公开(公告)号：CN106276772A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610465132.0

申请日：2016-06-23

Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司

Inventor： A·甘德尔曼 ,  A·皮恩

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0198 ,  G04B13/02 ,  G04B13/026 ,  G04B13/027 ,  G04D99/00 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/0074 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00388

Abstract: 本发明涉及具有至少一个减少的接触面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁“博世”蚀刻，所述硅基部件特别是改进了由微加工硅基片形成的部件的摩擦性能。

公开(公告)号：CN103730411A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310574583.4

申请日：2013-11-15

Applicant: 中微半导体设备(上海)有限公司

Inventor： 严利均 ,  黄秋平 ,  许颂临

IPC: H01L21/768 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明提供一种深孔硅刻蚀方法，将待处理硅片设置在等离子体处理室中，硅片表面包括图形化的掩膜层，循环交替进行的刻蚀和沉积步骤，直到形成具有目标深度的通孔，在刻蚀步骤中通入刻蚀气体到反应腔对硅基片进行刻蚀并形成开口，在沉积步骤中通入氟碳化合物气体对刻蚀形成的开口侧壁进行保护,其特征在于在所述刻蚀步骤和沉积步骤之间还包括排气步骤，在排气步骤中停止通入刻蚀气体或沉积气体。利用本发明方法能够防止刻蚀通孔弧形侧壁的产生。

公开(公告)号：CN103534196A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023025.2

申请日：2012-05-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克 ,  弗兰克·Y·琳 ,  艾伦·J·米勒 ,  许青 ,  徐相俊 ,  咸进焕 ,  尹尚俊 ,  卡梅利娅·鲁苏

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/302 ,  C23F1/00

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3086

Abstract: 一种方法被提供用于在具有操作压强和工作偏压的等离子体处理室中蚀刻硅。该方法包括：在硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔;在侧壁上执行保护层的沉积；执行第二垂直蚀刻来将孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；执行第三蚀刻，以使所述峰缩小。

公开(公告)号：CN103420321A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310176308.7

申请日：2013-05-14

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·弗兰克 ,  P·韦尔纳 ,  L·特布耶

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0075 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00674 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0109

Abstract: 本发明涉及混合集成的构件和用于其制造的方法。本发明提出一种措施，通过该措施明显提高在实现构件（100）的MEMS结构元件（10）的微机械结构时的设计自由度，所述构件包括用于MEMS结构元件（10）的载体（20）和用于MEMS结构元件（10）的微机械结构的盖（30），其中，所述MEMS结构元件（10）通过托脚结构（21）装配在载体（20）上。根据本发明，所述MEMS结构元件（10）以层结构的形式实现并且所述MEMS结构元件（10）的微机械结构（11）延伸经过该层结构的至少两个功能层（3，5），所述至少两个功能层通过至少一个中间层（4）相互分开。

公开(公告)号：CN103832965B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201210482401.6

申请日：2012-11-23

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 蒋中伟

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/32137 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明提供一种基片刻蚀方法，其包括以下步骤：沉积作业，用以在硅槽侧壁上沉积聚合物；刻蚀作业，用以对所述硅槽侧壁进行刻蚀；重复所述沉积作业和刻蚀作业至少两次；其中，在完成所述刻蚀作业的所有循环次数的过程中，反应腔室的腔室压力按预设规则由预设的最高压力值降低至最低压力值。本发明提供的基片刻蚀方法能够避免产生侧壁伤害的问题，从而可以使侧壁形貌光滑。

公开(公告)号：CN103283005B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180061141.9

申请日：2011-12-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 罗伯特·P·谢比 ,  艾伦·切希尔 ,  加布里埃尔·鲁皮亚尔 ,  阿尔弗雷多·格拉纳多斯

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01J37/32403 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6831

Abstract: 用于在等离子体蚀刻反应器中蚀刻基板的方法可包括：(a)使用从第一工艺气体所形成的第一反应性物种在特征结构的表面上沉积聚合物，所述第一工艺气体包含聚合物形成气体，所述特征结构被形成在基板中，所述基板设置在所述蚀刻反应器中；(b)使用从第三工艺气体所形成的第三反应性物种在所述蚀刻反应器中蚀刻所述基板的所述特征结构的底表面，所述第三工艺气体包括蚀刻气体；及(c)当沉积所述聚合物时或当蚀刻所述底表面时的至少一种，用从第二工艺气体所形成的第二反应性物种轰击所述特征结构的底表面，用以当沉积所述聚合物时能移除设置在所述底表面上的至少一些所述聚合物，或用以当蚀刻所述底表面时能化学地或物理地的至少一种损坏所述底表面，所述第二工艺气体包含惰性气体、氧化气体、还原气体或所述聚合物形成气体的一或多种。

公开(公告)号：CN102459704B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201080025011.5

申请日：2010-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿兰·切斯里

IPC: C23F4/04 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81C2201/0112 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明的实施例针对衬底蚀刻方法和设备。在一实施例中，提供了一种用于在等离子体蚀刻反应器中蚀刻衬底的方法，其包括以下步骤：a)在蚀刻反应器中将聚合物沉积在衬底上；b)在蚀刻反应器中使用包括含氟气体和氧的气体混合物蚀刻衬底；c)在蚀刻反应器中使用未混合氧的含氟气体蚀刻设置在衬底上的含硅层；以及d)重复步骤a)、b)及c)，直至达到了蚀刻到含硅层内的特征结构的终点。

公开(公告)号：CN102459704A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080025011.5

申请日：2010-05-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿兰·切斯里

IPC: C23F4/04 ,  H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81C2201/0112 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明的实施例针对衬底蚀刻方法和设备。在一实施例中，提供了一种用于在等离子体蚀刻反应器中蚀刻衬底的方法，其包括以下步骤：a)在蚀刻反应器中将聚合物沉积在衬底上；b)在蚀刻反应器中使用包括含氟气体和氧的气体混合物蚀刻衬底；c)在蚀刻反应器中使用未混合氧的含氟气体蚀刻设置在衬底上的含硅层；以及d)重复步骤a)、b)及c)，直至达到了蚀刻到含硅层内的特征结构的终点。

公开(公告)号：CN106145025B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510849489.4

申请日：2015-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾李全 ,  吴常明 ,  刘世昌

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/0785

Abstract: 本发明的实施例提供了一种集成电路(IC)器件。该IC器件包括第一衬底，第一衬底具有前侧和背侧。背侧包括延伸至第一衬底内的第一空腔。介电层设置在第一衬底的背侧上，并且包括对应于第一空腔的开口以及远离开口横向延伸并且终止于气体入口凹槽处的沟槽。位于第一衬底的前侧中的凹槽从前侧向下延伸至介电层。凹槽具有邻接下部侧壁的基本垂直的上部侧壁，下部侧壁从基本垂直的侧壁至介电层上的围绕气体入口凹槽的位置处向内锥形化。共形密封剂层布置在第一衬底的前侧上方、沿着基本垂直的上部侧壁和沿着下部侧壁。密封剂层气密密封气体入口凹槽。

公开(公告)号：CN106816373A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201610830422.0

申请日：2016-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾李全 ,  吴常明

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L22/26 ,  B81C1/00587 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/30655

Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤。(a)将衬底图案化。(b)在所述图案化的衬底上形成聚合物层。(c)将所述聚合物层图案化。交替重复步骤(a)、(b)与(c)。检测等离子与步骤(a)、(b)与(c)产生的产物反应所发生的发射光的强度。所述强度的采样速度范围大体上为1pt/20ms到1pt/100ms。使用平滑函数处理所述等离子与所述产物的所述反应所发生的所述发射光的所述强度。