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公开(公告)号：CN102301042A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006097.7
申请日：2010-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C30B29/16 , C30B7/12 , H01L21/368
CPC classification number: H01L21/02554 , C30B7/12 , C30B29/16 , H01L21/02376 , H01L21/02444 , H01L21/02513 , H01L21/02628
Abstract: 在廉价的石墨基板上设置无定形碳层，采用电解沉积法在上述无定形碳层上使c轴取向的氧化锌的单晶生长。ZnO和GaN为相同的纤锌矿型的晶体结构，晶格失配非常小，因此，形成有单晶ZnO的石墨基板不仅能够作为用于形成ZnO半导体层的同质外延生长用的基板使用，还能够作为使用了GaN半导体层的异质外延生长用的基板使用。
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公开(公告)号：CN1906877B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580001525.6
申请日：2005-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04J14/02
CPC classification number: H04J14/005
Abstract: 本发明的编码器是通过光学CDMA编码光波长多重信号的编码器，包括L根具有多个光栅(37～47)的(L为大于等于2的整数)光纤(36、42)，和连接多条光纤(36、42)的光循环器52。被编码的码型，具有时间舱(t1～t3)，将波长λ1、λ4、λ5分配给时间舱(t1)。在各光纤中，如果从反射波长λ1的光信号的光栅到反射波长λ4的光信号的光栅的光路差在所有光纤(36、42)中互补，则其合计成为0。
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公开(公告)号：CN102326266A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008170.4
申请日：2010-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02376 , H01L21/02428 , H01L21/02444 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/32 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层，在无定形碳层上通过MOCVD法使AlN的c轴取向膜生长之后，在AlN层上形成GaN的低温生长缓冲层，在低温生长缓冲层上形成n型GaN包覆层，在n型GaN包覆层上形成由InxGa1-xN和GaN构成的多重量子阱层，在多重量子阱层上形成p型GaN包覆层，在p型GaN包覆层上形成p型GaN接触层，相对于AlN层在其上形成的低温生长缓冲层、n型GaN包覆层、多重量子阱层、p型GaN包覆层具有外延生长的结构。
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公开(公告)号：CN103168368A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180049688.7
申请日：2011-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/052
CPC classification number: H01L31/0693 , H01L31/0543 , H01L31/0687 , Y02E10/52 , Y02E10/544
Abstract: 一种利用太阳能电池产生电力的方法，具有下面的工序（a）和工序（b）。工序（a）准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的上述太阳能电池。在此，太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、隧道效应层、n型InGaP层、p型InGaP层、p型窗口层、n侧电极以及p侧电极，Z方向为上述p型GaAs层的法线方向，X方向为与Z方向正交的方向。n型GaAs层被分割为GaAs中央部、第一GaAs周边部以及第二GaAs周边部，n型InGaP层被分割为InGaP中央部、第一InGaP周边部以及第二InGaP周边部。层的厚度、宽度满足规定的不等式组（I）。工序（b）以满足以下不等式（II）的方式经由聚光透镜，使光照射于包含在p型窗口层的表面的区域（S），在n侧电极与p侧电极之间产生电位差。
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公开(公告)号：CN1906877A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001525.6
申请日：2005-10-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04J14/02
CPC classification number: H04J14/005
Abstract: 本发明的编码器是通过光学CDMA编码光波长多重信号的编码器，包括L根具有多个光栅(37～47)的(L为大于等于2的整数)光纤(36、42)，和连接多条光纤(36、42)的光循环器52。被编码的码型，具有时间舱(t1～t3)，将波长λ1、λ4、λ5分配给时间舱(t1)。在各光纤中，如果从反射波长λ1的光信号的光栅到反射波长λ4的光信号的光栅的光路差在所有光纤(36、42)中互补，则其合计成为0。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102326266B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201080008170.4
申请日：2010-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02376 , H01L21/02428 , H01L21/02444 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/32 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层，在无定形碳层上通过MOCVD法使AlN的c轴取向膜生长之后，在AlN层上形成GaN的低温生长缓冲层，在低温生长缓冲层上形成n型GaN包覆层，在n型GaN包覆层上形成由InxGa1-xN和GaN构成的多重量子阱层，在多重量子阱层上形成p型GaN包覆层，在p型GaN包覆层上形成p型GaN接触层，相对于AlN层在其上形成的低温生长缓冲层、n型GaN包覆层、多重量子阱层、p型GaN包覆层具有外延生长的结构。
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公开(公告)号：CN102326262B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201080008716.6
申请日：2010-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/042 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层，在无定形碳层上通过MOCVD法使AlN的c轴取向膜生长之后，在AlN层上形成GaN的低温生长缓冲层，在低温生长缓冲层上形成n型GaN层，在n型GaN层上形成由InxGa1-xN构成的光吸收层，在光吸收层上形成p型GaN层，在p型GaN层上形成p型GaN接触层。
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公开(公告)号：CN103155167A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180049687.2
申请日：2011-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0693 , H01L31/035281 , H01L31/0543 , H01L31/184 , Y02E10/544
Abstract: 本发明的目的在于提供具有更高转换效率的太阳能电池。本发明是使用太阳能电池产生电力的方法，具有工序（a）和工序（b）。工序（a）准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的太阳能电池。太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、p型窗口层、n侧电极和p侧电极，Z方向是p型GaAs层的法线方向，X方向是与Z方向正交的方向。n型GaAs层、p型GaAs层和p型窗口层沿Z方向层叠，p型GaAs层被夹在n型GaAs层和p型窗口层之间。n型GaAs层被分割为中央部、第一周边部和第二周边部，中央部沿X方向被夹在第一周边部和第二周边部之间。第一周边部和第二周边部具有层的形状，满足规定的不等式（I）。工序（b）以满足规定的不等式（II）的方式，经由聚光透镜照射光，使n侧电极和p侧电极之间产生电位差。
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公开(公告)号：CN102696115A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201180005185.X
申请日：2011-04-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L31/03926 , H01L31/184 , H01L31/1896 , Y02E10/544
Abstract: 将膜（103）接合到基板上（115）的方法包括：在水性液体（113）与水不溶性液体（114）之间的界面上漂浮膜（103）的步骤（A）；将基板（115）浸到水性液体（113）中的步骤（B）；将基板（115）堆叠到水性液体（113）中的膜（103）的所述一个表面上的步骤（C）；将堆叠的基板（115）和膜（103）浸到水不溶性液体（114）中并保持基板（115）堆叠在膜（103）上以将膜（103）附着至基板（115）的步骤（D）；和将堆叠的基板（115）和膜（103）从水溶性液体（114）拉起并保持基板（115）堆叠在膜（103）上以将膜（103）接合到基板（115）上的步骤（E）。
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公开(公告)号：CN102301042B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080006097.7
申请日：2010-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C30B29/16 , C30B7/12 , H01L21/368
CPC classification number: H01L21/02554 , C30B7/12 , C30B29/16 , H01L21/02376 , H01L21/02444 , H01L21/02513 , H01L21/02628
Abstract: 在廉价的石墨基板上设置无定形碳层，采用电解沉积法在上述无定形碳层上使c轴取向的氧化锌的单晶生长。ZnO和GaN为相同的纤锌矿型的晶体结构，晶格失配非常小，因此，形成有单晶ZnO的石墨基板不仅能够作为用于形成ZnO半导体层的同质外延生长用的基板使用，还能够作为使用了GaN半导体层的异质外延生长用的基板使用。
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