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公开(公告)号：CN102738379A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210101469.5
申请日：2012-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明涉及热电转换元件的制造装置及制造方法。本发明提供能够容易地实现高密度排列热电转换元件和确保连接可靠性的热电转换元件的制造装置。在吸升p型或n型的热电转换材料而填充到耐热性绝缘材料制造的管子(102)的内部的热电转换元件的制造装置中，包括在吸升溶化了的热电转换材料之前，能够将管(102)加热到规定的温度的预加热装置(205)。将由预加热装置(205)加热而被调整了温度条件的管子(102)插入坩埚(204)中，通过减压装置(201)将溶化了的热电转换材料向该管子(102)的内部吸起。
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公开(公告)号：CN107195768A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710075617.3
申请日：2017-02-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及热电转换材料及其制造方法。本发明得到一种在高温区域内热电转换性能高的方钴矿型材料。一种热电转换材料，其含有由下述组成式(I)表示的方钴矿型材料：IxGayM4Pn12…(I)(组成式(I)中，x和y分别满足0.04≤x≤0.11、0.11≤y≤0.34和x＜y，I表示选自由In、Yb、Eu、Ce、La、Nd、Ba和Sr构成的组中的一种以上元素，M表示选自由Co、Rh、Ir、Fe、Ni、Pt、Pd、Ru和Os构成的组中的一种以上元素，Pn表示选自由Sb、As、P、Te、Sn、Bi、Ge、Se和Si构成的组中的一种以上元素)。
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公开(公告)号：CN101667513A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910173337.1
申请日：2009-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明提供一种等离子显示面板的制造方法，抑制狭缝涂敷法的“凹陷现象”，并且，用不含有聚合物的原料形成保护层。其特征为，保护层的形成包括：(i)通过溅射法或蒸镀法等在形成于基板上的电介质层上形成第一保护层的工序；(ii)在第一保护层上涂敷MgO原料而形成MgO原料层的工序；及(iii)使MgO原料层干燥并由MgO原料层得到第二保护层的工序，MgO原料含有MgO粉状体、溶剂A、溶剂B而成，溶剂A的20℃下的蒸汽压为50Pa以上、溶剂B的20℃下的蒸汽压为7Pa以下，另外，溶剂B相对于全部溶剂的比例为3重量％以上。
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公开(公告)号：CN101681756B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200980000204.2
申请日：2009-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明涉及一种等离子显示面板的制造方法，该等离子显示面板具有：在电介质层上形成了保护层的前面板；和按照形成放电空间的方式与该前面板对置配置，且设置有对放电空间进行划分的隔壁的背面板；前面板的保护层通过在电介质层上蒸镀了基底膜之后，在该基底膜上涂敷分散有由金属氧化物构成的多个结晶粒子凝集而成的凝集粒子的挥发性溶剂，并随后进行减压干燥，由此在基底膜上附着形成凝集粒子。
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公开(公告)号：CN101226866B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810003169.7
申请日：2008-01-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种PDP，其具有形成于基板(103)上的显示电极(106)、电介质层(107)和保护膜(108)，保护膜(108)为包含氧化镁的金属氧化膜，且保护膜(108)的任意点的膜厚、和任意点的通过阴极发光法测出的发光波长400nm到450nm之间的最大发光强度(A2)与发光波长330nm到370nm之间的最大发光强度(A1)的比率(A2/A1)之积，作为保护膜(108)的面内分布在±15％以内的偏差范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100561637C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200680001400.8
申请日：2006-11-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J9/20 , C23C14/0021 , C23C14/081 , C23C14/568 , H01J11/10 , H01J11/40
Abstract: 一种等离子显示面板的制造方法。其中的成膜装置具有：在形成有显示电极和电介质层的前面基板(3)的形成有电介质层的面上形成保护膜的蒸镀室(21)；在蒸镀室(21)内搬送前面基板(3)的传送部(25)；向蒸镀室(21)内导入含H2O的气体的气体导入部(29a、29b)；测量比蒸镀室(21)的成膜空间的中央更向所述前面基板(3)的传送方向的下游侧的蒸镀室(21)内的规定的气体的分压的分压检测部(29c)；以控制在分压检测部(29c)的气体的分压的方式从气体导入部(29a、29b)导入含H2O的气体。
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公开(公告)号：CN101226866A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810003169.7
申请日：2008-01-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种PDP，其具有形成于基板(103)上的显示电极(106)、电介质层(107)和保护膜(108)，保护膜(108)为包含氧化镁的金属氧化膜，且保护膜(108)的任意点的膜厚、和任意点的通过阴极发光法测出的发光波长400nm到450nm之间的最大发光强度(A2)与发光波长330nm到370nm之间的最大发光强度(A1)的比率(A2/A1)之积，作为保护膜(108)的面内分布在±15％以内的偏差范围内。
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公开(公告)号：CN101080797A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200680001400.8
申请日：2006-11-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J9/20 , C23C14/0021 , C23C14/081 , C23C14/568 , H01J11/10 , H01J11/40
Abstract: 一种等离子显示面板的制造方法。其中的成膜装置具有：在形成有显示电极和电介质层的前面基板(3)的形成有电介质层的面上形成保护膜的蒸镀室(21)；在蒸镀室(21)内搬送前面基板(3)的传送部(25)；向蒸镀室(21)内导入含H2O的气体的气体导入部(29a、29b)；测量比蒸镀室(21)的成膜空间的中央更向所述前面基板(3)的传送方向的下游侧的蒸镀室(21)内的规定的气体的分压的分压检测部(29c)；以控制在分压检测部(29c)的气体的分压的方式从气体导入部(29a、29b)导入含H2O的气体。
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公开(公告)号：CN107195768B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710075617.3
申请日：2017-02-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及热电转换材料及其制造方法。本发明得到一种在高温区域内热电转换性能高的方钴矿型材料。一种热电转换材料，其含有由下述组成式(I)表示的方钴矿型材料：IxGayM4Pn12…(I)(组成式(I)中，x和y分别满足0.04≤x≤0.11、0.11≤y≤0.34和x＜y，I表示选自由In、Yb、Eu、Ce、La、Nd、Ba和Sr构成的组中的一种以上元素，M表示选自由Co、Rh、Ir、Fe、Ni、Pt、Pd、Ru和Os构成的组中的一种以上元素，Pn表示选自由Sb、As、P、Te、Sn、Bi、Ge、Se和Si构成的组中的一种以上元素)。
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公开(公告)号：CN102738379B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210101469.5
申请日：2012-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明涉及热电转换元件的制造装置及制造方法。本发明提供能够容易地实现高密度排列热电转换元件和确保连接可靠性的热电转换元件的制造装置。在吸升p型或n型的热电转换材料而填充到耐热性绝缘材料制造的管子(102)的内部的热电转换元件的制造装置中，包括在吸升溶化了的热电转换材料之前，能够将管(102)加热到规定的温度的预加热装置(205)。将由预加热装置(205)加热而被调整了温度条件的管子(102)插入坩埚(204)中，通过减压装置(201)将溶化了的热电转换材料向该管子(102)的内部吸起。
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