公开(公告)号：CN1088911C

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN95106027.9

申请日：1995-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  冈田健治 ,  中山一郎

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/02238 ,  C23C16/48 ,  C23C16/482 ,  C23C16/484 ,  C23C16/485 ,  C23C16/486 ,  C23C16/487 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02227 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31608

Abstract: 通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片1照射电离射线或光线一边导入适当的功能性气体，在半导体基片上依次形成P型杂质层、硅单晶层、硅氧化膜和硅膜。在低于250℃的温度下，以硅膜上形成的光刻胶为掩模进行刻蚀形成由硅氧化膜构成的棚电极B和栅极绝缘膜。之后以栅电极为掩模进行刻蚀，形成由P型杂质层构成的沟道区域。通过在低于250℃的温度下边照射电离射线或光线边导入适当的气体，在栅极侧面上形成源、漏电极。

公开(公告)号：CN1121260A

公开(公告)日：1996-04-24

申请号：CN95106027.9

申请日：1995-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  冈田健治 ,  中山一郎

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L21/02238 ,  C23C16/48 ,  C23C16/482 ,  C23C16/484 ,  C23C16/485 ,  C23C16/486 ,  C23C16/487 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02227 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31608

Abstract: 通过在低于250℃的温度下一边向半导体基片1照射电离射线或光线一边导入适当的功能性气体，在半导体基片上依次形成P型杂质层、硅单晶层、硅氧化膜和硅膜。在低于250℃的温度下，以硅膜上形成的光刻胶为掩模进行刻蚀形成由硅氧化膜构成的栅电极B和栅极绝缘膜。之后以栅电极为掩模进行刻蚀，形成由P型杂质层构成的沟道区域。通过在低于250℃的温度下边照射电离射线或光线边导入适当的气体，在栅极侧面上形成源、漏电极。