公开(公告)号：CN101423937A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810170605.X

申请日：2008-10-16

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 亚历山大·塔姆 ,  罗纳德·史蒂文斯 ,  雅各布·W·格雷森 ,  戴维·布尔 ,  桑迪普·尼杰霍安

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明提供了一种可用做化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积的方法和装置。在一个实施例中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在多个衬底上沉积III族－氮膜。III族－前驱物，例如，三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟及诸如氨的含氮前驱物，分别传送至多个同心气体注射端口。该前驱物气体注入到混合区域中，该气体在进入包含衬底的处理容积之前在混合区域中混合。

公开(公告)号：CN101321891A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200780000263.0

申请日：2007-09-21

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 戴维·布尔 ,  洛丽·D·华盛顿

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/02

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/303

Abstract: 本发明涉及包括具有快速温度变化能力的衬底支撑结构的半导体反应腔室。本发明的方法和部件可用于衬底沉积和使用变化温度的相关工艺。根据本发明的优点，本发明的反应腔室和衬底支撑结构可在短的时间周期内改变温度，从而使得更快的处理时间。衬底支撑结构一般包括由构造为允许大于约10℃/秒的快速温度变化的材料形成的底座表面。

公开(公告)号：CN101423937B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200810170605.X

申请日：2008-10-16

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 亚历山大·塔姆 ,  罗纳德·史蒂文斯 ,  雅各布·W·格雷森 ,  戴维·布尔 ,  桑迪普·尼杰霍安

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明提供了一种可用做化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积的方法和装置。在一个实施例中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在多个衬底上沉积III族—氮膜。III族—前驱物，例如，三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟及诸如氨的含氮前驱物，分别传送至多个同心气体注射端口。该前驱物气体注入到混合区域中，该气体在进入包含衬底的处理容积之前在混合区域中混合。

公开(公告)号：CN101816061A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200780100933.6

申请日：2007-10-04

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 戴维·布尔 ,  雅各布·史密斯 ,  桑迪普·尼杰霍安 ,  洛里·华盛顿 ,  大卫·伊格尔沙姆

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/461

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/301 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明描述一种在一金属有机化学气相沉积工艺中抑制寄生微粒形成的方法。此方法包括向一反应腔室提供一基板以及向该反应腔室导入一有机金属前驱物、一微粒抑制化合物与至少一第二前驱物。第二前驱物与有机金属前驱物反应，以在基板上形成一成核层。另外，本发明描述一种在形成一III-V氮化物层期间抑制寄生微粒形成的方法。此方法包括向一反应腔室导入一含III族金属的前驱物。III族金属前驱物可以包含一卤素。也向至反应腔室导入一卤化氢气体与一含氮化合物。含氮气体与III族金属前驱物反应，以在基板上形成III-V氮化物层。

公开(公告)号：CN101911253A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980101679.0

申请日：2009-01-23

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 苏杰 ,  洛里·D·华盛顿 ,  戴维·布尔 ,  雅各布·格雷森 ,  桑迪普·尼杰霍安 ,  罗纳德·史蒂文斯

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/303 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67207

Abstract: 提供一种用来监视和控制用于组合工具的基板处理参数的方法和装置，该组合工具利用化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积。在一个实施方式中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在处理室内在多个基板上沉积Ⅲ族氮化物膜。闭环控制系统执行原位监视Ⅲ族氮化物膜生长速率并根据需要来调整膜生长参数以保持目标生长速率。在另一实施方式中，闭环控制系统对于一个或多个膜沉积系统的多个处理室执行原位监视膜生长参数。