公开(公告)号：CN101009324A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610165929.5

申请日：2006-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上野弘明 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。

公开(公告)号：CN103219375A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310073522.X

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN102244097A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110162070.3

申请日：2006-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上野弘明 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。该氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。

公开(公告)号：CN101523614A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780038121.3

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN101185158A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200680018786.3

申请日：2006-06-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田大助 ,  田中毅 ,  上本康裕 ,  上田哲三 ,  柳原学 ,  引田正洋 ,  上野弘明

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/739 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/7786

Abstract: 在蓝宝石衬底(101)上，按顺序形成了氮化铝缓冲层(102)，不掺杂氮化钙层(103)，不掺杂氮化钙铝层(104)，p型控制层(105)，p型接线柱层(106)。还有，晶体管包括：与p型接线柱层(106)欧姆连接的栅电极(110)，设置在不掺杂氮化钙铝(AlGaN)层(104)的源电极(108)及漏电极(109)。通过向p型控制层(105)施加正电压，沟道内注入空穴，能够增加流过沟道的电流。

公开(公告)号：CN101523614B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780038121.3

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN101976684A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010273937.8

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN101976684B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010273937.8

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN100539196C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510080752.4

申请日：2005-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 引田正洋 ,  上野弘明 ,  广濑裕 ,  柳原学 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在本发明的构造中，第1源极电极(106)通过通孔(112)连接在导电性衬底(101)上，此外，还形成有第2源极电极(110)。由此，即便是在栅极电极(108)与漏极电极(107)之间施加高的反向电压，也可以效果良好地分散或缓和易于在栅极电极(108)中接近漏极电极(107)的一侧的端部产生的电场集中，故耐压增高。此外，由于作为形成元件形成层的衬底使用了导电性衬底，故在导电性衬底(101)上不需要设置贯穿到背面的通孔。因此，可以保持导电性衬底(101)所需要的强度不变地把第1源极电极(106)与背面电极(115)电连接起来。由此，实现耐压优良、强度高的由III-V族氮化物半导体构成的半导体器件。

公开(公告)号：CN1750273A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510080752.4

申请日：2005-06-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 引田正洋 ,  上野弘明 ,  广濑裕 ,  柳原学 ,  上本康裕 ,  田中毅

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在本发明的构造中，第1源极电极(106)通过通孔(112)连接在导电性衬底(101)上，此外，还形成有第2源极电极(110)。由此，即便是在栅极电极(108)与漏极电极(107)之间施加高的反向电压，也可以效果良好地分散或缓和易于在栅极电极(108)中接近漏极电极(107)的一侧的端部产生的电场集中，故耐压增高。此外，由于作为形成元件形成层的衬底使用了导电性衬底，故在导电性衬底(101)上不需要设置贯穿到背面的通孔。因此，可以保持导电性衬底(101)所需要的强度不变地把第1源极电极(106)与背面电极(115)电连接起来。由此，实现耐压优良、强度高的由III－V族氮化物半导体构成的半导体器件。