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公开(公告)号：CN109075054B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201780027584.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/683
Abstract: 一种研磨模块，包括卡盘，所述卡盘具有基板接收表面和周边；以及一个或更多个研磨垫组件，所述一个或更多个研磨垫组件定位在所述卡盘的所述周边的周围，其中所述一个或更多个研磨垫组件的每一个耦合到致动器，所述致动器相对于所述基板接收表面在扫动方向、径向方向，和振荡模式中提供相应的所述研磨垫组件的移动，并且所述一个或更多个研磨垫组件的径向移动被限制为从所述卡盘的所述周边起测量的所述卡盘的半径的小于约二分之一。
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公开(公告)号：CN109155249B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201780029883.0
申请日：2017-02-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 一种研磨模块包含：夹具，所述夹具具有基板接收表面和；以及一个或更多个研磨垫组件，所述一个或更多个研磨垫组件绕着所述夹具的所述周边定位，其中所述一个或更多个研磨垫组件的每一个耦合至致动器，所述致动器提供相应的研磨垫组件相对于所述基板接收表面在以下中的一个或更多个上的移动：扫动方向、径向方向、和震荡模式，且在径向移动中限制为约小于从所述夹具的所述周边所测量的所述夹具的半径的一半。
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公开(公告)号：CN107078014B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201580055951.1
申请日：2015-09-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 在实施例中，一种等离子体源包括：第一电极，配置成用于移送一种或更多种等离子体源气体通过所述第一电极中的第一穿孔；绝缘体，设置成绕所述第一电极的外周与所述第一电极接触；以及第二电极，设置成使所述第二电极的外周抵靠所述绝缘体，使得所述第一和第二电极以及所述绝缘体界定等离子体生成腔。所述第二电极配置成用于使来自所述等离子体生成腔的等离子体产物移动通过所述第二电极而前往工艺腔室。电源跨所述第一和第二电极提供电功率以在所述等离子体生成腔中利用所述一种或更多种等离子体源气体点燃等离子体，从而产生所述等离子体产物。所述第一电极、所述第二电极和所述绝缘体中的一者包括端口，所述端口提供来自所述等离子体的光学信号。
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公开(公告)号：CN115799031A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211431121.2
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于经改善的前驱物流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与远程等离子单元耦接的适配器。适配器可以包括第一端和与第一端相对的第二端。适配器可以在第一端处限定通向中心通道的开口，并且中心通道可以由第一横截表面面积来表征。适配器可以在第二端处限定从第二通道离开的出口，并且适配器可以在适配器内、在第一端与第二端之间限定中心通道与第二通道之间的过渡部。适配器可以限定过渡部与适配器的第二端之间的第三通道，并且第三通道可与中心通道和第二通道流体隔离。
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公开(公告)号：CN108962714B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201810471950.0
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于经改善的前驱物流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与远程等离子单元耦接的适配器。适配器可以包括第一端和与第一端相对的第二端。适配器可以在第一端处限定通向中心通道的开口，并且中心通道可以由第一横截表面面积来表征。适配器可以在第二端处限定从第二通道离开的出口，并且适配器可以在适配器内、在第一端与第二端之间限定中心通道与第二通道之间的过渡部。适配器可以限定过渡部与适配器的第二端之间的第三通道，并且第三通道可与中心通道和第二通道流体隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102822383B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201180009500.6
申请日：2011-02-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/50 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32431 , H01J37/3244
Abstract: 本发明实施例大致涉及用于减少基板处理腔室中的电弧与寄生等离子体的设备。所述设备大致包括具有基板支撑件、背板与喷头的处理腔室，所述基板支撑件、背板与喷头配置在所述处理腔室中。喷头悬置件将背板电耦接至喷头。导电托架耦接至背板并与喷头分隔。导电托架可包括平板、下部、上部与垂直延伸部。导电托架接触电绝缘体。
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公开(公告)号：CN109075054A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027584.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/683
Abstract: 一种研磨模块，包括卡盘，所述卡盘具有基板接收表面和周边；以及一个或更多个研磨垫组件，所述一个或更多个研磨垫组件定位在所述卡盘的所述周边的周围，其中所述一个或更多个研磨垫组件的每一个耦合到致动器，所述致动器相对于所述基板接收表面在扫动方向、径向方向，和振荡模式中提供相应的所述研磨垫组件的移动，并且所述一个或更多个研磨垫组件的径向移动被限制为从所述卡盘的所述周边起测量的所述卡盘的半径的小于约二分之一。
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公开(公告)号：CN108962714A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810471950.0
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32357 , C23C16/45536 , C23C16/45565 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32889 , H01L21/3065 , H01L21/67069
Abstract: 公开了用于经改善的前驱物流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与远程等离子单元耦接的适配器。适配器可以包括第一端和与第一端相对的第二端。适配器可以在第一端处限定通向中心通道的开口，并且中心通道可以由第一横截表面面积来表征。适配器可以在第二端处限定从第二通道离开的出口，并且适配器可以在适配器内、在第一端与第二端之间限定中心通道与第二通道之间的过渡部。适配器可以限定过渡部与适配器的第二端之间的第三通道，并且第三通道可与中心通道和第二通道流体隔离。
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公开(公告)号：CN108883515A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780019865.4
申请日：2017-03-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: B24B37/26 , B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/34 , H01L21/306
Abstract: 化学机械抛光系统包含：基板支撑件，所述基板支撑件经配置以保持基板；抛光垫组件，所述抛光垫组件包含膜及抛光垫部分，所述抛光垫部分具有抛光表面、抛光垫载具及驱动系统，所述驱动系统经配置以造成所述基板支撑件与所述抛光垫载具之间的相对运动。所述抛光垫部分在与所述抛光表面相对的一侧上结合至所述膜。所述抛光表面具有平行于所述抛光表面、比所述基板的直径小至少四倍的宽度。所述抛光垫部分的外表面包含至少一个凹部及具有顶部表面的至少一个平台部，所述顶部表面提供所述抛光表面。所述抛光表面具有多个边缘，所述多个边缘由所述至少一个凹部的侧壁与所述至少一个平台部的顶部表面之间的交会处来界定。
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公开(公告)号：CN109155249A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780029883.0
申请日：2017-02-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 一种研磨模块包含：夹具，所述夹具具有基板接收表面和；以及一个或更多个研磨垫组件，所述一个或更多个研磨垫组件绕着所述夹具的所述周边定位，其中所述一个或更多个研磨垫组件的每一个耦合至致动器，所述致动器提供相应的研磨垫组件相对于所述基板接收表面在以下中的一个或更多个上的移动：扫动方向、径向方向、和震荡模式，且在径向移动中限制为约小于从所述夹具的所述周边所测量的所述夹具的半径的一半。
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