公开(公告)号：CN101379602A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200680040280.2

申请日：2006-08-31

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 伯恩哈德·P·朗格 ,  安东尼·L·科伊尔 ,  广·X·麦

IPC: H01L21/44

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/528 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8146 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/05193 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造用于高电流半导体倒装芯片产品的低电阻低电感装置的方法。生产一结构，其包括具有金属化迹线(102)的半导体芯片(101)、与所述迹线接触的铜线，和铜凸块，所述铜凸块以有序且重复的布置位于每一线上，使得一条线的所述凸块定位在相邻线的相应凸块之间的中间位置附近。提供具有细长铜引线的衬底，所述引线具有第一和第二表面，所述引线与所述线成直角定向。使用焊接元件将每一引线的所述第一表面连接到交替线的所述相应凸块。最后，将组装件封装在模制化合物中，使得所述第二引线表面保持未经封装。

公开(公告)号：CN101379602B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200680040280.2

申请日：2006-08-31

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 伯恩哈德·P·朗格 ,  安东尼·L·科伊尔 ,  广·X·麦

IPC: H01L21/44

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/528 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8146 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/05193 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造用于高电流半导体倒装芯片产品的低电阻低电感装置的方法。生产一结构，其包括具有金属化迹线(102)的半导体芯片(101)、与所述迹线接触的铜线，和铜凸块，所述铜凸块以有序且重复的布置位于每一线上，使得一条线的所述凸块定位在相邻线的相应凸块之间的中间位置附近。提供具有细长铜引线的衬底，所述引线具有第一和第二表面，所述引线与所述线成直角定向。使用焊接元件将每一引线的所述第一表面连接到交替线的所述相应凸块。最后，将组装件封装在模制化合物中，使得所述第二引线表面保持未经封装。

公开(公告)号：CN101278401A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200680036054.7

申请日：2006-08-16

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 安东尼·L·科伊尔 ,  伯恩哈德·P·朗格

IPC: H01L29/40

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种具有低电阻和低电感的高电流半导体装置(例如用于30A到70A的QFN)，所述高电流半导体装置由模制化合物(401，具有约0.9mm的高度402)加以囊封，使得第二引线表面(110b)保持未囊封。可使用导热性粘合剂(403)将铜散热嵌片(404)附接到芯片表面(101b)。由外涂层(103)保护的芯片表面(101a)具有敷金属迹线(102)。经铜填充的窗口接触所述迹线和平行于所述迹线的铜层(105)。铜凸块(108)以有序和重复的布置形成在每一线路上，使得一个线路的凸块大约定位在相邻线路的凸块之间的中间。衬底具有与所述线路以直角定向的延长引线(110)；所述引线连接交替线路的相应凸块。