公开(公告)号：CN105359261B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201480037406.5

申请日：2014-07-03

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·王 ,  L·林 ,  Q·贾 ,  Q·杨 ,  J·刘

IPC: H01L21/44 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/73 ,  H01L29/7802 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144

Abstract: 在所描述的示例中，形成包括底部介电层(211)和顶部介电层(212)的介电堆叠，其具有在键合焊盘(215)上方的接触孔(239)。接触孔(239)内的底部介电层(211)的外边缘延伸超过顶部介电层(212)的外边缘，以限定具有键合焊盘边缘的暴露的键合焊盘区域。第一金属层(226)被沉积。第二金属层(227)被沉积在第一金属层(226)上。第二金属层(227)被湿法刻蚀以使其从接触孔(239)中的底部介电层(211)的侧壁凹进。第一金属层(226)被湿法刻蚀以使其从顶部介电层(212)凹进。第一金属层(226)在键合焊盘边缘上方延伸到底部介电层(211)上。

公开(公告)号：CN113782508A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110642455.3

申请日：2021-06-09

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： V·S·斯里德哈兰 ,  C·D·曼纳克 ,  J·刘

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请题为“高效重分布层拓扑结构”。在一些示例中，芯片级封装(CSP)(106)包括半导体管芯(108)；邻接半导体管芯的钝化层(209)；延伸通过钝化层的通孔(210)；和邻接通孔的第一金属层(218)。CSP还包括邻接第一金属层的绝缘层(216)，其中绝缘层具有小于32400平方微米的最大水平面积的孔口(217)。CSP进一步包括邻接绝缘层并适于耦合到焊球(112)的第二金属层(224)。第二金属层在由绝缘层中的孔口限定的接触点处邻接第一金属层。

公开(公告)号：CN105359261A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480037406.5

申请日：2014-07-03

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·王 ,  L·林 ,  Q·贾 ,  Q·杨 ,  J·刘

IPC: H01L21/44 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/73 ,  H01L29/7802 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144

Abstract: 在所描述的示例中，形成包括底部介电层(211)和顶部介电层(212)的介电堆叠，其具有在键合焊盘(215)上方的接触孔(239)。接触孔(239)内的底部介电层(211)的外边缘延伸超过顶部介电层(212)的外边缘，以限定具有键合焊盘边缘的暴露的键合焊盘区域。第一金属层(226)被沉积。第二金属层(227)被沉积在第一金属层(226)上。第二金属层(227)被湿法刻蚀以使其从接触孔(239)中的底部介电层(211)的侧壁凹进。第一金属层(226)被湿法刻蚀以使其从顶部介电层(212)凹进。第一金属层(226)在键合焊盘边缘上方延伸到底部介电层(211)上。