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公开(公告)号：CN115466547A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210464582.3
申请日：2022-04-29
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: C09D129/04 , C09D139/06 , C09D201/00 , C09D5/32 , B23K26/00 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供激光加工用保护膜剂和被加工物的加工方法，该激光加工用保护膜剂能够在使用波长532nm的激光束进行加工的被加工物的被加工面形成适当的保护膜。激光加工用保护膜剂是由包含水溶性树脂、有机溶剂以及光吸收剂的溶液形成的激光加工用保护膜剂，该溶液在波长532nm的吸光度(换算成200倍稀释溶液后的吸光度)相对于每1cm光路长度为0.05以上；或者激光加工用保护膜剂由包含水溶性树脂、有机溶剂以及多羟基蒽醌衍生物的溶液形成。
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公开(公告)号：CN107546151B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201710474178.3
申请日：2017-06-21
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供保护膜包覆装置和保护膜包覆方法，无论被加工物的状态如何都能够适当地形成保护膜。保护膜包覆装置包含：保护膜形成兼清洗部(50)，其在晶片(W)的正面上包覆保护膜，并对该保护膜进行清洗；包覆状态检测部(70)，其对包覆在晶片(W)的正面上的保护膜的包覆状态进行检测；以及控制部(90)，其对这些部件进行控制。控制部(90)根据来自包覆状态检测部的检测信号对保护膜的膜厚是否在规定的范围内进行判定，在判定为膜厚不在规定的范围内的情况下，使保护膜形成兼清洗部(50)进行动作而对包覆在晶片的正面上的保护膜进行清洗，并对正面实施根据膜厚而选择的预处理，然后再次使保护膜形成兼清洗部进行动作而在晶片的正面上包覆保护膜。
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公开(公告)号：CN114289877A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111133942.3
申请日：2021-09-27
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供被加工物的加工方法，抑制激光束返回激光振荡器并使用激光束将被加工物的包含倒角部的区域去除。被加工物的加工方法是圆盘状的被加工物的加工方法，具有如下的步骤：带粘贴步骤，将带粘贴在被加工物的一个面上，并借助带而将被加工物与框架一体化；保持步骤，在带粘贴步骤之后，利用保持单元隔着带而对被加工物进行保持；和激光束照射步骤，在保持步骤之后，从被加工物的位于一个面的相反侧的另一个面侧向另一个面照射具有被加工物所吸收的波长的脉冲状的激光束，在激光束照射步骤中，在按照具有相对于被加工物的另一个面的法线以规定的角度倾斜的入射角的方式调整了激光束的朝向的状态下，在另一个面上呈环状照射激光束。
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公开(公告)号：CN114975174A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210157671.3
申请日：2022-02-21
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/78 , B23K26/364 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供加工装置，其容易进行将划片带粘贴于在与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部的晶片的背面上而与环状框架成为一体的作业，并且容易将加强部切断而从晶片去除。加工装置包含：晶片搬出单元；晶片台，其对所搬出的晶片进行支承；框架搬出单元；框架台，其对所搬出的环状框架进行支承；带粘贴单元，其将带粘贴于环状框架；有带框架搬送单元；带压接单元，其将有带框架的带压接于晶片的背面；框架单元搬出单元；以及加强部去除单元，其从框架单元的晶片将环状的加强部切断并去除。
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公开(公告)号：CN112338352A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010772207.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 吉川敏行
Abstract: 本发明提供激光加工装置的加工性能的确认方法，缩短加工时间，削减测试加工用的被加工物的使用面积或消耗量。该方法是利用具有被被加工物吸收的波长的激光束对被加工物进行加工的激光加工装置的加工性能的确认方法，具有如下的步骤：保持步骤，利用该激光加工装置的卡盘工作台对被加工物进行保持；加工痕形成步骤，一边使激光束的聚光点的高度变化，一边使被加工物和聚光点在与被加工物的厚度方向垂直的规定的方向上相对地移动，从而在被加工物的上表面上形成加工痕；拍摄步骤，对通过加工痕形成步骤而形成的加工痕的多个区域进行拍摄；以及确认步骤，根据通过拍摄步骤而获得的图像，对激光加工装置的加工性能进行确认。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112338352B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202010772207.6
申请日：2020-08-04
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 吉川敏行
Abstract: 本发明提供激光加工装置的加工性能的确认方法，缩短加工时间，削减测试加工用的被加工物的使用面积或消耗量。该方法是利用具有被被加工物吸收的波长的激光束对被加工物进行加工的激光加工装置的加工性能的确认方法，具有如下的步骤：保持步骤，利用该激光加工装置的卡盘工作台对被加工物进行保持；加工痕形成步骤，一边使激光束的聚光点的高度变化，一边使被加工物和聚光点在与被加工物的厚度方向垂直的规定的方向上相对地移动，从而在被加工物的上表面上形成加工痕；拍摄步骤，对通过加工痕形成步骤而形成的加工痕的多个区域进行拍摄；以及确认步骤，根据通过拍摄步骤而获得的图像，对激光加工装置的加工性能进行确认。
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公开(公告)号：CN111293083B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201911219424.6
申请日：2019-12-03
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供被加工物的加工方法、器件芯片的制造方法，形成抗弯强度高的芯片。将被加工物沿着分割预定线分割而形成芯片的被加工物的加工方法具有如下步骤：框架单元准备步骤，准备如下框架单元：该框架单元具有带、环状的框架以及被加工物，带粘贴在被加工物的背面上，具有延伸性，带的外周部粘贴于环状的框架；保护膜形成步骤，对被加工物的正面涂布液态树脂而形成保护膜；切断步骤，沿着分割预定线对被加工物照射激光束从而沿着分割预定线将被加工物切断；间隔扩展步骤，将粘贴于被加工物的带向径向外侧扩展，将切断被加工物而形成的各芯片间的间隔扩展；和蚀刻步骤，通过湿蚀刻将由于切断步骤中的激光束的照射而形成于各芯片的切断面的变质区域去除。
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公开(公告)号：CN110491834A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910383378.7
申请日：2019-05-09
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 吉川敏行
IPC: H01L21/78 , B23K26/362
Abstract: 提供被加工物的加工方法，在照射激光束而对板状的被加工物进行加工时抑制加工不良的产生。该被加工物的加工方法对包含等间隔设定的N条(N是3以上的自然数)分割预定线的板状的被加工物进行加工，该方法包含如下的步骤：第1加工步骤，对与位于被加工物的最外侧的分割预定线的距离用2n×D(D是相邻的两条该第1分割预定线的距离、n是满足2n＜N的最大的自然数)表示的第1位置上所存在的第1分割预定线照射激光束而在被加工物上形成加工痕；以及第(k+1)加工步骤，对从与第k位置(k是n以下的自然数)的距离用2n-k×D×m(m是自然数)表示的第(k+1)位置上所存在的该第1分割预定线中选择的该分割预定线照射该激光束而在该被加工物上形成加工痕。
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公开(公告)号：CN103033130A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210367278.3
申请日：2012-09-28
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/048 , B23K26/00 , B23K26/0006 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L21/30 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L2221/00
Abstract: 一种激光加工装置的聚光光斑位置检测方法，包括：通过聚光器会聚的激光束的聚光光斑的设计值和板状物的厚度设定聚光器在Z轴方向的基准位置的基准位置设定步骤；设定对聚光器进行定位的检测位置的从起点到终点的多个Z轴方向位置的检测位置设定步骤；依次将聚光器定位于从起点到终点的检测位置，每当变更聚光器的检测位置时启动分度进给构件，以规定间隔分度进给，在聚光器的各检测位置在板状物分别形成规定长度的激光加工槽的激光加工槽形成步骤；通过摄像构件对在板状物形成的激光加工槽进行摄像的激光加工槽摄像步骤；以及使激光加工槽摄像步骤摄像的激光加工槽对应于该检测位置的从起点到终点的各检测位置显示于一条直线的激光加工槽显示步骤。
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公开(公告)号：CN110504213B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201910393174.1
申请日：2019-05-13
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够抑制晶片分割时的加工不良的产生。该晶片的加工方法包含如下的工序：计算工序，根据由于激光束的照射而在晶片上产生的热传导的偏差的影响，确定在被照射激光束的分割预定线的两侧要确保的区域的大小，在将该区域中所包含的器件的列数设为N的情况下，计算满足N＜2n的最小的2n；2n加工工序，通过按照分割预定线的该最小的2n条的间隔对分割预定线照射激光束而在晶片上形成加工痕；以及二等分加工序，反复进行通过对将分别包含在加工痕所划分的多个区域中的器件的列数二等分的分割预定线照射激光束而在晶片上形成加工痕的工序，直至该加工痕所划分的区域中所包含的器件的列数为1。
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