晶片处理工具的机器视觉检测
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117940616A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202280059840.8

    申请日:2022-08-21

    Abstract: 公开了涉及使用机器学习分类器诊断晶片处理工具的状况的示例。一示例提供了一种包含杯体的电沉积工具。杯体包含晶片界面。晶片界面包含唇形密封件以及多个电接触点。电沉积工具还包含相机,其定位成对晶片界面的至少一部分进行成像。电沉积工具还包含逻辑机以及存储机,其存储可由逻辑机执行的指令。可执行指令以经由相机获取晶片界面的图像。指令可进一步执行以从经过训练的机器学习函数获得晶片界面的图像的分类。指令可进一步执行以控制电沉积工具基于分类采取行动。

    用于薄膜光学测量的系统和方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115885372A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202280005106.3

    申请日:2022-01-04

    Abstract: 本文提供的方法可包括在半导体处理工具内照射晶片上的区域,该晶片具有对光至少为半透明且具有可测量消光系数的材料层,并且该区域为晶片的表面的第一部分,使用一个或更多检测器检测从该材料和该材料下方的表面反射的光,并产生对应于检测到的光的光学数据,通过将光学数据应用于传递函数产生关联于晶片上材料的性质的度量,该传递函数使光学数据与关联于晶片上材料的性质的度量相关,确定对处理模块的一个或更多处理参数的调整,并根据经调整的一个或更多处理参数执行或修改处理模块中的处理操作。

    电镀装置中的电流密度的控制

    公开(公告)号:CN112160003B

    公开(公告)日:2024-04-23

    申请号:CN202010770564.9

    申请日:2016-03-18

    Abstract: 本发明涉及电镀装置中的电流密度的控制。本发明的各种实施方式涉及用于电镀金属到衬底上的方法和装置。在各种情况下,参比电极可被修改以促进电镀结果的改进。修改可以涉及参比电极的形状、位置、相比于电解液的相对电导率或其它设计特征中的一个或多个。在一些具体的实施例中,参比电极可以是动态可变的,例如具有可变的形状和/或位置。在一具体的实施例中,参比电极可以由多个区段组成。本文描述的技术可根据需要被组合以用于各种应用。

    电镀装置中的电流密度的控制

    公开(公告)号:CN112160003A

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN202010770564.9

    申请日:2016-03-18

    Abstract: 本发明涉及电镀装置中的电流密度的控制。本发明的各种实施方式涉及用于电镀金属到衬底上的方法和装置。在各种情况下,参比电极可被修改以促进电镀结果的改进。修改可以涉及参比电极的形状、位置、相比于电解液的相对电导率或其它设计特征中的一个或多个。在一些具体的实施例中,参比电极可以是动态可变的,例如具有可变的形状和/或位置。在一具体的实施例中,参比电极可以由多个区段组成。本文描述的技术可根据需要被组合以用于各种应用。

    电镀装置中的电流密度的控制

    公开(公告)号:CN105986305B

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN201610156899.5

    申请日:2016-03-18

    Abstract: 本发明涉及电镀装置中的电流密度的控制。本发明的各种实施方式涉及用于电镀金属到衬底上的方法和装置。在各种情况下,参比电极可被修改以促进电镀结果的改进。修改可以涉及参比电极的形状、位置、相比于电解液的相对电导率或其它设计特征中的一个或多个。在一些具体的实施例中,参比电极可以是动态可变的,例如具有可变的形状和/或位置。在一具体的实施例中,参比电极可以由多个区段组成。本文描述的技术可根据需要被组合以用于各种应用。

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