公开(公告)号：CN101064302A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710102009.3

申请日：2007-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田纯一 ,  木村文浩 ,  松村阳一 ,  大桥贵子 ,  岩内宣之 ,  藤野健哉 ,  荒木章之 ,  桥本幸治 ,  安井卓也 ,  田口浩文

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L27/0203 ,  H01L27/118

Abstract: 本发明公开了一种具有天线保护元件的半导体装置，相比现有技术可以更适于设计制造。构成与栅极(10)连接的配线(11、12、13)的配线层(M1～M3)中，各配线被设置为不覆盖天线保护元件(17)的活性区域上方。另一方面，其上层的配线层(M4)中设置的配线(18)，被设置为至少部分覆盖天线保护元件(17)的活性区域上方。

公开(公告)号：CN101355077A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810213099.8

申请日：2005-08-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒木章之 ,  木村文浩 ,  嶋田纯一 ,  藤田和久

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及该半导体装置的设计方法。通过让为了达到面积率而插到布线层的空闲区域的虚设金属布线有两个或者两个以上的地方连接在VDD或者VSS的电源布线上，便既能谋求电源布线的增强，又能达到所规定的面积率。因此，本发明提供了一种确保图案的面积率大于等于规定值、执行压降对策的半导体装置以及半导体装置的设计方法。

公开(公告)号：CN101252117A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810080531.0

申请日：2008-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒木章之 ,  岛田纯一 ,  尾川广和 ,  藤本和彦 ,  藤井力 ,  安井卓也

IPC: H01L23/522 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种考虑由气隙引起的布线间寄生电容降低带来的效果和弊害、并考虑成品率而生成所需最低限度的气隙用的半导体集成电路装置的布线构造及其设计方法和设计装置。在工序(S7003)中，对布线后的输入布局数据(7001)的布线图案的每条布线的布线宽度进行检测，或检测每个区域的布线密度。然后，在工序(S7004)中，基于所述工序(S7003)的检测结果，利用由工艺确定的布线宽度/布线密度条件(7005)，确定在进行CMP时容易产生阶梯差的宽幅布线或布线密度高的区域。而后，在工序(S7006)中，确定在通过所述工序(S7004)确定的宽幅布线或布线区域的周边区域形成圆锥部高的气隙的布线间隔位置，在工序(S7007)中，基于该检测结果，生成或删除气隙生成区域。

公开(公告)号：CN1750251A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510092631.1

申请日：2005-08-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 荒木章之 ,  木村文浩 ,  嶋田纯一 ,  藤田和久

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及该半导体装置的设计方法。通过让为了达到面积率而插到布线层的空闲区域的虚设金属布线有两个或者两个以上的地方连接在VDD或者VSS的电源布线上，便既能谋求电源布线的增强，又能达到所规定的面积率。因此，本发明提供了一种确保图案的面积率大于等于规定值、执行压降对策的半导体装置以及半导体装置的设计方法。