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公开(公告)号：CN117947507A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311371635.8
申请日：2023-10-23
Abstract: 在碳化硅晶片的制造装置中，搭载部(50)构成为具备具有载置晶种基板(10)的背面(10b)侧的载置面(61a)的基座部(60)、以及以包围晶种基板的周围的状态配置于基座部的引导部(70)。在使外延层(11)生长时，使台阶流动生长方向的上游侧的晶种基板与引导部的第一间隔(L1)，比台阶流动生长方向的下游侧的晶种基板与引导部的第二间隔(L2)窄，引导部构成为在使外延层生长时，温度比晶种基板低。
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公开(公告)号：CN116344324A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211656107.2
申请日：2022-12-22
IPC: H01L21/02
Abstract: 碳化硅晶片，其包括：基础晶片(20)，其由碳化硅制成并掺杂有n型杂质；和外延层(30)，其布置在基础晶片(20)的主表面(20a)上，由碳化硅制成并掺杂有n型杂质。基础晶片(20)具有厚度t1和平均杂质浓度n1，外延层(30)具有厚度t2和平均杂质浓度n2。基础晶片(20)和外延层(30)被构造为满足数学公式1：[式1]‑0.0178
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公开(公告)号：CN117410203A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310836231.5
申请日：2023-07-10
IPC: H01L21/67
Abstract: 半导体晶圆的制造装置具备将由筒部(41)及盖部(C)包围的空间设为中空室(41a)而设置于中空室(41a)中的加热装置(60)、将惰性气体导入中空室(41a)的惰性气体用供给管(90)和排出惰性气体的惰性气体用排气管(100)。而且，当将盖部(C)的质量除以盖部(C)的暴露于中空室(41a)的部分的面积(S2、S3、S5)而得的值设为盖部(C)的压力，且将盖部(C)的压力中的最小的部分设为最小封闭部压力时，中空室(41a)调整从惰性气体用排气管(100)排出的惰性气体的量，以使压力高于反应室(20a)的压力且处于最小封闭部压力以下。
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公开(公告)号：CN117403320A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310836230.0
申请日：2023-07-10
Abstract: 半导体晶圆的制造装置中，基座(50)被设为具有一面(50a)及另一面(50b)的板状，以一面(50a)侧位于反应室(20a)侧并且另一面(50b)侧位于中空室(41a)侧的方式配置于筒部(41)，在一面(50a)侧形成有收容基础晶圆(10)的凹部(51)，凹部(51)被设为在侧面(51b)和基础晶圆(10)之间形成间隙(S1)的大小，在底部(51a)形成有贯通该底部(51a)的贯通孔(54a、54b)，中空室(41)调整从惰性气体用排气管排出的惰性气体的量，以使压力为反应室的压力以上且为规定的压力以下。
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公开(公告)号：CN118256990A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311788942.6
申请日：2023-12-25
Inventor： 藤林裕明
Abstract: 在碳化硅晶圆的制造装置中，冷却部(40)能够将分离空间(201)冷却为400℃以下，供给管(51～53)具有：掺杂气体用供给管(51)，被供给反应气体中包含的氨系气体；生长气体用供给管(53)，被供给包括反应气体中包含的硅烷系气体和氯系气体的生长气体；以及惰性气体用供给管(52)，向分离空间(201)中的、被供给氨系气体的部分与被供给氯系气体的部分之间供给反应气体中包含的惰性气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103160922A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210544538.X
申请日：2012-12-14
Applicant: 纽富来科技股份有限公司 , 财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
IPC: C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/165 , C30B25/14
Abstract: 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，用于抑制原料气体在喷淋板上的反应。成膜装置（100）使用喷淋板（124）朝向腔室（103）内的基板（101）供给多种气体。喷淋板（124）具有按照沿着基板（101）侧的第1面的方式在其内部延伸，与供给多种的各气体的气体管（131）连接的多个气体流路（121）；和被贯穿设置成将该多个各气体流路（121）与腔室（103）内在第1面侧连通的多个气体喷出孔（129）。在成膜装置（100）中，从气体管（131）供给到喷淋板（124）的多个气体流路（121）的多种的各气体在喷淋板（124）的内部以及附近不混合地分别从气体喷出孔（129）向基板（101）供给。
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公开(公告)号：CN113302719B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201980088935.0
申请日：2019-12-18
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 半导体制造装置具有：薄膜形成部(10)，具有腔室(11)，该腔室具备设置基板(17)的设置台之上生长的供给气体；以及供给气体单元(20，30)，向腔室内导入供给气体。供给气体单元具有：供给配管(100a～100e，110a～110c)，供给来自气体导入源(21a～21e，31a～31c)的气体；原料用的流量控制器(22a～22e，32a～32c)；集合配管(101，111)，在比流量控制器靠下游侧生成混合气体；分配配管(102a～102e，112a～112c)，连接到集合配管的下游侧；压力控制器(24，34)，调整混合气体压力；以及分配用的流量控制器(23a，23b，33a，33b)，控制混合气体的流量。(13)并将基板加热、并且导入使薄膜(18)在基板
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公开(公告)号：CN110192266B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201780082719.6
申请日：2017-12-25
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN113302719A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201980088935.0
申请日：2019-12-18
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/205 , C23C16/455
Abstract: 半导体制造装置具有：薄膜形成部(10)，具有腔室(11)，该腔室具备设置基板(17)的设置台(13)并将基板加热、并且导入使薄膜(18)在基板之上生长的供给气体；以及供给气体单元(20，30)，向腔室内导入供给气体。供给气体单元具有：供给配管(100a～100e，110a～110c)，供给来自气体导入源(21a～21e，31a～31c)的气体；原料用的流量控制器(22a～22e，32a～32c)；集合配管(101，111)，在比流量控制器靠下游侧生成混合气体；分配配管(102a～102e，112a～112c)，连接到集合配管的下游侧；压力控制器(24，34)，调整混合气体压力；以及分配用的流量控制器(23a，23b，33a，33b)，控制混合气体的流量。
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公开(公告)号：CN110637109A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201880032744.8
申请日：2018-04-19
Applicant: 昭和电工株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装
IPC: C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/42
Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
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