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公开(公告)号：CN107195768B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710075617.3
申请日：2017-02-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及热电转换材料及其制造方法。本发明得到一种在高温区域内热电转换性能高的方钴矿型材料。一种热电转换材料，其含有由下述组成式(I)表示的方钴矿型材料：IxGayM4Pn12…(I)(组成式(I)中，x和y分别满足0.04≤x≤0.11、0.11≤y≤0.34和x＜y，I表示选自由In、Yb、Eu、Ce、La、Nd、Ba和Sr构成的组中的一种以上元素，M表示选自由Co、Rh、Ir、Fe、Ni、Pt、Pd、Ru和Os构成的组中的一种以上元素，Pn表示选自由Sb、As、P、Te、Sn、Bi、Ge、Se和Si构成的组中的一种以上元素)。
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公开(公告)号：CN107195768A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710075617.3
申请日：2017-02-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及热电转换材料及其制造方法。本发明得到一种在高温区域内热电转换性能高的方钴矿型材料。一种热电转换材料，其含有由下述组成式(I)表示的方钴矿型材料：IxGayM4Pn12…(I)(组成式(I)中，x和y分别满足0.04≤x≤0.11、0.11≤y≤0.34和x＜y，I表示选自由In、Yb、Eu、Ce、La、Nd、Ba和Sr构成的组中的一种以上元素，M表示选自由Co、Rh、Ir、Fe、Ni、Pt、Pd、Ru和Os构成的组中的一种以上元素，Pn表示选自由Sb、As、P、Te、Sn、Bi、Ge、Se和Si构成的组中的一种以上元素)。
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公开(公告)号：CN103857198A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310524783.9
申请日：2013-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05K3/32
Abstract: 本发明的目的在于提供一种配线电路的形成方法，在以上表面形成有凹部的基板为对象的基于描画涂敷的配线电路的形成中，能够通过简单的涂敷机构使生产性提高。在形成从台阶差上端部（12a）到台阶差下端部（12b）的台阶差面电路（13b）时，使排出嘴一边排出粘性体（P）一边在水平方向上移动而将两端分别被台阶差上端部（12a）以及排出嘴保持的粘性体的线状体（P*）悬空地形成，然后，停止粘性体（P）的排出并将线状体（P*）和排出嘴的结合部切断，使线状体（P*）绕台阶差上端部（12a）垂下并附着在台阶差面（12）上。由此，在以形成有凹部（10）的基板（3）为对象的基于描画涂敷的配线电路（13）的形成中，能够通过简单的涂敷机构来提高生产性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102714202A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180005243.9
申请日：2011-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/49537 , B29C45/14221 , B29C45/14655 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/367 , H01L23/4334 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/66 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48464 , H01L2224/4903 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的目的在于提供一种小型且可靠性高的半导体装置。包括：树脂制的外壳(4)、第一引线框架(1)、及第二引线框架(2)，第一引线框架(1)包括：第一继电器引线(1b)；第一冲模垫部(1c)，该第一冲模垫部(1c)上安装有功率元件(T1)；以及第一外部连接引线(1a1)，该第一外部连接引线(1a1)的端部从外壳(4)突出，第二引线框架(2)包括：第二继电器引线(2b)；第二冲模垫部(2c)，该第二冲模垫部(2c)上安装有功率元件(T2)；以及第二外部连接引线(2a)，该第二外部连接引线(2a)的端部从外壳(4)突出，利用接合部来使第一冲模垫部(1c)与第二冲模垫部(2c)相互连接，或者利用接合部来使第一外部连接引线(1a)和第二继电器引线(2b)相互连接，从与第一继电器引线(1b)的接合部开始延伸的第二继电器引线(2b)的端部、与第二冲模垫部(2c)的悬空引线的端部(2e)中的至少一者位于外壳(4)的内部。
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公开(公告)号：CN102714202B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201180005243.9
申请日：2011-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/49537 , B29C45/14221 , B29C45/14655 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/367 , H01L23/4334 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/66 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48464 , H01L2224/4903 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的目的在于提供一种小型且可靠性高的半导体装置。包括：树脂制的外壳(4)、第一引线框架(1)、及第二引线框架(2)，第一引线框架(1)包括：第一继电器引线(1b)；第一冲模垫部(1c)，该第一冲模垫部(1c)上安装有功率元件(T1)；以及第一外部连接引线(1a1)，该第一外部连接引线(1a1)的端部从外壳(4)突出，第二引线框架(2)包括：第二继电器引线(2b)；第二冲模垫部(2c)，该第二冲模垫部(2c)上安装有功率元件(T2)；以及第二外部连接引线(2a)，该第二外部连接引线(2a)的端部从外壳(4)突出，利用接合部来使第一冲模垫部(1c)与第二冲模垫部(2c)相互连接，或者利用接合部来使第一外部连接引线(1a)和第二继电器引线(2b)相互连接，从与第一继电器引线(1b)的接合部开始延伸的第二继电器引线(2b)的端部、与第二冲模垫部(2c)的悬空引线的端部(2e)中的至少一者位于外壳(4)的内部。
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公开(公告)号：CN103430307A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280011342.2
申请日：2012-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/02 , H01L23/053 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/495 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/66 , H01L24/85 , H01L25/162 , H01L25/165 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H05K3/306 , H05K2201/10166 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/2076 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
Abstract: 半导体装置包括外包装体（1）、块模块（2）、以及对功率半导体元件（11a）进行控制的控制基板（3）。块模块（2）内置有功率半导体元件（11a），并引出有第二引线（4b）以及第一引线（4a）。外包装体（1）具有与所放置的块模块（2）的第一引线（4a）相抵接的外部连接端子（6a），第二引线（4b）与控制基板（3）相连，第一引线（4a）与外部连接端子（6a）接合。
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公开(公告)号：CN102725844A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180006838.6
申请日：2011-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B21D39/032 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/45014 , H01L2224/451 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种导电通路。该导电通路包括由第一金属制成且具有通孔(13)的第一导电通路形成板(11)、以及由第二金属制成且具有被压入通孔内的压入部(17)的第二导电通路形成板(15)。通孔的壁面和压入部的侧面形成相对于第一导电通路形成板和第二导电通路形成板彼此的重叠面的法线倾斜的倾斜接合面(18)，在该倾斜接合面的附近区域形成有由金属流动产生的接合部(25)。
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公开(公告)号：CN202845265U
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201220444615.X
申请日：2012-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/743 , H01L2224/743 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型提供一种膏涂敷装置，能够去除注射器的螺纹联接部的松弛并防止膏的泄漏。本实用新型的膏涂敷装置包括：筒部（31），其将旋转部件（32）以绕轴线（AZ）自如旋转的方式保持，该旋转部件（32）经由螺丝联接部拆装自如地连接设于注射器（16）下端部的膏送给口（16e），形成使设于旋转部件（32）下部的排出螺纹部（32b）嵌合的排出空间（31b），形成通过使排出螺纹部（32b）在排出空间（31b）中绕轴线（AZ）旋转而压送膏用的泵机构（18）；排出用旋转驱动机构，通过使旋转部件（32）相对于筒部（31）向规定方向相对旋转，使泵机构（18）动作，将膏从排出口（17a）排出，其中，将旋转部件（32）的膏排出时的旋转方向设定为与螺纹联接部联接时的旋转方向相反的方向。
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