公开(公告)号：CN113383409A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202080012167.3

申请日：2020-01-23

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 威廉·蒂 ,  金智洙 ,  艾伦·J·米勒 ,  魏莱 ,  弗兰克·Y·琳 ,  韩俊熙熙 ,  刘杰 ,  柯南·江 ,  迈克尔·约翰·马丁 ,  尼古拉斯·约翰·塞莱斯特

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 一种配置为向处理室提供用于快速交替工艺的沉积和蚀刻气体的气体输送系统包括：第一阀，该第一阀被设置为将沉积气体从沉积气体歧管经由第一孔口提供到气体分配装置的第一区域，并将沉积气体从沉积气体歧管经由直径大于第一孔口的第二孔口提供到气体分配装置的第二区域。第二阀被设置成将蚀刻气体从蚀刻气体歧管经由第三孔口提供到气体分配装置的第一区域，并且将蚀刻气体从蚀刻气体歧管经由与第三孔口具有不同的直径的第四孔口提供到气体分配装置的第二区域。

公开(公告)号：CN103534196A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023025.2

申请日：2012-05-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克 ,  弗兰克·Y·琳 ,  艾伦·J·米勒 ,  许青 ,  徐相俊 ,  咸进焕 ,  尹尚俊 ,  卡梅利娅·鲁苏

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/302 ,  C23F1/00

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3086

Abstract: 一种方法被提供用于在具有操作压强和工作偏压的等离子体处理室中蚀刻硅。该方法包括：在硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔;在侧壁上执行保护层的沉积；执行第二垂直蚀刻来将孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；执行第三蚀刻，以使所述峰缩小。

公开(公告)号：CN101584027B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200880002066.7

申请日：2008-01-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 山口叶子 ,  高尔·科塔 ,  弗兰克·Y·琳 ,  钟青华

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/32139

Abstract: 提供一种在刻蚀层中刻蚀特征的方法。在该刻蚀层上提供图案化的光阻掩膜，该光阻掩膜具有至少一个光阻线路，该光阻线路具有一对终止于线路末端的侧壁。在该至少一个光阻线路上放置聚合物层，其中在该光阻线路的该线路末端的该聚合物层的厚度大于在该光阻线路的该侧壁上的该聚合物层的厚度。将特征透过该光阻掩膜刻蚀入该刻蚀层，其中线路末端缩短(LES)比率小于或等于1。

公开(公告)号：CN103534196B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201280023025.2

申请日：2012-05-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克 ,  弗兰克·Y·琳 ,  艾伦·J·米勒 ,  许青 ,  徐相俊 ,  咸进焕 ,  尹尚俊 ,  卡梅利娅·鲁苏

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/302 ,  C23F1/00

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3086

Abstract: 一种方法被提供用于在具有操作压强和工作偏压的等离子体处理室中蚀刻硅。该方法包括：在硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔；在侧壁上执行保护层的沉积；执行第二垂直蚀刻来将孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；执行第三蚀刻，以使所述峰缩小。

公开(公告)号：CN101584027A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200880002066.7

申请日：2008-01-08

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 山口叶子 ,  高尔·科塔 ,  弗兰克·Y·琳 ,  钟青华

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/32139

Abstract: 提供一种在刻蚀层中刻蚀特征的方法。在该刻蚀层上提供图案化的光阻掩膜，该光阻掩膜具有至少一个光阻线路，该光阻线路具有一对终止于线路末端的侧壁。在该至少一个光阻线路上放置聚合物层，其中在该光阻线路的该线路末端的该聚合物层的厚度大于在该光阻线路的该侧壁上的该聚合物层的厚度。将特征透过该光阻掩膜刻蚀入该刻蚀层，其中线路末端缩短(LES)比率小于或等于1。