公开(公告)号：CN105359261B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201480037406.5

申请日：2014-07-03

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·王 ,  L·林 ,  Q·贾 ,  Q·杨 ,  J·刘

IPC: H01L21/44 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/73 ,  H01L29/7802 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144

Abstract: 在所描述的示例中，形成包括底部介电层(211)和顶部介电层(212)的介电堆叠，其具有在键合焊盘(215)上方的接触孔(239)。接触孔(239)内的底部介电层(211)的外边缘延伸超过顶部介电层(212)的外边缘，以限定具有键合焊盘边缘的暴露的键合焊盘区域。第一金属层(226)被沉积。第二金属层(227)被沉积在第一金属层(226)上。第二金属层(227)被湿法刻蚀以使其从接触孔(239)中的底部介电层(211)的侧壁凹进。第一金属层(226)被湿法刻蚀以使其从顶部介电层(212)凹进。第一金属层(226)在键合焊盘边缘上方延伸到底部介电层(211)上。

公开(公告)号：CN103782386B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280043093.5

申请日：2012-07-05

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·王 ,  S·徐 ,  J·科瑞克

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/861

Abstract: 功率MOSFET（202）是在半导体器件（200）中由半导体器件的栅极输入节点（204）与功率MOSFET的栅极（206）之间的分流电阻器（208）和二极管接法MOSFET（210）的并联组合形成的。二极管接法MOSFET的栅极（212）被连接到功率MOSFET的栅极（206）。二极管接法MOSFET的源极节点和漏极节点（216,214）通过二极管（220）连接到功率MOSFET的源极节点（218）。二极管接法MOSFET的漏极节点被连接到半导体器件的栅极输入节点（204）。二极管接法MOSFET的源极节点（216）被连接到功率MOSFET的栅极（206）。功率MOSFET和二极管接法MOSFET被集成到半导体器件的衬底中，以使得二极管接法MOSFET的源极节点和漏极节点（216,214）通过pn结与功率MOSFET的源极节点（218）电隔离。

公开(公告)号：CN103782386A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280043093.5

申请日：2012-07-05

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·王 ,  S·徐 ,  J·科瑞克

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/861

Abstract: 功率MOSFET（202）是在半导体器件（200）中由半导体器件的栅极输入节点（204）与功率MOSFET的栅极（206）之间的分流电阻器（208）和二极管接法MOSFET（210）的并联组合形成的。二极管接法MOSFET的栅极（212）被连接到功率MOSFET的栅极（206）。二极管接法MOSFET的源极节点和漏极节点（216,214）通过二极管（220）连接到功率MOSFET的源极节点（218）。二极管接法MOSFET的漏极节点被连接到半导体器件的栅极输入节点（204）。二极管接法MOSFET的源极节点（216）被连接到功率MOSFET的栅极（206）。功率MOSFET和二极管接法MOSFET被集成到半导体器件的衬底中，以使得二极管接法MOSFET的源极节点和漏极节点（216,214）通过pn结与功率MOSFET的源极节点（218）电隔离。

公开(公告)号：CN102047128A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119709.0

申请日：2009-07-09

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·王 ,  Z·于

IPC: G01R19/00 ,  G01R19/14

CPC classification number: H02M7/53875 ,  G01R19/0092 ,  G01R31/42 ,  H02M2001/0009

Abstract: 在至少某些实施例中，用于确定三相换流器(102)每个电流输出的方法包括检查用于所述换流器(102)的一组初始的控制信号并且当所述控制信号中的至少两个在彼此的时间预定量内有效时，识别测量冲突(例如图6A)。如果存在测量冲突，则所述方法还包括通过偏移与该测量冲突相关的至少一个控制信号的位置来向换流器提供第一组修改的控制信号(例如图6C)。所述方法还包括基于第一组修改的控制信号来测量流经分流电阻器(112)的电流(例如图6A)。

公开(公告)号：CN105359261A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480037406.5

申请日：2014-07-03

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·王 ,  L·林 ,  Q·贾 ,  Q·杨 ,  J·刘

IPC: H01L21/44 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/73 ,  H01L29/7802 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144

Abstract: 在所描述的示例中，形成包括底部介电层(211)和顶部介电层(212)的介电堆叠，其具有在键合焊盘(215)上方的接触孔(239)。接触孔(239)内的底部介电层(211)的外边缘延伸超过顶部介电层(212)的外边缘，以限定具有键合焊盘边缘的暴露的键合焊盘区域。第一金属层(226)被沉积。第二金属层(227)被沉积在第一金属层(226)上。第二金属层(227)被湿法刻蚀以使其从接触孔(239)中的底部介电层(211)的侧壁凹进。第一金属层(226)被湿法刻蚀以使其从顶部介电层(212)凹进。第一金属层(226)在键合焊盘边缘上方延伸到底部介电层(211)上。

公开(公告)号：CN102047128B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN200980119709.0

申请日：2009-07-09

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·王 ,  Z·于

IPC: G01R19/00 ,  G01R19/14

CPC classification number: H02M7/53875 ,  G01R19/0092 ,  G01R31/42 ,  H02M2001/0009

Abstract: 在至少某些实施例中，用于确定三相换流器(102)每个电流输出的方法包括检查用于所述换流器(102)的一组初始的控制信号并且当所述控制信号中的至少两个在彼此的时间预定量内有效时，识别测量冲突(例如图6A)。如果存在测量冲突，则所述方法还包括通过偏移与该测量冲突相关的至少一个控制信号的位置来向换流器提供第一组修改的控制信号(例如图6C)。所述方法还包括基于第一组修改的控制信号来测量流经分流电阻器(112)的电流(例如图6A)。