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公开(公告)号：CN103384922A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201280010530.3
申请日：2012-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02458 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L33/0058 , H01L33/025 , H01L33/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H05B33/0803 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其具有发光层，发光层包含主面为m面的InxGa1-xN阱层（0＜x≤1），InxGa1-xN阱层的In组成比x的深度方向分布（depth profile）具有多个峰，多个峰中的各个峰的In组成比x的值不同。
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公开(公告)号：CN103650177A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034135.9
申请日：2012-07-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205 , H01L33/06 , H01L33/18
CPC classification number: H01L33/50 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2224/14 , H01L2924/181 , H01S5/3202 , H01S5/3407 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01L2924/00012
Abstract: 氮化镓类化合物半导体发光元件具有由一般式为AlxInyGazN(0≤x＜1、0＜y＜1、0＜z＜1、x＋y＋z＝1)的氮化物半导体形成、生长面具有非极性面或者半极性面的发光层(105)。氮化物半导体的生长面具有显示各向异性的二轴，氮化物半导体中的In组成具有在二轴中第一轴之轴方向上变化的分布，且In组成较低之区域和In组成较高之区域的交界面(51)自与第一轴垂直的面朝着生长面方向倾斜。
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公开(公告)号：CN103003964A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201280002074.8
申请日：2012-01-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/16
Abstract: 在具有活性层的氮化镓类化合物半导体发光元件中，活性层包括阱层（104）和阻挡层（103），阱层（104）和阻挡层（103）分别是以m面为生长面的半导体层，阱层（104）具有下表面和上表面，并且沿该阱层（104）的层厚方向具有In组分根据自下表面的距离而变化的In组分分布，阱层（104）的In组分在自下表面的距离一定的位置呈现出极小，阱层（104）中的In组分呈现出极小的部分与下表面平行地延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102422391A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020617.X
申请日：2010-10-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/32 , H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/3202 , H01S2304/04
Abstract: 在本发明的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法中，首先，通过有机金属气相生长法，在不同的生长条件下形成主面为非极性面或半极性面的InyGa1-yN(0＜y＜1)层。接着，基于在多个InyGa1-yN(0＜y＜1)层中形成发光波长相等的InxGa1-xN(0＜x＜1)层的生长条件，求出在压力和生长速率恒定时的生长温度和In供给摩尔比之间的关系。然后，在表示生长温度和In供给摩尔比之间的所述关系的曲线上，决定生长温度随着In供给摩尔比的增加而单调增加的区域和饱和的区域之间的饱和点。在与该饱和点对应的生长条件下，使主面为非极性面或半极性面的InxGa1-xN(0＜x＜1)层生长。
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公开(公告)号：CN102484180B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080038204.4
申请日：2010-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/16 , H01L21/205 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供一种氮化镓系化合物半导体发光元件，其具备n-GaN层(102)、p-GaN层(107)、以及位于n-GaN层(102)和p-GaN层(107)之间的GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)是包括InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)的m面半导体层，该InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)具有6nm以上且17nm以下的厚度，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)中所包含的氧原子的浓度在3.0×1017cm-3以下。
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公开(公告)号：CN103460411A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201380000993.6
申请日：2013-03-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205 , H01L33/06 , H01L33/16
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/325
Abstract: 本发明所公开的氮化物半导体发光元件是以非极性面为生长面的发光元件，GaN/InGaN多量子阱有源层（105）包括配置于InyGa1-yN（0＜y＜1）阱层（104）内的、InyGa1-yN（0＜y＜1）阱层（104）与GaN势垒层（103）之间的、或GaN势垒层（103）的InyGa1-yN（0＜y＜1）阱层（104）侧的区域的Si掺杂层（110），GaN势垒层（103）的生长方向一侧界面的Si浓度为0或低于Si掺杂层（110）的Si浓度。
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公开(公告)号：CN102422391B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201080020617.X
申请日：2010-10-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/32 , H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/3202 , H01S2304/04
Abstract: 在本发明的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法中，首先，通过有机金属气相生长法，在不同的生长条件下形成主面为非极性面或半极性面的InyGa1-yN(0＜y＜1)层。接着，基于在多个InyGa1-yN(0＜y＜1)层中形成发光波长相等的InxGa1-xN(0＜x＜1)层的生长条件，求出在压力和生长速率恒定时的生长温度和In供给摩尔比之间的关系。然后，在表示生长温度和In供给摩尔比之间的所述关系的曲线上，决定生长温度随着In供给摩尔比的增加而单调增加的区域和饱和的区域之间的饱和点。在与该饱和点对应的生长条件下，使主面为非极性面或半极性面的InxGa1-xN(0＜x＜1)层生长。
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公开(公告)号：CN102484180A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038204.4
申请日：2010-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/16 , H01L21/205 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供一种氮化镓系化合物半导体发光元件，其具备n-GaN层(102)、p-GaN层(107)、以及位于n-GaN层(102)和p-GaN层(107)之间的GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)是包括InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)的m面半导体层，该InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)具有6nm以上且17nm以下的厚度，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)中所包含的氧原子的浓度在3.0×1017cm-3以下。
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