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公开(公告)号:CN111279538B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN201880059332.3
申请日:2018-11-01
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01M10/0585 , H01M4/131 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/0562
Abstract: 提供一种全固体锂电池,其能够显著改善电池电阻和充放电时的倍率性能,并且也能够大幅改善电池制造的成品率。一种全固体锂电池,其中,该全固体锂电池具备:低角度取向正极板,其是空隙率为的锂复合氧化物烧结体板;负极板,其包含Ti、且能够以0.4V(相对于Li/Li+)以上进行锂离子的插入脱离;和固体电解质,其具有比取向正极板或负极板的熔点或分解温度低的熔点,在与取向正极板的板面垂直的方向的截面进行评价的情况下,取向正极板中包含的空隙的30%以上填充有固体电解质。
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公开(公告)号:CN111902383B
公开(公告)日:2022-12-16
申请号:CN201980018676.4
申请日:2019-03-08
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/117 , H01L21/683
Abstract: 复合烧结体具备Al2O3和MgAl2O4。该复合烧结体中的Al2O3的含有率为95.5重量%以上。该复合烧结体中的Al2O3的平均烧结粒径为2μm以上且4μm以下。该复合烧结体中的Al2O3的烧结粒径分布的标准偏差为0.35以下。该复合烧结体的堆积密度为3.94g/cm3以上且3.98g/cm3以下。该复合烧结体中的MgAl2O4与Al2O3的晶相量之比为0.003以上且0.01以下。由此,能够提供具有高耐电压及高体积电阻率的复合烧结体。
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公开(公告)号:CN113597698A
公开(公告)日:2021-11-02
申请号:CN201980093401.7
申请日:2019-10-24
Applicant: 国立大学法人名古屋工业大学 , 日本碍子株式会社
IPC: H01M10/0562 , H01B1/06 , H01G11/56
Abstract: 本发明提供一种3LiOH·Li2SO4基固体电解质,其即便在高温下长时间保持后也能够明显地抑制锂离子传导率降低。该固体电解质利用X射线衍射被鉴定为3LiOH·Li2SO4,且还包含硼。
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公开(公告)号:CN107840664A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201710846104.8
申请日:2017-09-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/599 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/597 , B32B18/00 , C04B35/645 , C04B37/00 , C04B37/001 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/786 , C04B2235/81 , C04B2235/85 , C04B2235/87 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/963 , C04B2237/345 , C04B2237/36 , C04B2237/368 , C04B2237/55 , C04B2237/704 , H03H9/02543 , H03H9/02574 , H03H9/145 , C04B35/622 , C04B2235/77
Abstract: 本发明涉及一种硅铝氧氮陶瓷烧结体、其制法、复合基板及电子器件。本发明的硅铝氧氮陶瓷烧结体由Si6-zAlzOzN8-z(0<z≤4.2)表示,开口气孔率为0.1%以下,相对密度为99.9%以上,且X射线衍射图中,硅铝氧氮陶瓷以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于硅铝氧氮陶瓷的最大峰的强度的比值为0.005以下。
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公开(公告)号:CN107135560A
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201710073140.5
申请日:2017-02-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05B3/26
CPC classification number: H05B3/283 , C04B35/581 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/021 , C04B2235/3225 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/723 , C04B2237/366 , C04B2237/408 , C04B2237/68 , C04B2237/84 , H05B1/0233 , H05B3/12 , H05B3/143 , H05B2203/017 , H05B3/265
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件。陶瓷结构体(10)在圆盘状的AlN陶瓷基体(12)的内部内置有加热电极(14)。加热电极(14)是使主成分WC中含有与AlN相比电阻率低且热膨胀系数高的金属填料(例如Ru、RuAl)而得到的。AlN陶瓷基体(12)与加热电极(14)在40~1000℃下的热膨胀系数的差值的绝对值|ΔCTE|为0.35ppm/℃以下。
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公开(公告)号:CN104072140B
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201410108395.7
申请日:2014-03-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/565 , C04B35/622 , C04B37/00
CPC classification number: H01L21/67109 , B21D53/02 , B32B9/005 , B32B37/10 , B32B38/0012 , B32B2311/00 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , C04B35/5615 , C04B35/575 , C04B35/62635 , C04B37/006 , C04B2235/3826 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/708 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68757 , Y10T29/4935
Abstract: 提供一种复合材料,所述复合材料与氮化铝之间的线性热膨胀系数差很小,并且具有足够高的导热系数、致密性和强度。本发明的致密复合材料包含含量最多的前三位的碳化硅、钛碳化硅和碳化钛,这三种物质按照含量从多到少的顺序排列,该复合材料是包含51‑68质量%的碳化硅、不含有硅化钛以及具有1%以下的开口孔隙率的复合材料。例如,该致密复合材料的特性包括:40‑570℃的平均线性热膨胀系数为5.4‑6.0ppm/K,导热系数为100W/m·K以上,以及四点弯曲强度为300MPa以上。
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公开(公告)号:CN104045347B
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201410078454.0
申请日:2014-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
CPC classification number: F28F3/12 , B23K1/0008 , B23K1/19 , C04B35/5611 , C04B35/5615 , C04B35/565 , C04B35/58092 , C04B35/645 , C04B37/006 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/404 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , F28F21/086 , H01L21/6833 , Y10T428/249969
Abstract: 提供一种复合材料,所述复合材料与氧化铝之间的线性热膨胀系数差很小,并且具有充分高的导热系数、致密性和强度。本发明的致密复合材料包含37‑60质量%的碳化硅颗粒,以及各自含量均低于所述碳化硅颗粒的质量百分比的硅化钛、钛碳化硅和碳化钛,所述致密复合材料具有1%以下的开口孔隙率。该致密复合材料的特性包括,例如40‑570℃的平均线性热膨胀系数为7.2‑8.2ppm/K,导热系数为75W/mK以上,以及四点弯曲强度为200MPa以上。
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公开(公告)号:CN106796910A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201580037418.2
申请日:2015-08-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , C04B35/10 , C04B35/50
Abstract: 陶瓷结构体10为在圆盘状的陶瓷基体12的内部内置有电极14的陶瓷结构体。陶瓷基体12是主成分为氧化铝或稀土金属氧化物的烧结体,热膨胀系数在40~1200℃下为7.5~9.5ppm/K。电极14的主成分为金属钌。电极14可以形成为片状,也可以按一笔画的要领以在整个面上扩展的方式形成图案。
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公开(公告)号:CN102822116B
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201180015911.6
申请日:2011-03-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/50 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/6262 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/5445 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9692 , H01J2237/334
Abstract: 秤量Yb2O3与SrCO3为摩尔比1:1,调制调合粉末。将该调合粉末单轴加压成形,制作为圆盘状成形体。将成形体在大气气氛中进行热处理,合成复合氧化物。将合成的复合氧化物用研钵粗粉碎,进行湿式粉碎。将粉碎后取出的浆料在氮气流中干燥,制为合成原料粉末。将该合成原料粉末单轴加压成形,制作为圆盘状成形体。将得到的成形体用热压法烧成,得到半导体制造装置用耐腐蚀性构件。该耐腐蚀性构件,由SrYb2O4晶相构成,开孔率为0.1%,NF3腐蚀速率值小于由Y2O3的晶相构成的。
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公开(公告)号:CN118891685A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202280093024.9
申请日:2022-03-30
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人名古屋工业大学
IPC: H01B1/06
Abstract: 固体电解质包含Li、M、Si及F,M为成为阳离子的元素。优选地,M为成为3价阳离子的元素,固体电解质包含组成式以LiaMbSicFd表示的成分,满足0.9(3‑x)≤a≤1.1(3‑x)、0.9(1‑x)≤b≤1.1(1‑x)、0.9x≤c≤1.1x、5.4≤d≤6.6及0<x<1。
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