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公开(公告)号:CN100433279C
公开(公告)日:2008-11-12
申请号:CN200410104607.0
申请日:2004-12-22
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L24/97 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体器件的制造方法。提高采用倒装片安装方法的半导体器件的密封方法的产量。在模塑过程中,其中在模塑装置的空腔内压为负压的状态下、用密封树脂将通过凸起电极安装在基板母体的零部件安装表面上的多个半导体晶片(IC)一起密封,通过模具的下模和上模而夹紧基板母体时的夹紧压力在注入密封树脂的初始阶段被设定为相对较小的压力,并且在密封树脂已经覆盖了沿树脂注入方向的最终阶段中的半导体晶片IC时切换成相对较高的压力。
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公开(公告)号:CN1638071A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN200410104607.0
申请日:2004-12-22
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L24/97 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体器件的制造方法。提高采用倒装片安装方法的半导体器件的密封方法的产量。在模塑过程中,其中在模塑装置的空腔内压为负压的状态下、用密封树脂将通过凸起电极安装在基板母体的零部件安装表面上的多个半导体晶片(IC)一起密封,通过模具的下模和上模而夹紧基板母体时的夹紧压力在注入密封树脂的初始阶段被设定为相对较小的压力,并且在密封树脂已经覆盖了沿树脂注入方向的最终阶段中的半导体晶片IC时切换成相对较高的压力。
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