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公开(公告)号：CN102959686B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201180030056.6
申请日：2011-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/338 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/78 , H01L23/4824 , H01L27/0605 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/42312 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体装置。氮化物半导体装置包括具有有缘区域(102A)的氮化物半导体层叠层体(102)、和呈指状的第一电极(131)及呈指状的第二电极(132)，该第一电极(131)和该第二电极(132)彼此留有间隔地形成在有缘区域(102A)上。在第一电极(131)上形成有与该第一电极(131)接触的第一电极布线(151)，在第二电极(132)上形成有与该第二电极(132)接触的第二电极布线(152)。形成有覆盖第一电极布线(151)和第二电极布线(152)的第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成有第一金属层(161)。第一金属层(161)隔着第二绝缘膜形成在有缘区域(102A)上，并与第一电极布线(151)连接。
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公开(公告)号：CN103597588A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280025683.5
申请日：2012-06-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L23/528 , H01L23/4824 , H01L23/5226 , H01L29/41758 , H01L29/42356 , H01L29/7787 , H01L29/812 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物半导体装置，具有：第一电极布线层，其在氮化物半导体层上相互平行地形成，并且在长度方向上被各自分割；第一栅极电极，其沿着第一电极布线层形成；第一栅极电极汇总布线，其形成在第一电极布线层被分割的区域，并与第一栅极电极连接；第一电极汇总布线(13a)，其形成在第一栅极电极汇总布线上，并与第一电极布线层连接；以及第一电极上层布线(20a)，其在形成于第一电极汇总布线上的布线上绝缘膜(16)上形成，并介由布线上绝缘膜的开口部而与第一电极汇总布线连接。
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公开(公告)号：CN103582939A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280027008.6
申请日：2012-06-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 海原一裕
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L23/528 , H01L23/4824 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/07 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L29/0692 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/41725 , H01L29/7787 , H01L29/812 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05027 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/06181 , H01L2224/37124 , H01L2224/37144 , H01L2224/37147 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48611 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/48671 , H01L2224/48711 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48771 , H01L2224/48811 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48855 , H01L2224/48871 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/13062 , H01L2924/13064 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/01005 , H01L2224/84
Abstract: 本发明的氮化物半导体装置具备：在氮化物半导体层之上形成的第1电极布线层以及第2电极布线层、在第1电极布线层以及第2电极布线层之上形成且具有第1开口部的第1绝缘膜、在第1绝缘膜之上形成且经由第1开口部而与第1电极布线层以及第2电极布线层分别连接的第1布线层(17a)以及第2布线层(17b)、在第1布线层以及第2布线层之上形成且具有第2开口部的第2绝缘膜(18)、和在第2绝缘膜之上形成且经由第2开口部而与第1布线层以及第2布线层分别连接的第1焊盘层(22a)以及第2焊盘层(22b)。
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公开(公告)号：CN102959686A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180030056.6
申请日：2011-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/338 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/78 , H01L23/4824 , H01L27/0605 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/42312 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体装置。氮化物半导体装置包括具有有缘区域(102A)的氮化物半导体层叠层体(102)、和呈指状的第一电极(131)及呈指状的第二电极(132)，该第一电极(131)和该第二电极(132)彼此留有间隔地形成在有缘区域(102A)上。在第一电极(131)上形成有与该第一电极(131)接触的第一电极布线(151)，在第二电极(132)上形成有与该第二电极(132)接触的第二电极布线(152)。形成有覆盖第一电极布线(151)和第二电极布线(152)的第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成有第一金属层(161)。第一金属层(161)隔着第二绝缘膜形成在有缘区域(102A)上，并与第一电极布线(151)连接。
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