公开(公告)号：CN113383409A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202080012167.3

申请日：2020-01-23

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 威廉·蒂 ,  金智洙 ,  艾伦·J·米勒 ,  魏莱 ,  弗兰克·Y·琳 ,  韩俊熙熙 ,  刘杰 ,  柯南·江 ,  迈克尔·约翰·马丁 ,  尼古拉斯·约翰·塞莱斯特

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 一种配置为向处理室提供用于快速交替工艺的沉积和蚀刻气体的气体输送系统包括：第一阀，该第一阀被设置为将沉积气体从沉积气体歧管经由第一孔口提供到气体分配装置的第一区域，并将沉积气体从沉积气体歧管经由直径大于第一孔口的第二孔口提供到气体分配装置的第二区域。第二阀被设置成将蚀刻气体从蚀刻气体歧管经由第三孔口提供到气体分配装置的第一区域，并且将蚀刻气体从蚀刻气体歧管经由与第三孔口具有不同的直径的第四孔口提供到气体分配装置的第二区域。

公开(公告)号：CN103534196B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201280023025.2

申请日：2012-05-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克 ,  弗兰克·Y·琳 ,  艾伦·J·米勒 ,  许青 ,  徐相俊 ,  咸进焕 ,  尹尚俊 ,  卡梅利娅·鲁苏

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/302 ,  C23F1/00

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3086

Abstract: 一种方法被提供用于在具有操作压强和工作偏压的等离子体处理室中蚀刻硅。该方法包括：在硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔；在侧壁上执行保护层的沉积；执行第二垂直蚀刻来将孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；执行第三蚀刻，以使所述峰缩小。

公开(公告)号：CN101490810B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200780026272.7

申请日：2007-04-25

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 罗伯特·P·切比 ,  雅罗斯瓦夫·W·维尼凯克 ,  艾伦·J·米勒 ,  格拉迪斯·S·洛

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/42 ,  B44C1/22

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/3342

Abstract: 一种保护基片上有效区域的方法包括将基片设置在等离子反应器的电感耦合等离子处理室中，提供工艺气体至该等离子处理室，由该工艺气体生成等离子，利用该等离子处理该基片，从而通过以下方式保护该有效区域：将该基片的等离子电势保持在5至15伏特；和/或通过使用不含硅烷的工艺气体钝化该有效区域，该气体包括至少一种可在该基片的有效区域上形成保护层的添加剂，其中该保护层包括至少一种来自该添加剂的且已经存在于该有效区域中的元素。

公开(公告)号：CN103534196A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023025.2

申请日：2012-05-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克 ,  弗兰克·Y·琳 ,  艾伦·J·米勒 ,  许青 ,  徐相俊 ,  咸进焕 ,  尹尚俊 ,  卡梅利娅·鲁苏

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/302 ,  C23F1/00

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3086

Abstract: 一种方法被提供用于在具有操作压强和工作偏压的等离子体处理室中蚀刻硅。该方法包括：在硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔;在侧壁上执行保护层的沉积；执行第二垂直蚀刻来将孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；执行第三蚀刻，以使所述峰缩小。

公开(公告)号：CN101490810A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780026272.7

申请日：2007-04-25

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 罗伯特·P·切比 ,  雅罗斯瓦夫·W·维尼凯克 ,  艾伦·J·米勒 ,  格拉迪斯·S·洛

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/42 ,  B44C1/22

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/3342

Abstract: 一种保护基片上有效区域的方法包括将基片设置在等离子反应器的电感耦合等离子处理室中，提供工艺气体至该等离子处理室，由该工艺气体生成等离子，利用该等离子处理该基片，从而通过以下方式保护该有效区域：将该基片的等离子电势保持在5至15伏特；和/或通过使用不含硅烷的工艺气体钝化该有效区域，该气体包括至少一种可在该基片的有效区域上形成保护层的添加剂，其中该保护层包括至少一种来自该添加剂的且已经存在于该有效区域中的元素。