三功函数及比第二电子亲和力水平更高的第三电子亲和力水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107611258A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710661170.8
申请日：2012-10-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L43/12 , H01L21/033 , H01L21/67 , H01L21/677 , G11B5/74 , G11B5/84 , H01F41/34
CPC classification number: H01F41/34 , G11B5/743 , G11B5/84 , H01L21/0332 , H01L21/67161 , H01L21/67736
Abstract: 本发明实施例提供用于形成供磁性媒体中使用的图案化磁性层的方法和设备。根据本案实施例，通过低温化学气相沉积形成的氧化硅层用以在硬掩模层中形成图案，且图案化硬掩模用以通过等离子体离子注入形成图案化磁性层。
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公开(公告)号：CN103959380B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201280057804.4
申请日：2012-10-16
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01F41/34 , G11B5/743 , G11B5/84 , H01L21/0332 , H01L21/67161 , H01L21/67736
Abstract: 本发明实施例提供用于形成供磁性媒体中使用的图案化磁性层的方法和设备。根据本案实施例，通过低温化学气相沉积形成的氧化硅层用以在硬掩模层中形成图案，且图案化硬掩模用以通过等离子体离子注入形成图案化磁性层。
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公开(公告)号：CN104995333A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008492.7
申请日：2014-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布赖恩·萨克斯顿·安德伍德 , 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 妮琴·英吉 , 罗曼·古科 , 史蒂文·韦尔韦贝克
Abstract: 提供了用于形成图案化的磁性基板的方法和装置。将图案化的抗蚀部形成于基板的磁致激活表面上。通过可流动式CVD工艺将氧化物层形成在所述图案化的抗蚀部之上。蚀刻所述氧化物层，以使所述图案化的抗蚀部的部分暴露出来。随后，使用经蚀刻的氧化物层作为掩模来对所述图案化的抗蚀部进行蚀刻，以使所述磁致激活表面的部分暴露出来。随后，通过引导能量穿过经蚀刻的抗蚀层和经蚀刻的氧化物层，对所述磁致激活表面的暴露部分的磁特性进行改性，然后，将所述经蚀刻的抗蚀层和所述经蚀刻的氧化物层从所述基板去除。
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公开(公告)号：CN104081544A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380006710.9
申请日：2013-01-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/056 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0288 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/028 , H01L31/03682 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/077 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明的实施方式大体提供硅基光电(photovoltaic；PV)装置，所述硅基光电装置包括高功函数(high work-function；HWF)缓冲层，所述HWF缓冲层设置在透明导电氧化物(transparent conductive oxide；TCO)层与p-i-n结的p型硅基层之间。所述PV装置通常具有透明基板、设置在所述透明基板上的第一TCO层、设置在所述第一TCO层上的HWF缓冲层、设置在所述高功函数缓冲层上的p-i-n结、设置在n型硅基层上的第二TCO层和设置在所述第二TCO层上的金属反射层。所述p-i-n结包括设置在p型硅基层与n型硅基层之间的本征层，并且所述p型硅基层与所述HWF缓冲层接触。
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公开(公告)号：CN103906703A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052127.7
申请日：2012-09-20
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: B05D1/007 , B05B5/04 , B22F2009/0888 , B22F2009/0892 , B22F2202/06 , D01D5/0061 , D01D5/0092 , D01D11/06 , D01F1/09 , D01F6/50
Abstract: 本发明的实施方式大体包括用于在电子纺丝工艺期间按照预定图案沉积纳米线的设备和方法。设备包括喷嘴和电压源，所述喷嘴用于容纳和喷射沉积材料，所述电压源耦接至所述喷嘴以喷射所述沉积材料。一个或更多个电场整形装置被安置以对靠近基板的电场整形，以控制所喷射的沉积材料的轨迹。所述电场整形装置使电场收敛于基板表面附近的点，以按照预定图案将沉积材料精确地沉积在基板上。所述方法包括以下步骤：施加电压到喷嘴以朝基板喷射带电的沉积材料，以及对一个或更多个电场整形以控制带电的沉积材料的轨迹。随后按照预定图案将所述沉积材料沉积在基板上。
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