一种高密度细晶粒无择优取向的W靶材及其制造方法

    公开(公告)号:CN111020508A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911336200.3

    申请日:2019-12-23

    Abstract: 本发明公开了属于磁控溅射靶材制造技术领域的一种高密度细晶粒无择优取向的W靶材及其制造方法。所述W靶材,以0.2~0.7μm的W粉为原料,封装在不锈钢或低碳钢包套内,然后通过热等静压烧结成形。热等静压烧结第一阶段,温度从室温升高至1250~1300℃,压力从0MPa升高至180~200MPa,保温保压4~6h,使得W靶坯料相对密度达到94~96%,平均晶粒尺寸10μm以内;热等静压第一阶段后去除表面包套;热等静压烧结第二阶段,继续升温至1900~2000℃,压力继续升高到190~200MPa,保温保压1~2h。最终制备的W靶材相对密度99.5%以上,平均晶粒尺寸小于20μm。

    一种大晶粒低硬度溅射钛环制备方法

    公开(公告)号:CN107904563A

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201711116637.7

    申请日:2017-11-13

    CPC classification number: C23C14/3407 C22F1/183

    Abstract: 本发明公开了一种大晶粒低硬度溅射钛环制备方法,属于磁控溅射靶材制造技术领域。步骤包括提供高纯钛锭、第一次热处理、热墩、冷轧、第二次热处理、切割、卷圆、第三次热处理。通过对钛锭进行热处理配合变形获得大晶粒低硬度溅射钛环。所述溅射钛环端口呈正“S”形,所述大晶粒的晶粒度大于200μm,所述低硬度的硬度值低于维氏硬度70。与传统的溅射钛环相比,本发明制备的钛环晶粒尺寸大,溅射环变形抗力小,方便安装和拆卸,减少了安装和拆卸过程中对溅射环表面的损伤,既提高了产品质量又降低了操作难度。

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