公开(公告)号：CN102870207A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180021812.9

申请日：2011-07-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田丸雅规

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/11807 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/1079 ,  H01L2027/11829 ,  H01L2027/11861 ,  H01L2027/11866 ,  H01L2027/11875 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。局部布线(12)与杂质扩散区域(11)上表面相接地形成且延伸到电位供给布线(13)之下。而且，通过接触孔(14a)来电连接局部布线(12)与电位供给布线(13)。即，为了实现从杂质扩散区域(11)到电位供给布线(13)的电连接而利用与杂质扩散区域上表面相接地形成的局部布线(12)。

公开(公告)号：CN102157523B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110075444.8

申请日：2008-04-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 尾添律子 ,  谷口博树 ,  西村英敏 ,  田丸雅规 ,  近藤英明

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11807 ,  H01L27/0207

Abstract: 本发明提供一种标准单元和具有该标准单元的半导体装置。在标准单元中，信号布线(11)沿第一方向延伸。信号布线(12、13)沿实质上与第一方向垂直的第二方向延伸，且隔着信号布线(11)而对置。并且，信号布线(12、13)的布线宽度比信号布线(11)的布线宽度大。由此，对被布线端夹持的信号布线，防止由细部引起的断线，实现器件的制造成品率的提高。

公开(公告)号：CN102782835A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180011403.0

申请日：2011-02-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田丸雅规

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，可以实现既能抑制电源电压的电压降又能较大程度确保信号布线资源的电源布线构造。在第1布线层形成有电源电位布线(101a～101d)以及基板电位布线(102a～102d)，在比布线层整体的正中间靠下的下层侧的布线层形成有电源带状布线(103a、103b、104a、104b)。上方通孔部(114)与下方通孔部(112)相比，电源带状布线(103a、103b、104a、104b)延伸的方向上的配置密度变低。

公开(公告)号：CN101281906B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810091823.4

申请日：2008-04-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 尾添律子 ,  谷口博树 ,  西村英敏 ,  田丸雅规 ,  近藤英明

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11807 ,  H01L27/0207

Abstract: 本发明提供一种标准单元，其中，信号布线(11)沿第一方向延伸。信号布线(12、13)沿实质上与第一方向垂直的第二方向延伸，且隔着信号布线(11)而对置。并且，信号布线(12、13)的布线宽度比信号布线(11)的布线宽度大。由此，对被布线端夹持的信号布线，防止由细部引起的断线，实现器件的制造成品率的提高。

公开(公告)号：CN102782857B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201180012262.4

申请日：2011-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田丸雅规

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/02 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/4238 ,  H01L2027/11838

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在并排排列的栅极图案(21、22)的端部和并排排列的栅极图案(23、24)的对置端部中，栅极图案(21)的端部与栅极图案(22)的端部相比，更向栅极图案(23、24)一方突出，栅极图案(24)的对置端部与栅极图案(23)的对置端部相比，更向栅极图案(21、22)一方突出。针对缩后一方的栅极图案(22)的端部及栅极图案(23)的对置端部，按照最终形状中不产生后退的程度将修正量设定得较大。

公开(公告)号：CN102687264B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201080058540.5

申请日：2010-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田丸雅规 ,  中西和幸 ,  西村英敏

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/11807 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/11898 ,  H01L2027/11866 ,  H01L2027/11881 ,  H01L2027/1189

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在单元列(A1)的N型阱区域(NW)中设置阱电位供给区域(14n)。以同一间距配置在阱电位供给区域(14n)的横向两侧配置的相邻栅极(15a、15b)、进一步在两侧配置的相邻栅极(15c、15d)。此外，相邻单元列(A2)具有在纵向上分别与相邻栅极(15a～15d)对置的4根栅极(15e～15h)。即，阱电位供给区域(14n)周边的栅极图案维持形状规则性。

公开(公告)号：CN102782857A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180012262.4

申请日：2011-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田丸雅规

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/02 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/11807 ,  H01L29/4238 ,  H01L2027/11838

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在并排排列的栅极图案(21、22)的端部和并排排列的栅极图案(23、24)的对置端部中，栅极图案(21)的端部与栅极图案(22)的端部相比，更向栅极图案(23、24)一方突出，栅极图案(24)的对置端部与栅极图案(23)的对置端部相比，更向栅极图案(21、22)一方突出。针对缩后一方的栅极图案(22)的端部及栅极图案(23)的对置端部，按照最终形状中不产生后退的程度将修正量设定得较大。

公开(公告)号：CN102157523A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110075444.8

申请日：2008-04-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 尾添律子 ,  谷口博树 ,  西村英敏 ,  田丸雅规 ,  近藤英明

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11807 ,  H01L27/0207

Abstract: 本发明提供一种标准单元和具有该标准单元的半导体装置。在标准单元中，信号布线(11)沿第一方向延伸。信号布线(12、13)沿实质上与第一方向垂直的第二方向延伸，且隔着信号布线(11)而对置。并且，信号布线(12、13)的布线宽度比信号布线(11)的布线宽度大。由此，对被布线端夹持的信号布线，防止由细部引起的断线，实现器件的制造成品率的提高。

公开(公告)号：CN102124555A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201080002292.2

申请日：2010-08-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中西和幸 ,  田丸雅规

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0207

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其布局能够可靠地抑制因光接近效应引起的栅极长度的偏差，并且可以实现自由的布局设计。单元(C1)的栅极图案(G1、G2、G3)以相同间距配置，其终端部(e1、e2、e3)的Y方向的位置以及X方向的宽度相同。单元(C2)的栅极图案(G4)具有沿Y方向朝向单元(C1)延伸的突出部(4b)，该突出部(4b)构成了对置终端部(eo1、eo2、eo3)。对置终端部(eo1、eo2、eo3)与栅极图案(G1、G2、G3)以相同间距配置，并且对置终端部的Y方向的位置以及X方向的宽度相同。

公开(公告)号：CN102334183B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201180000675.0

申请日：2011-02-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 池上智朗 ,  中西和幸 ,  田丸雅规

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/11807

Abstract: 标准单元(C1)具有在Y方向上延伸、并且在X方向上以相同的间距配置的栅极图案(G1、G2、G3)，其各终端部(e1、e2、e3)在Y方向上处于相同的位置，并且在X方向上的宽度相同。二极管单元(C2)在Y方向上与标准单元(C1)相邻，并且除了具有作为二极管的功能的扩散层(D1～D10)之外，还具备与终端部(e1、e2、e3)相对置地配置的由栅极图案(G4、G5、G6)形成的多个对置终端部(eo1、eo2、eo3)。