-
公开(公告)号：CN103367088A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310106485.8
申请日：2013-03-29
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/147 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J37/304 , H01J2237/24521 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01L21/265 , H01L21/67213
Abstract: 本发明提供了一种离子注入装置及其控制方法。通过多个固定式射束测量器以及可移动式或固定式射束测量装置测量离子束的纵向剖面、横向剖面及积分电流值。控制装置在离子注入前的射束电流调节阶段，根据所述固定式射束测量器以及所述可移动式或固定式射束测量装置的测量值，同时执行射束电流到所述射束电流的预设值的调节、确保横向离子束密度的均匀性所必需的横向射束尺寸的调节以及确保纵向离子注入分布的均匀性所必需的纵向射束尺寸的调节中的至少一者。
-
公开(公告)号：CN105023822B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510148755.0
申请日：2015-03-31
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3002 , H01J37/3171 , H01J2237/24514 , H01J2237/30455 , H01J2237/30488 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明提供一种控制离子照射量分布及每单位时间的离子照射量这二者的技术。离子注入装置(10)具备：射束扫描器(26)；射束测量部，能够测定晶片位置上的射束扫描方向的离子照射量分布；及控制部(60)，将用于往复扫描离子束的控制波形输出到射束扫描器(26)。控制部(60)包括：输出部，将基准控制波形输出到射束扫描器(26)；获取部，从射束测量部(50)获取对根据基准控制波形进行往复扫描的离子束而测定出的离子照射量分布；及生成部，利用所获取的离子照射量分布生成补正控制波形。控制部(60)输出被调整为离子照射量分布为目标分布且每单位时间的离子照射量分布为目标值的补正控制波形。
-
公开(公告)号：CN104425200B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201410369393.3
申请日：2014-07-30
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
Inventor： 狩谷宏行
IPC: H01J37/317 , G01R33/02
CPC classification number: H01J37/243 , G01R33/07 , G01R33/072 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/3171 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H01J2237/152 , H01J2237/24514 , H01J2237/248 , H01J2237/3045
Abstract: 本发明提供一种与磁场测定有关且有助于提高生产性的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置(100)具备配设于离子源与处理室之间的能量分析电磁铁(24)。能量分析电磁铁(24)具备：霍尔元件(110)，根据偏转磁场生成测定输出；及NMR元件(112)，生成NMR输出。离子注入装置(100)的控制部(102)具备：磁场测定部(114)，根据偏转磁场与测定输出之间已知的对应关系测定偏转磁场；磁场决定部(118)，根据NMR输出决定偏转磁场；及霍尔元件校正部(120)，利用根据NMR输出决定的偏转磁场和与该偏转磁场对应的霍尔元件(110)的新的测定输出来更新已知的对应关系。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104916518A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510104340.3
申请日：2015-03-10
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/057 , H01J2237/24514 , H01J2237/24528 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置、射束能量测定装置以及射束能量测定方法。在离子注入装置中测定离子束的能量。离子注入装置(100)中的射束能量测定装置(200)具备：平行度测定部(202)，在离子注入装置(100)的射束平行化器(36)的下游测定离子束的平行度；及能量运算部(204)，由测定出的平行度运算离子束的能量。离子注入装置(100)还可以具备控制部，该控制部根据运算出的离子束的能量控制高能量多段直线加速单元(14)，以使离子束具有目标能量。
-
公开(公告)号：CN104916518B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201510104340.3
申请日：2015-03-10
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种离子注入装置、射束能量测定装置以及射束能量测定方法。在离子注入装置中测定离子束的能量。离子注入装置(100)中的射束能量测定装置(200)具备：平行度测定部(202)，在离子注入装置(100)的射束平行化器(36)的下游测定离子束的平行度；及能量运算部(204)，由测定出的平行度运算离子束的能量。离子注入装置(100)还可以具备控制部，该控制部根据运算出的离子束的能量控制高能量多段直线加速单元(14)，以使离子束具有目标能量。
-
公开(公告)号：CN103367088B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201310106485.8
申请日：2013-03-29
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/147 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/147 , H01J37/304 , H01J2237/24521 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01L21/265 , H01L21/67213
Abstract: 本发明提供了一种离子注入装置及其控制方法。通过多个固定式射束测量器以及可移动式或固定式射束测量装置测量离子束的纵向剖面、横向剖面及积分电流值。控制装置在离子注入前的射束电流调节阶段，根据所述固定式射束测量器以及所述可移动式或固定式射束测量装置的测量值，同时执行射束电流到所述射束电流的预设值的调节、确保横向离子束密度的均匀性所必需的横向射束尺寸的调节以及确保纵向离子注入分布的均匀性所必需的纵向射束尺寸的调节中的至少一者。
-
公开(公告)号：CN105023822A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510148755.0
申请日：2015-03-31
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/3002 , H01J37/3171 , H01J2237/24514 , H01J2237/30455 , H01J2237/30488 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明提供一种控制离子照射量分布及每单位时间的离子照射量这二者的技术。离子注入装置(10)具备：射束扫描器(26)；射束测量部，能够测定晶片位置上的射束扫描方向的离子照射量分布；及控制部(60)，将用于往复扫描离子束的控制波形输出到射束扫描器(26)。控制部(60)包括：输出部，将基准控制波形输出到射束扫描器(26)；获取部，从射束测量部(50)获取对根据基准控制波形进行往复扫描的离子束而测定出的离子照射量分布；及生成部，利用所获取的离子照射量分布生成补正控制波形。控制部(60)输出被调整为离子照射量分布为目标分布且每单位时间的离子照射量分布为目标值的补正控制波形。
-
公开(公告)号：CN104425200A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410369393.3
申请日：2014-07-30
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
Inventor： 狩谷宏行
IPC: H01J37/317 , G01R33/02
CPC classification number: H01J37/243 , G01R33/07 , G01R33/072 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/3171 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H01J2237/152 , H01J2237/24514 , H01J2237/248 , H01J2237/3045
Abstract: 本发明提供一种与磁场测定有关且有助于提高生产性的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置(100)具备配设于离子源与处理室之间的能量分析电磁铁(24)。能量分析电磁铁(24)具备：霍尔元件(110)，根据偏转磁场生成测定输出；及NMR元件(112)，生成NMR输出。离子注入装置(100)的控制部(102)具备：磁场测定部(114)，根据偏转磁场与测定输出之间已知的对应关系测定偏转磁场；磁场决定部(118)，根据NMR输出决定偏转磁场；及霍尔元件校正部(120)，利用根据NMR输出决定的偏转磁场和与该偏转磁场对应的霍尔元件(110)的新的测定输出来更新已知的对应关系。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.027 seconds)
