-
公开(公告)号：CN106463608B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201580034198.8
申请日：2015-06-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L41/319 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/316
CPC classification number: H01L41/0477 , C23C14/08 , C23C14/088 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/3464 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射形成PZT薄膜时在不使用以往的种子层的情况下抑制作为杂质相的烧绿石相的生成的技术。本发明是具有在Si基板10上经由作为铂紧贴层的TiOX层4而设置的Pt电极层5、在Pt电极层5上形成的Ti薄膜层6、以及在Ti薄膜层6上形成的PZT薄膜层7的PZT薄膜层叠体。能够使Ti薄膜层6的厚度为1nm以上10nm以下。
-
公开(公告)号：CN106463608A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580034198.8
申请日：2015-06-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L41/319 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L41/047 , H01L41/29 , H01L41/316
CPC classification number: H01L41/0477 , C23C14/08 , C23C14/088 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/3464 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射形成PZT薄膜时在不使用以往的种子层的情况下抑制作为杂质相的烧绿石相的生成的技术。本发明是具有在Si基板10上经由作为铂紧贴层的TiOX层4而设置的Pt电极层5、在Pt电极层5上形成的Ti薄膜层6、以及在Ti薄膜层6上形成的PZT薄膜层7的PZT薄膜层叠体。能够使Ti薄膜层6的厚度为1nm以上10nm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106062239A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011289.X
申请日：2015-03-03
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/08 , C23C14/06 , H01L21/316 , H01L41/187 , H01L41/316 , H01L41/319
CPC classification number: H01L41/319 , C23C14/083 , C23C14/088 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明的多层膜的制造方法是在基板(2、31)形成导电层(3)，以覆盖所述导电层(3)的方式通过溅射法形成含有氧化物的种子层(4)，所述氧化物具有钙钛矿结构，以覆盖所述种子层(4)的方式形成介质层(5)。
-
公开(公告)号：CN102971449B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201180034457.9
申请日：2011-07-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/455 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45572 , C23C16/303 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/463 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 提供一种能够不使原料气体与反应气体混合而比以往技术更有效地冷却并向真空槽内释放的成膜装置。在第一面（20a）在真空槽（11）内露出的释放板（21）上，形成有贯通释放板（21）的多个原料气体导入孔（27a）和反应气体导入孔（27b）。在释放板（21）的与第一面（20a）相反侧的第二面（20b）上，形成有原料气体用导入孔（27a）位于底面上的多条槽，在第二面（20b）上配置有将槽堵塞的顶板（23），形成在顶板（23）上的原料气体用贯通孔和原料气体用导入孔（27a）用第一辅助配管连接。在第一辅助配管中流动的原料气体和在反应气体用导入孔（27b）中流动的反应气体被分别单独流到由各槽和顶板（23）包围的各槽内空间中的冷却介质冷却，被从原料气体用开口（28a）和反应气体用开口（28b）向真空槽（11）内释放。
-
公开(公告)号：CN102939406B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201180029114.3
申请日：2011-06-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/455 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/306
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置具有原料气体放出部，该原料气体放出部利用与现有相比制作更容易的构造，将多个原料气体冷却并同时不混合地放出至基板上。原料气体放出部(20)由中空的放出容器(21)和多个配管(31a1~31a3、31b1~31b3)构成，该中空的放出容器(21)在容器壁设有多个放出孔(22)，该多个配管(31a1~31a3、31b1~31b3)配置在放出容器(21)的中空部分并在外周侧面设有贯通孔(32a1~32a3、32b1~32b3)，外周侧面的贯通孔(32a1~32a3、32b1~32b3)的外周部分紧贴在上述容器壁的内侧表面，贯通孔(32a1~32a3、32b1~32b3)与放出孔(22)连通。如果使冷媒循环于放出容器(21)的中空部分，则通过配管(31a1~31a3、31b1~31b3)的原料气体被冷却。
-
公开(公告)号：CN102971449A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180034457.9
申请日：2011-07-12
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/455 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45572 , C23C16/303 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/463 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种能够不使原料气体与反应气体混合而比以往技术更有效地冷却并向真空槽内释放的成膜装置。在第一面（20a）在真空槽（11）内露出的释放板（21）上，形成有贯通释放板（21）的多个原料气体导入孔（27a）和反应气体导入孔（27b）。在释放板（21）的与第一面（20a）相反侧的第二面（20b）上，形成有原料气体用导入孔（27a）位于底面上的多条槽，在第二面（20b）上配置有将槽堵塞的顶板（23），形成在顶板（23）上的原料气体用贯通孔和原料气体用导入孔（27a）用第一辅助配管连接。在第一辅助配管中流动的原料气体和在反应气体用导入孔（27b）中流动的反应气体被分别单独流到由各槽和顶板（23）包围的各槽内空间中的冷却介质冷却，被从原料气体用开口（28a）和反应气体用开口（28b）向真空槽（11）内释放。
-
公开(公告)号：CN102939406A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180029114.3
申请日：2011-06-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/455 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/306
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，该成膜装置具有原料气体放出部，该原料气体放出部利用与现有相比制作更容易的构造，将多个原料气体冷却并同时不混合地放出至基板上。原料气体放出部(20)由中空的放出容器(21)和多个配管(31a1~31a3、31b1~31b3)构成，该中空的放出容器(21)在容器壁设有多个放出孔(22)，该多个配管(31a1~31a3、31b1~31b3)配置在放出容器(21)的中空部分并在外周侧面设有贯通孔(32a1~32a3、32b1~32b3)，外周侧面的贯通孔(32a1~32a3、32b1~32b3)的外周部分紧贴在上述容器壁的内侧表面，贯通孔(32a1~32a3、32b1~32b3)与放出孔(22)连通。如果使冷媒循环于放出容器(21)的中空部分，则通过配管(31a1~31a3、31b1~31b3)的原料气体被冷却。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.04 seconds)
