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公开(公告)号：CN1652322A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410063491.0
申请日：2004-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F17/5081 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 本发明公开了一种面积率/占有率验证方法及图案生成方法。其目的在于：提供一种高速且高可靠性的面积率/占有率验证方法。假定在芯片的空区域或者实体内的空区域布置由工艺条件决定的虚图案，进行芯片的图案面积率或者检查窗内的图案占有率的验证。
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公开(公告)号：CN100359693C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200310102416.6
申请日：2003-10-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题是，实现防止形成接触的层及绝缘膜剥落，防止LSI遭到破坏。为此，具备在纵向和横向排列敷设多个接触的接触阵列。该接触阵列中的纵向和横向双方的接触敷设间隔比由制造工艺决定的接触敷设间隔宽。由此，可将在接触阵列中所形成的接触的个数减少至由工艺决定的每单位面积上可敷设的个数或比其少的个数，从而可实现防止形成接触的层及绝缘膜剥落，防止LSI遭到破坏。
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公开(公告)号：CN1469465A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03149423.4
申请日：2003-06-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/11807
Abstract: 一种用于多个电源的标准单元包括第一电源线以及与第一电源线电绝缘的第二电源线。一个N阱被设置为与标准单元的整个外围边界相隔离。在该标准单元被设置为在沿着电源线的方向以及与其正交的方向上相邻设置的情况中，根据情况在用于多个电源的标准单元中的N阱在沿着电源线的方向以及在与其正交的方向上与相邻标准单元的N阱相绝缘。
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公开(公告)号：CN101174609B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710169506.5
申请日：2003-10-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/02
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路及其制造方法。本发明的目的是，实现防止形成触点的层及绝缘膜剥落，防止LSI遭到破坏。为此，具备在纵向和横向排列敷设多个触点的触点阵列。该触点阵列中的纵向和横向双方的触点敷设间隔比由制造工艺决定的触点敷设间隔宽。由此，可将在触点阵列中所形成的触点的个数减少至由工艺决定的每单位面积上可敷设的个数或比其少的个数，从而可实现防止形成触点的层及绝缘膜剥落，防止LSI遭到破坏。
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公开(公告)号：CN101174609A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710169506.5
申请日：2003-10-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/02
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路及其制造方法。本发明的目的是，实现防止形成触点的层及绝缘膜剥落，防止LSI遭到破坏。为此，具备在纵向和横向排列敷设多个触点的触点阵列。该触点阵列中的纵向和横向双方的触点敷设间隔比由制造工艺决定的触点敷设间隔宽。由此，可将在触点阵列中所形成的触点的个数减少至由工艺决定的每单位面积上可敷设的个数或比其少的个数，从而可实现防止形成触点的层及绝缘膜剥落，防止LSI遭到破坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101064302A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710102009.3
申请日：2007-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/02 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/82 , H01L21/768 , G06F17/50
CPC classification number: H01L27/0203 , H01L27/118
Abstract: 本发明公开了一种具有天线保护元件的半导体装置，相比现有技术可以更适于设计制造。构成与栅极(10)连接的配线(11、12、13)的配线层(M1～M3)中，各配线被设置为不覆盖天线保护元件(17)的活性区域上方。另一方面，其上层的配线层(M4)中设置的配线(18)，被设置为至少部分覆盖天线保护元件(17)的活性区域上方。
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公开(公告)号：CN101355077A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810213099.8
申请日：2005-08-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/02 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及该半导体装置的设计方法。通过让为了达到面积率而插到布线层的空闲区域的虚设金属布线有两个或者两个以上的地方连接在VDD或者VSS的电源布线上，便既能谋求电源布线的增强，又能达到所规定的面积率。因此，本发明提供了一种确保图案的面积率大于等于规定值、执行压降对策的半导体装置以及半导体装置的设计方法。
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公开(公告)号：CN1290187C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03149423.4
申请日：2003-06-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/11807
Abstract: 一种用于多个电源的标准单元包括第一电源线以及与第一电源线电绝缘的第二电源线。一个N阱被设置为与标准单元的整个外围边界相隔离。在该标准单元被设置为在沿着电源线的方向以及与其正交的方向上相邻设置的情况中，根据情况在用于多个电源的标准单元中的N阱在沿着电源线的方向以及在与其正交的方向上与相邻标准单元的N阱相绝缘。
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公开(公告)号：CN1750251A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510092631.1
申请日：2005-08-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及该半导体装置的设计方法。通过让为了达到面积率而插到布线层的空闲区域的虚设金属布线有两个或者两个以上的地方连接在VDD或者VSS的电源布线上，便既能谋求电源布线的增强，又能达到所规定的面积率。因此，本发明提供了一种确保图案的面积率大于等于规定值、执行压降对策的半导体装置以及半导体装置的设计方法。
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公开(公告)号：CN1497723A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310102416.6
申请日：2003-10-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题是，实现防止形成接触的层及绝缘膜剥落，防止LSI遭到破坏。为此，具备在纵向和横向排列敷设多个接触的接触阵列。该接触阵列中的纵向和横向双方的接触敷设间隔比由制造工艺决定的接触敷设间隔宽。由此，可将在接触阵列中所形成的接触的个数减少至由工艺决定的每单位面积上可敷设的个数或比其少的个数，从而可实现防止形成接触的层及绝缘膜剥落，防止LSI遭到破坏。
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