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公开(公告)号：CN111524804B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202010078537.5
申请日：2020-02-03
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 , 星野仁志
Abstract: 生产衬底的方法以及生产衬底的系统。本发明涉及一种生产具有功能层(12)的衬底(16)的方法。该方法包括提供具有第一表面(4)和与第一表面(4)相反的第二表面(6)的工件(2)，以及在工件(2)的内部形成改性层(8)，该改性层(8)包括多个改性部位。此外，该方法包括，在工件(2)的内部形成改性层(8)之后，在工件(2)的第一表面(4)上形成功能层(12)，以及在工件(2)的第一表面(4)上形成功能层(12)之后，沿着改性层(8)分割工件(2)，从而获得具有功能层(12)的衬底(16)。沿着改性层(8)分割工件(2)包括向工件(2)施加外部刺激。此外，本发明还涉及用于执行该方法的衬底生产系统。
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公开(公告)号：CN110164820B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201910110077.7
申请日：2019-02-11
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 , R·齐默尔曼 , 星野仁志
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，晶圆在一个侧面(1)上具有包括多个器件(27)的器件区域(2)。该方法包括：提供保护膜(4)；将保护膜施加到晶圆的一个侧面(1)或晶圆的与一个侧面相对的侧面(6)，使得至少保护膜的前表面(4a)的中央区域与晶圆的一个侧面或晶圆的与一个侧面相对的侧面直接接触。该方法还包括：将保护膜附接至晶圆的一个侧面或晶圆的与一个侧面相对的侧面，使得保护膜的周边部分的至少一部分沿着晶圆的整个圆周附接至晶圆的侧边缘(5)的至少一部分。晶圆的侧边缘从晶圆的一个侧面延伸到晶圆的与一个侧面相对的侧面。而且，该方法包括：处理晶圆的一个侧面/或晶圆的与一个侧面相对的侧面。
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公开(公告)号：CN102842534B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210199722.5
申请日：2012-06-14
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供光器件晶片的加工方法，能够不对光设备层施加损伤而去除与被覆在基板的背面上的金属膜的分割预定线对应的区域，该方法在基板表面上层叠光器件层，在由在规定方向延伸的多个第1分割预定线和在与第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件，在基板的背面上被覆金属膜，包括：从被覆在基板的背面上的金属膜侧对与第1分割预定线对应的区域照射激光光线，通过沿着第1分割预定线去除金属膜，形成第1激光加工槽的第1金属膜去除步骤；以及从被覆在基板的背面上的金属膜侧对与第2分割预定线对应的区域照射激光光线，通过沿着第2分割预定线去除金属膜，形成第2激光加工槽的第2金属膜去除步骤。
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公开(公告)号：CN102779786B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210147803.0
申请日：2012-05-10
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/38 , B23K26/0853 , B23K26/40 , B23K2103/50 , H01L33/0095
Abstract: 本发明提供一种光器件晶片的分割方法，该光器件晶片在通过设定在表面上的多个交叉的分割预定线而划分的各区域上分别形成有光器件，并在里面形成有反射膜，该光器件晶片的分割方法的特征在于包括：激光束照射步骤，将激光束的聚光点定位在光器件晶片的内部，并从光器件晶片的里面侧沿着该分割预定线照射激光束，在光器件晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施该激光束照射步骤之后，在光器件晶片上施加外力而沿着该分割预定线分割光器件晶片来形成多个光器件芯片，在该激光束照射步骤中照射在光器件晶片上的激光束的波长相对于该反射膜的透过率为80％以上。
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公开(公告)号：CN102770940B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180009701.6
申请日：2011-03-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: H01L21/20 , C30B29/20 , C30B33/02 , H01L21/268
CPC classification number: H01L23/564 , C30B29/20 , C30B33/02 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L29/045 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供的带多层膜的单晶衬底、带多层膜的单晶衬底的制造方法以及使用该制造方法的元件制造方法，对因多层膜的成膜而产生的翘曲进行矫正；该带多层膜的单晶衬底，包括单晶衬底(20)和形成于单晶衬底(20)一面上的具有两个以上的层且具有压缩应力的多层膜(30)，并且，在单晶衬底(20)的厚度方向上将单晶衬底(20)进行二等分而得到的两个区域(20U、20D)中，至少在单晶衬底(20)的与形成有多层膜(30)的面侧为相反侧的面侧的区域(20D)内设有热改性层(22)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102194658B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201110035671.8
申请日：2011-02-10
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 激光加工装置，在利用多个聚光点照射脉冲激光线形成多个变质层时，将以变质层为基点传播的裂缝引导至变质层之间。具备：保持被加工物的卡盘台；激光线照射单元，向保持在卡盘台上的被加工物照射具有透射性的波长的脉冲激光线；加工进给单元，使卡盘台与激光线照射单元相对地进行加工进给，激光线照射单元包括脉冲激光线振荡单元和聚光器，聚光器对脉冲激光线振荡单元振荡产生的脉冲激光线进行会聚而照射到保持在卡盘台上的被加工物，聚光器将脉冲激光线振荡单元振荡产生的脉冲激光线会聚到沿保持在卡盘台上的被加工物的厚度方向错开的多个聚光点，脉冲激光线振荡单元振荡产生的脉冲激光线的脉宽被设定得比由多个聚光点形成的变质层的生成时间短。
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公开(公告)号：CN101604659B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN200910148838.4
申请日：2009-06-11
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/50 , H01L21/304 , B28D5/00 , B23K26/38
CPC classification number: H01L27/14683
Abstract: 本发明提供光器件晶片的分割方法，其能使光器件晶片的厚度很薄，并且能在不降低光器件光亮度的同时防止抗弯强度降低。光器件晶片的分割方法是沿着间隔道分割光器件晶片的方法，其包括：保护板接合工序，将光器件晶片的表面能够剥离地接合到保护板的表面；背面磨削工序，磨削光器件晶片的背面；加强基板接合工序，将加强基板能够剥离地接合到光器件晶片的背面；晶片剥离工序，将光器件晶片从保护板剥离；切割带粘贴工序，将光器件晶片的表面粘贴到切割带的表面；激光加工工序，实施在加强基板中沿着间隔道形成断裂起点的激光加工；和晶片分割工序，沿着加强基板的断裂起点施加外力，使加强基板沿着断裂起点断裂，从而使光器件晶片沿着间隔道断裂。
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公开(公告)号：CN102842534A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210199722.5
申请日：2012-06-14
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供光器件晶片的加工方法，能够不对光设备层施加损伤而去除与被覆在基板的背面上的金属膜的分割预定线对应的区域，该方法在基板表面上层叠光器件层，在由在规定方向延伸的多个第1分割预定线和在与第1分割预定线交叉的方向上形成的多个第2分割预定线划分而成的多个区域形成光器件，在基板的背面上被覆金属膜，包括：从被覆在基板的背面上的金属膜侧对与第1分割预定线对应的区域照射激光光线，通过沿着第1分割预定线去除金属膜，形成第1激光加工槽的第1金属膜去除步骤；以及从被覆在基板的背面上的金属膜侧对与第2分割预定线对应的区域照射激光光线，通过沿着第2分割预定线去除金属膜，形成第2激光加工槽的第2金属膜去除步骤。
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公开(公告)号：CN102753737A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180009519.0
申请日：2011-03-04
Applicant: 并木精密宝石株式会社 , 株式会社迪思科
IPC: C30B29/20 , B23K26/40 , C30B33/02 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L33/00
CPC classification number: C30B33/04 , B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2103/56 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L31/184 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供具有任意的翘曲形状和/或翘曲量的外延生长用内部改性衬底、使用该外延生长用内部改性衬底的带多层膜的内部改性衬底、半导体器件及半导体块状衬底、以及它们的制造方法；该外延生长用内部改性衬底包含单晶衬底和通过对单晶衬底进行激光照射而形成于该单晶衬底的内部的热改性层而构成。
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公开(公告)号：CN101604659A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910148838.4
申请日：2009-06-11
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/50 , H01L21/304 , B28D5/00 , B23K26/38
CPC classification number: H01L27/14683
Abstract: 本发明提供光器件晶片的分割方法，其能使光器件晶片的厚度很薄，并且能在不降低光器件光亮度的同时防止抗弯强度降低。光器件晶片的分割方法是沿着间隔道分割光器件晶片的方法，其包括：保护板接合工序，将光器件晶片的表面能够剥离地接合到保护板的表面；背面磨削工序，磨削光器件晶片的背面；加强基板接合工序，将加强基板能够剥离地接合到光器件晶片的背面；晶片剥离工序，将光器件晶片从保护板剥离；切割带粘贴工序，将光器件晶片的表面粘贴到切割带的表面；激光加工工序，实施在加强基板中沿着间隔道形成断裂起点的激光加工；和晶片分割工序，沿着加强基板的断裂起点施加外力，使加强基板沿着断裂起点断裂，从而使光器件晶片沿着间隔道断裂。
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