公开(公告)号：CN101405862A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200580042625.3

申请日：2005-10-28

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 唐纳德·C·阿博特 ,  埃德加·R·祖尼加-奥尔蒂斯

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/3426 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明提供一种具有引线框的半导体装置，所述引线框由基底金属(110，例如，铜)、芯片安装垫(103)和多个引线区段(104)组成。所述区段中的每一者具有接近所述安装垫的第一末端(104a)和远离所述安装垫的第二末端(104b)。所述装置进一步具有附着于所述安装垫的半导体芯片(103)和位于所述芯片与所述第一区段末端之间的电互连(107)。封装材料(120)覆盖所述芯片、接合线和所述第一区段末端，然而使所述第二区段末端保持暴露。所述第二区段末端的至少若干部分的所述基底金属由可软焊金属层(130，例如，镍)和贵金属最外层(140，例如，钯与金的堆叠)覆盖。

公开(公告)号：CN100514586C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200680012837.1

申请日：2006-02-21

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 唐纳德·C·阿博特

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L21/44 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L21/4842 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种用于制作引线框(100)的方法，其包括：在引线框材料(108)中形成多个外部引线(122)；在所述引线框材料的所有表面上镀敷金属；以及随后在所述引线框材料中形成多个内部引线(124)。所述引线框材料可由连续金属薄片卷绕在第一线圈上的一部分组成，其中将所述连续金属薄片馈入到外部引线冲压设备中，因此形成所述外部引线(122)，并将其卷绕到第二线圈上。在形成所述多个内部引线(124)之前，将所述部分馈入到镀敷设备中并给其镀敷所述金属，且将其卷绕到第三线圈上。可将所述第三线圈退卷到内部引线冲压设备中，因此形成引线框(100)的所述内部引线(124)。清洁所述引线框(100)且随后将其卷绕到第四线圈上以便切割成多个薄片。

公开(公告)号：CN101536183A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200680043561.3

申请日：2006-09-20

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 唐纳德·C·阿博特

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49224 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有引线框的半导体装置，所述引线框具有由基底金属(105)制成的结构，其中所述结构由芯片安装垫(402)和多个引线区段(403)组成。覆盖所述基底金属的依次是：镍层(301)，其位于所述基底金属上；以及连续的贵金属层，其由位于所述镍层上的金层(201)和位于所述金层上的最外钯层(202)组成。半导体芯片(410)附接到所述芯片安装垫，且导电连接(412)从所述芯片跨接到所述引线区段。聚合包封化合物(420)覆盖所述芯片、所述连接和所述引线区段的部分。在具有直侧边的QFN装置中，所述化合物形成与未经包封的引线框表面上的最外钯层共面的表面(421)。

公开(公告)号：CN101133491A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200580048877.7

申请日：2005-12-30

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 唐纳德·C·阿博特

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/1259 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种引线框，其具有基质金属(105)、所述基质金属上的镍层(201)、所述镍层上的钯层(202)，和与所述钯层接触的最外锡层(203)，在所述锡层上的选定区域上具有开口和银层(330)。

公开(公告)号：CN101536183B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200680043561.3

申请日：2006-09-20

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 唐纳德·C·阿博特

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/49224 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有引线框的半导体装置，所述引线框具有由基底金属(105)制成的结构，其中所述结构由芯片安装垫(402)和多个引线区段(403)组成。覆盖所述基底金属的依次是：镍层(301)，其位于所述基底金属上；以及连续的贵金属层，其由位于所述镍层上的金层(201)和位于所述金层上的最外钯层(202)组成。半导体芯片(410)附接到所述芯片安装垫，且导电连接(412)从所述芯片跨接到所述引线区段。聚合包封化合物(420)覆盖所述芯片、所述连接和所述引线区段的部分。在具有直侧边的QFN装置中，所述化合物形成与未经包封的引线框表面上的最外钯层共面的表面(421)。

公开(公告)号：CN101160648A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200680012837.1

申请日：2006-02-21

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 唐纳德·C·阿博特

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L21/44 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L21/4842 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种用于制作引线框(100)的方法，其包括：在引线框材料(108)中形成多个外部引线(122)；在所述引线框材料的所有表面上镀敷金属；以及随后在所述引线框材料中形成多个内部引线(124)。所述引线框材料可由连续金属薄片卷绕在第一线圈上的一部分组成，其中将所述连续金属薄片馈入到外部引线冲压设备中，因此形成所述外部引线(122)，并将其卷绕到第二线圈上。在形成所述多个内部引线(124)之前，将所述部分馈入到镀敷设备中并给其镀敷所述金属，且将其卷绕到第三线圈上。可将所述第三线圈退卷到内部引线冲压设备中，因此形成引线框(100)的所述内部引线(124)。清洁所述引线框(100)且随后将其卷绕到第四线圈上以便切割成多个薄片。