公开(公告)号：CN104752273B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410092872.5

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 芦原洋司 ,  小川有人

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理，具有：在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间；与上述搬运空间连接的第1排气管；与上述缓冲空间连接的第2排气管；与上述处理空间连接的第3排气管；与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管；设于上述第1排气管的第1真空泵；设于上述第4排气管的第2真空泵；在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀；设于上述第2排气管的第2阀；以及设于上述第3排气管的第3阀。

公开(公告)号：CN105428227A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510501921.0

申请日：2015-08-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 小川有人 ,  竹林雄二

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/67011

Abstract: 在衬底上形成薄膜时，将生成的副产物排出到处理室外。本发明提供一种半导体器件的制造方法及衬底处理方法，其具有下述工序：通过将对衬底供给第一处理气体的工序、对所述衬底供给第二处理气体的工序和对所述衬底供给与由所述第一处理气体及所述第二处理气体反应生成的副产物进行反应的第三处理气体的工序进行规定次数，由此在所述衬底上形成膜，供给所述第一处理气体的工序、供给所述第二处理气体的工序及供给所述第三处理气体的工序在将所述衬底维持为室温以上且450℃以下的规定温度的状态下进行，供给所述第三处理气体的工序与供给所述第一处理气体的工序及供给所述第二处理气体的工序中的至少任一项工序同时进行。

公开(公告)号：CN104752273A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410092872.5

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 芦原洋司 ,  小川有人

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67155

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理，具有：在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间；与上述搬运空间连接的第1排气管；与上述缓冲空间连接的第2排气管；与上述处理空间连接的第3排气管；与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管；设于上述第1排气管的第1真空泵；设于上述第4排气管的第2真空泵；在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀；设于上述第2排气管的第2阀；以及设于上述第3排气管的第3阀。

公开(公告)号：CN108257862A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711377353.3

申请日：2017-12-19

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 小川有人 ,  桧山真

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02167 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/50 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/67383 ,  H01L21/67389 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/285 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及存储介质。本发明要解决的课题为提供能够形成耐漏电流性及耐蚀刻性高的电极侧壁的技术。为解决上述课题，提供具有下述工序的技术：将下述衬底搬入在腔室内构成的处理空间的工序，所述衬底具有栅电极、和在所述栅电极的侧面作为侧壁的一部分而构成的绝缘膜；和向所述处理空间供给含碳气体，在所述绝缘膜的表面上形成包含碳氮成分的耐蚀刻膜的工序。

公开(公告)号：CN107863289A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710702298.4

申请日：2017-08-16

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 小川有人 ,  清野笃郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L49/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/45531 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/28088 ,  H01L28/75 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和存储介质。提供抑制EOT增加且具有高功函数的功函数金属膜。半导体装置的制造方法具有：将对基板供应含第1金属元素的含第1金属气体的工序、从基板除去该气体的工序、对基板供应反应气体的工序和从基板除去该气体的工序重复数次，形成第1金属层的工序；及，将对所得基板供应含与氧的键强于第1金属元素的第2金属元素的含第2金属气体的工序、从基板除去该气体的工序、对基板供应反应气体的工序、从基板除去该气体的工序进行1次，在第1金属层上形成第2金属层的工序；将形成第1、第2金属层的工序重复数次，在基板上形成含第1和第2金属元素、功函数比第1金属层高、与氧的键强的导电膜。

公开(公告)号：CN101320734B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200810125529.0

申请日：2008-06-10

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社日立国际电气

Inventor： 岩本邦彦 ,  小川有人 ,  上牟田雄一

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/517 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/513

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其具有对称平带电压、相同栅电极材料且高介电常数层的CMISFET。nMISFET具备：第一栅绝缘膜(16)，其配置于半导体基板(10)表面上；第一金属氧化物层(20)，其配置于第一栅绝缘膜(16)上，且具有由M1xM2yO(M1＝Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu，M2＝Hf、Zr、Ta，x/(x+y)＞0.12)表示的组成比；第二金属氧化物层(24)；第一导电层(28)，其配置于第二金属氧化物层(24)上，pMISFET具备：配置于半导体基板(10)表面上的第二栅绝缘膜(18)；第三金属氧化物层(22)，其配置于第二栅绝缘膜(18)上，且具有由M3zM4wO(M3＝Al，M4＝Hf、Zr、Ta，z/(z+w)＞0.14)表示的组成比；第四金属氧化物层(26)；第二导电层(30)，其配置于第四金属氧化物层(26)上。

公开(公告)号：CN108130523A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201810101540.7

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 芦原洋司 ,  小川有人

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/316 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法及记录介质，防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理，具有：在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间；与上述搬运空间连接的第1排气管；与上述缓冲空间连接的第2排气管；与上述处理空间连接的第3排气管；与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管；设于上述第1排气管的第1真空泵；设于上述第4排气管的第2真空泵；在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀；设于上述第2排气管的第2阀；以及设于上述第3排气管的第3阀。

公开(公告)号：CN107924829A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580082782.0

申请日：2015-09-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 清野笃郎 ,  小川有人

IPC: H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28506 ,  H01L21/285 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明提供能控制形成在衬底上的膜的面内均匀性的技术。解决手段具有通过将下述循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序，所述循环分时地进行：对衬底供给含金属气体的工序、和对衬底供给包含其单质为固体的元素的还原气体的工序。还原气体具有根据还原气体对衬底的暴露量来使膜的成膜速度由增加变化为减小的特性，在供给还原气体的工序中，根据还原气体的特性来调节还原气体对衬底的暴露量。

公开(公告)号：CN101320734A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810125529.0

申请日：2008-06-10

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社日立国际电气 ,  株式会社东芝

Inventor： 岩本邦彦 ,  小川有人 ,  上牟田雄一

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/517 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/513

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其具有对称平带电压、相同栅电极材料且高介电常数层的CMISFET。nMISFET具备：第一栅绝缘膜(16)，其配置于半导体基板(10)表面上；第一金属氧化物层(20)，其配置于第一栅绝缘膜(16)上，且具有由M1xM2yO(M1＝Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu，M2＝Hf、Zr、Ta，x/(x+y)＞0.12)表示的组成比；第二金属氧化物层(24)；第一导电层(28)，其配置于第二金属氧化物层(24)上，pMISFET具备：配置于半导体基板(10)表面上的第二栅绝缘膜(18)；第三金属氧化物层(22)，其配置于第二栅绝缘膜(18)上，且具有由M3zM4wO(M3＝Al，M4＝Hf、Zr、Ta，z/(z+w)＞0.14)表示的组成比；第四金属氧化物层(26)；第二导电层(30)，其配置于第四金属氧化物层(26)上。