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公开(公告)号：CN100551208C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200410098382.2
申请日：2004-12-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B32B18/00 , C04B2237/32 , C04B2237/562 , C04B2237/62 , H01L21/481 , H01L21/4857 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/19106 , H05K1/092 , H05K3/207 , H05K3/4007 , H05K3/4629 , H05K2201/0367 , H05K2203/308
Abstract: 本发明的一种陶瓷基板制造方法包括：在收缩抑制层上设置孔的第一工序；用厚膜材料充填孔的第二工序；将充填了厚膜材料的收缩抑制层层合在准备工序中烧结的陶瓷基板最外层上，接着进行挤压由此获得层合体的第三工序；烧结层合体的第四工序；去除收缩抑制层的第五工序。由此，能增加形成在陶瓷基板最外层上突出部的种类。
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公开(公告)号：CN1627884A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410098382.2
申请日：2004-12-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B32B18/00 , C04B2237/32 , C04B2237/562 , C04B2237/62 , H01L21/481 , H01L21/4857 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/19106 , H05K1/092 , H05K3/207 , H05K3/4007 , H05K3/4629 , H05K2201/0367 , H05K2203/308
Abstract: 本发明的一种陶瓷基板制造方法包括：在收缩抑制层上设置孔的第一工序；用厚膜材料充填孔的第二工序；将充填了厚膜材料的收缩抑制层层合在准备工序中烧结的陶瓷基板最外层上，接着进行挤压由此获得层合体的第三工序；烧结层合体的第四工序；去除收缩抑制层的第五工序。由此，能增加形成在陶瓷基板最外层上突出部的种类。
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公开(公告)号：CN1665377A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510051812.X
申请日：2005-03-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/4611 , B32B18/00 , C04B35/632 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B2235/6567 , C04B2237/32 , C04B2237/343 , C04B2237/525 , C04B2237/56 , C04B2237/62 , C04B2237/66 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01L21/4857 , H01L21/4867 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种陶瓷多层基板的制造方法，其包括：在氧化铝基板(1)的两侧层叠片坯(2a，2b)而得到层叠体的第1层叠工序，其中所述氧化铝基板(1)是在比片坯(2a，2b)烧结温度更高的温度下进行过烧结的；在所述层叠体的最外层层叠于所述片坯的烧结温度下不会烧结的拘束用片坯(3a，3b)而得到第2层叠体的第2层叠工序；将所述第2层叠体于280℃～350℃范围的第1加热温度加热预定时间以去除所述片坯(2a，2b)中含有的粘合剂成分的脱粘合剂工序；于800℃～1000℃范围的温度对所述第2层叠体进行烧结的烧成工序；以及从所述第2层叠体去除所述拘束用片坯(3a，3b)的拘束层去除工序。通过脱粘合剂条件的最优化，在经过烧成的氧化铝基板(1)与未烧成的片坯(2a，2b)的层叠体中，即便使热膨胀系数不同的材料之间进行层叠，仍可防止经过烧成的氧化铝基板(1)与层叠的片坯(2a，2b)之间的分层(层间剥离)的发生。
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