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公开(公告)号：CN107840664B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201710846104.8
申请日：2017-09-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/599 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种硅铝氧氮陶瓷烧结体、其制法、复合基板及电子器件。本发明的硅铝氧氮陶瓷烧结体由Si6‑zAlzOzN8‑z(0＜z≤4.2)表示，开口气孔率为0.1％以下，相对密度为99.9％以上，且X射线衍射图中，硅铝氧氮陶瓷以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于硅铝氧氮陶瓷的最大峰的强度的比值为0.005以下。
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公开(公告)号：CN107840664A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710846104.8
申请日：2017-09-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/599 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/597 , B32B18/00 , C04B35/645 , C04B37/00 , C04B37/001 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/786 , C04B2235/81 , C04B2235/85 , C04B2235/87 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2237/345 , C04B2237/36 , C04B2237/368 , C04B2237/55 , C04B2237/704 , H03H9/02543 , H03H9/02574 , H03H9/145 , C04B35/622 , C04B2235/77
Abstract: 本发明涉及一种硅铝氧氮陶瓷烧结体、其制法、复合基板及电子器件。本发明的硅铝氧氮陶瓷烧结体由Si6-zAlzOzN8-z(0＜z≤4.2)表示，开口气孔率为0.1％以下，相对密度为99.9％以上，且X射线衍射图中，硅铝氧氮陶瓷以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于硅铝氧氮陶瓷的最大峰的强度的比值为0.005以下。
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公开(公告)号：CN109690943A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055823.6
申请日：2017-09-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/25 , B28B3/00 , B28B7/34 , B28B11/0845 , B32B18/00 , B32B37/10 , B32B37/18 , B32B38/0012 , B32B2250/02 , B32B2305/80 , B32B2307/10 , B32B2307/20 , B32B2307/538 , B32B2307/546 , B32B2307/72 , B32B2310/0875 , B32B2315/02 , B32B2457/00 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2237/341 , C04B2237/345 , C04B2237/52 , C04B2237/708 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02622 , H03H9/058
Abstract: 本发明的复合基板是支撑基板和功能性基板直接接合而成的复合基板，其中，支撑基板为硅铝氧氮陶瓷烧结体。支撑基板中的音速优选为5000m/s以上。支撑基板的40℃～400℃的热膨胀系数优选为3.0ppm/K以下。
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