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公开(公告)号：CN1659689A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03812720.2
申请日：2003-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31138 , H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，在将无机材料膜作为掩模对有机材料膜进行蚀刻的情况下，能够与蚀刻图案相对应，维持高蚀刻速率，以良好的蚀刻形状、良好的面内均匀性，并且不产生无机材料膜的膜剥离地进行蚀刻。在处理容器(1)内，通过蚀刻气体的等离子，将无机材料膜作为掩模，对被处理体上形成的有机材料膜进行蚀刻时，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为40％以上的蚀刻图案的情况下，使用含有NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为小于40％的蚀刻图案的情况下，使用NH3气体作为蚀刻气体。
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公开(公告)号：CN100459058C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN03812720.2
申请日：2003-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31138 , H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，在将无机材料膜作为掩模对有机材料膜进行蚀刻的情况下，能够与蚀刻图案相对应，维持高蚀刻速率，以良好的蚀刻形状、良好的面内均匀性，并且不产生无机材料膜的膜剥离地进行蚀刻。在处理容器(1)内，通过蚀刻气体的等离子，将无机材料膜作为掩模，对被处理体上形成的有机材料膜进行蚀刻时，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为40%以上的蚀刻图案的情况下，使用含有NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为小于40%的蚀刻图案的情况下，使用NH3气体作为蚀刻气体。
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公开(公告)号：CN1685483A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822723.1
申请日：2003-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 一种在处理容器内，以含Si有机类材料的上层膜(63)作为掩模，对基板的表面层(61)上所形成的有机类材料膜的下层膜(64)进行蚀刻的方法。向处理容器内供给包括NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，以该蚀刻气体的等离子体进行蚀刻。在供给蚀刻气体时，通过对O2气体相对于NH3气体的流量比进行调整，便可对蚀刻的CD偏差值进行控制。具体地说，使所说流量比为0.5～20％、特别是5～10％，可得到良好的CD偏差值。
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公开(公告)号：CN1529905A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02806160.8
申请日：2002-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/76807
Abstract: 在使用C4F8/Ar/N2系混合气体进行SiOC系低介电常数膜蚀刻的情况下，使Ar的流量比在80％以上。由此，可提高SiOC系低介电常数膜对氮化硅膜的选择比，同时，还能够减少蚀刻时产生的微沟槽。
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公开(公告)号：CN100423192C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200480001378.8
申请日：2004-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： V·巴拉苏伯拉马尼姆 , 稻泽刚一郎 , R·怀斯 , A·P·马霍罗瓦拉 , S·潘达
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , G03F7/09 , H01L21/033 , H01L21/3105 , H01L21/768 , H01L21/308
Abstract: 一种在等离子体加工系统中，用于在基底上蚀刻有机抗反射涂料(ARC)层的方法，包括：引入包括氨(NH3)和钝化气体的工艺过程气体；由工艺过程气体生成等离子体；以及将基底曝露于等离子体下。例如，工艺过程气体可以由NH3和烃气体如C2H4、CH4、C2H2、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、C4H6、C4H8、C4H10、C5H8、C5H10、C6H6、C6H10和C6H12中的至少一种组成。此外，工艺化学物质可以进一步包括氦的加入。本发明还提出了一种用于生成双层掩模的方法，用于在基底上蚀刻薄膜；其中该方法包括：在基底上生成薄膜；在此薄膜上生成ARC层；在ARC层上生成光致抗蚀剂图案；使用包括氨(NH3)和钝化气体的工艺过程气体，以一种蚀刻工艺将光致抗蚀剂图案转移到ARC层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1717778A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200480001378.8
申请日：2004-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： V·巴拉苏伯拉马尼姆 , 稻泽刚一郎 , R·怀斯 , A·P·马霍罗瓦拉 , S·潘达
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , G03F7/09 , H01L21/033 , H01L21/3105 , H01L21/768 , H01L21/308
Abstract: 一种在等离子体加工系统中，用于在基底上蚀刻有机抗反射涂料(ARC)层的方法，包括：引入包括氨(NH3)和钝化气体的工艺过程气体；由工艺过程气体生成等离子体；以及将基底曝露于等离子体下。例如，工艺过程气体可以由NH3和烃气体如C2H4、CH4、C2H2、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、C4H6、C4H8、C4H10、C5H8、C5H10、C6H6、C6H10和C6H12中的至少一种组成。此外，工艺化学物质可以进一步包括氦的加入。本发明还提出了一种用于生成双层掩模的方法，用于在基底上蚀刻薄膜；其中该方法包括：在基底上生成薄膜；在此薄膜上生成ARC层；在ARC层上生成光致抗蚀剂图案；使用包括氨(NH3)和钝化气体的工艺过程气体，以一种蚀刻工艺将光致抗蚀剂图案转移到ARC层上。
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公开(公告)号：CN1692472A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100597.7
申请日：2003-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/3105 , G03F7/09
Abstract: 一种在等离子体处理体系内蚀刻在基片上的抗反射涂层(ARC)的方法，该方法包括：引入含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体；由该处理气体形成等离子体；和暴露该基片于等离子体下。该处理气体可例如包括NH3/O2、N2/H2/O2、N2/H2/CO、NH3/CO或NH3/CO/O2基化学。另外，工艺化学可进一步包括添加氦气。本发明进一步提出了形成双层掩模用以蚀刻在基片上的薄膜的方法，其中该方法包括在基片上形成薄膜，在薄膜上形成ARC层，在ARC层上形成光刻胶图案；和采用该蚀刻方法，使用含氮(N)、氢(H)和氧(O)的处理气体，将光刻胶图案转印到ARC层上。
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公开(公告)号：CN1290156C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN02816214.5
申请日：2002-08-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 北村彰规 , V·N·巴拉苏布拉马尼亚姆 , 稻泽刚一郎 , 西野雅
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/265 , G03F7/0035 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/36 , G03F7/405 , H01L21/31144
Abstract: 用于在设置于真空处理容器(102)内的平行平板电极间导入处理气体、同时施加高频电力、形成处理气体的等离子体、描画形成于被处理体(150)上的抗蚀剂的干式显影，被蚀刻层(152)上部的抗蚀剂包括已经显影的含有硅的上层抗蚀剂(156)和连接地设置在上层抗蚀剂(156)下层的下层抗蚀剂(154)，通过使用一氧化碳气体和氧气的混合气体进行等离子体处理的第一工序和使用氮气和氢气的混合气体进行等离子体处理的第二工序对下层抗蚀剂(154)进行上述干式显影，由此，可在抗蚀剂上高效率地实施高精度的描画。
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公开(公告)号：CN1543666A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN02816214.5
申请日：2002-08-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 北村彰规 , V·N·巴拉苏布拉马尼亚姆 , 稻泽刚一郎 , 西野雅
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/265 , G03F7/0035 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/36 , G03F7/405 , H01L21/31144
Abstract: 用于在设置于真空处理容器(102)内的平行平板电极间导入处理气体、同时施加高频电力、形成处理气体的等离子体、描画形成于被处理体(150)上的抗蚀剂的干式显影，被蚀刻层(152)上部的抗蚀剂包括已经显影的含有硅的上层抗蚀剂(156)和连接地设置在上层抗蚀剂(156)下层的下层抗蚀剂(154)，通过使用一氧化碳气体和氧气的混合气体进行等离子体处理的第一工序和使用氮气和氢气的混合气体进行等离子体处理的第二工序对下层抗蚀剂(154)进行上述干式显影，由此，可在抗蚀剂上高效率地实施高精度的描画。
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公开(公告)号：CN100347830C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN03822723.1
申请日：2003-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 一种在处理容器内，以含Si有机类材料的上层膜(63)作为掩模，对晶片的表面层(61)上所形成的有机类材料膜的下层膜(64)进行蚀刻的方法。向处理容器内供给包括NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，以该蚀刻气体的等离子体进行蚀刻。在供给蚀刻气体时，通过对O2气体相对于NH3气体的流量比进行调整，便可对蚀刻的CD偏差值进行控制。具体地说，使所说流量比为0.5～20%、特别是5～10%，可得到良好的CD偏差值。
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