-
公开(公告)号：CN106233626A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580019713.5
申请日：2015-04-13
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03H9/54
Abstract: 在所描述的示例中，通过将每个布拉格声学反射器(112、160)的每层的厚度减小到具有基本上等于频率的波长的四分之一的厚度，大幅增加固态装配型谐振器(100)的主频率，其中上述频率是固态装配型谐振器(100)的基本谐振频率的高次谐波谐振频率。
-
公开(公告)号：CN114639717A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111523923.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本申请公开了厚缓冲层上方的p型氮化镓共形外延结构。一种半导体器件(210)包括在硅衬底(214)上的GaN FET(212)和III‑N半导体材料的缓冲层(202)，该缓冲层具有柱状区域(204)、围绕该柱状区域的过渡区域(206)和过渡区域周围的柱间区域。柱状区域(204)高于柱间区域。GaN FET(212)包括III‑N半导体材料的栅极(228)，该栅极的厚度(254)和厚度(256)大于柱状区域(204)中缓冲层(202)的顶面(200)的垂直范围的两倍。柱状区域(204)上方和过渡区域(206)上方的栅极厚度(254)(256)之间的差小于柱状表面(204)中缓冲层(202)的顶面(200)的垂直范围的一半。可以通过使用包括百分之零至百分之四十的氢气的载气的栅极MOVPE工艺在势垒层(224)上方形成III‑N半导体材料的栅极层来形成半导体器件(210)。
-
公开(公告)号：CN107533974B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201680028363.3
申请日：2016-05-09
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： N·S·德拉斯
IPC: H01L21/318 , C23C16/34 , H05K3/02
Abstract: 在所描述的示例中，一种微电子器件(102)包含高性能氮化硅层，此氮化硅层的化学计量在2原子百分比(at％)内，具有低应力为600MPa到1000MPa，并且具有小于5原子百分比的低氢含量，由LPCVD工艺形成。LPCVD工艺使用氨气NH3和二氯甲硅烷DCS气体，其比率为4比6，压力为150毫托至250毫托，并且温度为800℃至820℃。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117727627A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311722848.0
申请日：2016-04-28
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/3213 , H03H9/17 , H03H9/02 , H03H3/02
Abstract: 本申请涉及用于制造钛钨层中的特定终端角的方法。在描述的示例中，一种形成钛钨层中的终端角的方法包括提供钛钨层(702)以及将光致抗蚀刻材料施加到钛钨层(704)。光致抗蚀刻材料在散焦条件下经暴露生成抗蚀刻掩膜(706)。暴露的光致抗蚀刻材料的边缘对应于倾斜终端。使用蚀刻材料蚀刻钛钨层。蚀刻材料至少部分地蚀刻在散焦条件下被暴露的光致抗蚀刻材料。蚀刻导致钛钨层中的倾斜终端(708)。
-
公开(公告)号：CN107683521A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201680034688.2
申请日：2016-04-28
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H03H9/02015 , H01L21/32056 , H01L21/32136 , H01L21/32139 , H01L29/0657 , H01L29/41725 , H03H3/02 , H03H9/02102 , H03H9/02133 , H03H9/175 , H03H9/178 , H03H2003/025
Abstract: 在描述的示例中，一种形成钛钨层中的终端角的方法包括提供钛钨层(702)以及将光致抗蚀刻材料施加到钛钨层(704)。光致抗蚀刻材料在散焦条件下经暴露生成抗蚀刻掩膜(706)。暴露的光致抗蚀刻材料的边缘对应于倾斜终端。使用蚀刻材料蚀刻钛钨层。蚀刻材料至少部分地蚀刻在散焦条件下被暴露的光致抗蚀刻材料。蚀刻导致钛钨层中的倾斜终端(708)。
-
公开(公告)号：CN106233626B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201580019713.5
申请日：2015-04-13
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H03H9/54
Abstract: 在所描述的示例中，通过将每个布拉格声学反射器(112、160)的每层的厚度减小到具有基本上等于频率的波长的四分之一的厚度，大幅增加固态装配型谐振器(100)的主频率，其中上述频率是固态装配型谐振器(100)的基本谐振频率的高次谐波谐振频率。
-
公开(公告)号：CN107949904A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201680029951.9
申请日：2016-04-11
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H01L21/3213
CPC classification number: H03H3/02 , H03H2003/025
Abstract: 一种制备钼层的倾斜终端的方法(800)，包括提供钼层(802)，并对钼层(804)施加光刻胶材料。光刻胶材料在散焦的条件下曝光生成掩膜(806)，曝光的光刻胶材料的边缘对应于倾斜终端。用蚀刻材料蚀刻钼层，其中蚀刻材料至少部分蚀刻在散焦条件下被曝光的光刻胶材料，且其中，蚀刻产生倾斜终端(808)。
-
公开(公告)号：CN107533974A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680028363.3
申请日：2016-05-09
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： N·S·德拉斯
IPC: H01L21/318 , C23C16/34 , H05K3/02
CPC classification number: H01L29/408 , B81B3/0072 , B81B2203/0118 , B81C1/00666 , B81C2201/0167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/3245 , H01L21/823864 , H01L23/291 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/778 , H01L29/7787
Abstract: 在所描述的示例中，一种微电子器件(102)包含高性能氮化硅层，此氮化硅层的化学计量在2原子百分比(at％)内，具有低应力为600MPa到1000MPa，并且具有小于5原子百分比的低氢含量，由LPCVD工艺形成。LPCVD工艺使用氨气NH3和二氯甲硅烷DCS气体，其比率为4比6，压力为150毫托至250毫托，并且温度为800℃至820℃。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.027 seconds)
